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[发明专利]一种改善硅抛光片表面金属和颗粒品质的硅片的清洗方法-CN202310890445.0在审
发明人：王玥;王正阳;于兴瑞;于亚迪;孙艳美;潘世林;张荣彬 -专利权人： 山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种改善硅抛光片表面金属和颗粒品质的硅片的清洗方法。至少包括以下步骤：采用SC1清洗液对硅片进行清洗；用超纯水冲洗；采用SC2清洗液对硅片进行清洗；用超纯水冲洗；采用添加有螯合剂的SC1清洗液对硅片进行清洗；用超纯水冲洗；干燥。本发明的清洗方法，可以有效地改善硅抛光片表面金属和颗粒品质，提升硅抛光片的表面洁净度，提高后工序外延和器件加工的成品率。并且，采用本发明的清洗方法无需对清洗设备进行改造，具有操作简单、清洗效果好和运行稳定性高的特点。
一种改善抛光表面金属颗粒品质硅片清洗方法

[发明专利]一种硅片的清洗方法-CN202310897804.5在审
发明人：王玥;于亚迪;孙艳美;王正阳;于兴瑞;蒙德强;王明霞 -专利权人： 山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体硅片技术领域，具体讲，涉及一种硅片的清洗方法。包括以下步骤：在碱性清洗液喷淋条件下，使用洁净刷头和边缘刷头进行两次刷洗；在纯水喷淋条件下，使用边缘刷头进行刷洗；使用酸性清洗液清洗、干燥后包装。本发明的硅片清洗方法可以有效地改善硅片近边缘区域洁净度，提升硅片整体品质水平，为后道工序加工良率打好基础，且不会恶化硅片表面粗糙度。
一种硅片清洗方法

[发明专利]一种12英寸硅片减薄的工艺方法-CN202111593664.X在审
发明人：陈海滨;库黎明;路一辰;王玥;刘云霞;闫志瑞 -专利权人： 山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种12英寸硅片减薄的工艺方法，所使用的减薄装置包括竖直放置的的载片圈、位于载片圈左右两侧的两个圆形的静压盘，两个静压盘在靠近载片圈的一侧分别具有用于安装左砂轮和右砂轮的空间，在位于各砂轮安装部位周围的静压盘上均匀分布有3个气孔和3个水孔；在位于静压盘上方的位置安装有齿轮，该齿轮带动载片圈转动；该方法包括如下步骤：(1)预先调整左右两个砂轮与待加工的硅片处于平行状态；(2)将倒角完成的切片垂直放入载片圈里，从气孔通入空气，并从水孔通入去离子水，使硅片保持平衡；(3)在减薄过程中，控制载片圈转速在0‑30rpm之间；控制左右两个砂轮的转速在2000‑6000rpm之间，砂轮给进速度在减薄过程中呈阶梯递减的方式。
一种 12 英寸硅片工艺方法

[发明专利]一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺-CN202111502766.6在审
发明人：路一辰;库黎明;王玥;陈海滨;陈信;刘云霞;闫志瑞 -专利权人： 山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺，包括以下步骤：(1)对硅片进行寻参处理：使用边缘抛光机寻找硅片的V槽，使硅片的V槽与槽口抛光布对准；(2)对硅片的V槽进行抛光处理；(3)将完成V槽抛光的硅片进行对心处理，使硅片圆心与机台圆心对准；(4)将完成对心处理的硅片进行圆边边缘抛光处理，所使用的抛光鼓包括斜边抛光鼓和顶端抛光鼓，斜边抛光鼓加工角度范围为25°～70°，顶端抛光鼓加工角度为70°～90°。本发明通过改进圆边边缘抛光工艺，使用特殊构造的抛光鼓，并控制其中斜边抛光鼓与顶端抛光鼓的加工角度范围，使硅片整个边缘均匀抛光，避免固定角度的抛光鼓对边缘造成的局部过度抛光或失效抛光。
一种改善硅片轮廓边缘抛光工艺

[发明专利]一种快速控制直拉单晶硅直径的方法-CN202111471742.9在审
发明人：秦瑞锋;李洋 -专利权人： 山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速控制直拉单晶硅直径的方法。该方法包括在单晶硅与石英坩埚之间增设可上下移动的挡板；在单晶等径生长过程中，当单晶硅直径较目标直径减小时，向下移动挡板至遮挡直径减小部位的位置，单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射减少，单晶硅直径增加；当单晶硅直径较目标直径增大时，向上移动挡板离开直径增大部位的位置，单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射增加，单晶硅直径减小。本发明通过在传统热场结构中增设可上下移动的挡板实现对热辐射量的直接控制，从而快速改变相变界面周围的温度，以达到辅助拉速控制单晶直径的目的，减小甚至消除拉速的变化。
一种快速控制单晶硅直径方法