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[发明专利]等离子处理装置-CN201980048827.0在审
发明人：岩濑拓;小藤直行;园田靖;中谷侑亮;田中基裕 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供等离子处理装置，能够在同一腔室内进行减少了离子向样品的流出的各向同性蚀刻和将离子向样品入射的各向异性蚀刻中的任一者。因此，本发明具备：处理室，对样品进行等离子处理；高频电源，经由配置在所述处理室的上方的电介质的第一构件供给用于生成等离子的高频电力；磁场形成机构，在所述处理室内形成磁场；样品台，载置所述样品；以及第二构件，配置在所述第一构件与所述样品台之间且形成有贯通孔，所述贯通孔形成在距所述第二构件的中心为给定的距离以上的位置，从所述第一构件至所述第二构件的距离是使得在所述第一构件与所述第二构件之间生成的等离子的密度为截止密度以上的距离。
等离子处理装置

[发明专利]干蚀刻方法及干蚀刻装置-CN201980001243.8在审
发明人： 小藤直行;桑原谦一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-02-08 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：根据使用了等离子体的干蚀刻方法，在对有机膜进行蚀刻时，交替地重复进行将Ar离子遮挡而向试料的有机膜仅照射氧自由基的第一工序、以及向有机膜照射稀有气体的离子的第二工序，由此能够抑制有机膜的蚀刻的偏差从而进行精度良好的蚀刻处理。由此，能够抑制形成于硅基板等的LS图案的倒塌。
蚀刻方法装置

[发明专利]光学元件、光学元件的制造方法和光学装置-CN201280073569.X有效
发明人：平田浩二;峰邑浩行;安斋由美子;西田哲也;山本治朗;小藤直行;池田英博;木村展之 -专利权人：日立麦克赛尔株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：为了提高光学元件的特性，使具备具有线栅区域(1A)和位于其外周的周边区域(2A)的基板(1S)的光学元件(偏振滤光片)成为以下结构。在基板(1S)的线栅区域(1A)中设置有使多个由Al构成的在y方向上延伸的直线状的线(P10)在x方向上隔开空间(S)配置而成的线栅，在周边区域(2A)中配置了使多个由Al构成的突起部(P20)配置而成的图案(反复图案)。该图案例如是交错配置图案。根据上述结构，能够从基板(1S)的端部隔开间隔地配置多个线(P10)的端部，能够防止线(P10)的变形和缺损。此外，通过周边区域(2A)的多个突起部(P20)，能够防止水分进入线栅区域(1A)。
光学元件制造方法装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201310330352.9有效
发明人： 小藤直行;根岸伸幸;石村裕昭 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：在对3维结构的NAND闪存的加工的层叠膜的栅极进行分离的步骤中，防止图案变形而倾倒。将构成上述闪存的存储器单元的控制栅群的高度h与长度L之比在不引起压曲的范围设为小于1.65倍。优选将栅电极的长度L与宽度W之比设为小于16.5倍。
半导体装置制造方法

[发明专利]光学元件和光学设备-CN201280073490.7有效
发明人：平田浩二;峰邑浩行;安斋由美子;西田哲也;山本治朗;小藤直行;池田英博;木村展之 -专利权人：日立麦克赛尔株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学元件和使用它的光学设备，其能够基本沿用制造线栅结构的加工工艺，进而能够得到比线栅元件更高的偏振对比度。实施方式中的摆动线元件的特征为在y方向上形成周期在入射的光波的波长以上的周期结构。由此，实施方式1中的摆动线元件能够实现偏振对比度的大幅提高。
光学元件设备

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201010197514.2有效
发明人： 小藤直行;三浦英生 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，具有对具备有机材料的掩模的试样进行等离子体处理的工序，其特征在于：上述等离子体处理包括利用含有氟、氧、氮中的任意一种或全部的气体进行等离子体处理的第一工序；和利用不含有氟、氧、氮中任何一种而含有稀有气体的气体进行上述等离子体处理的第二工序，反复进行上述第一工序和上述第二工序。利用本发明，能够解决由于等离子体处理而产生的抗蚀剂掩模倾斜的问题。
半导体器件制造方法

[发明专利]制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法-CN200510063890.1无效
发明人： 小藤直行 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2005-04-07 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种制备半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：在SiO₂层上顺序沉积多晶硅层、WN层和W层；在W层上形成掩模图案；通过使用在W和WN之间具有高蚀刻选择比的第一蚀刻气体中的等离子体来选择性蚀刻W层，通过使用在WN和Si之间具有高蚀刻选择比的第二蚀刻气体中的等离子体来选择性蚀刻WN层和多晶硅层，和通过使用在Si和二氧化硅之间具有高蚀刻选择比的第三蚀刻气体中的等离子体来选择性蚀刻多晶硅层13。
制备具有 wn 多晶分层薄膜半导体器件方法

[发明专利]表面处理的方法和系统-CN95118750.3无效
发明人： 小藤直行;新井真;辻本和典;水谷巽;铃木敬三;水石贤一 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-11-03 - 公布日： 2001-08-08 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：为了抑制由于电子遮蔽现象而引起的开槽、电荷聚集损伤、副沟和弯弓形，提供一种占空比等于或低于５％和重复频率等于或高于４００ＫＨ＃-[z]脉冲电压。因此，在衬底偏置中出现一个用于加速电子的周期，从而使电子遮蔽现象不出现。
表面处理方法系统