专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电阻存储器装置和该电阻存储器装置的制造方法-CN202210839363.9在审
  • 姜仁求 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-07-18 - 2023-07-28 - H10B63/00
  • 本申请涉及电阻存储器装置和该电阻存储器装置的制造方法。一种电阻存储器装置包括:层叠结构,其中多个层间绝缘层和多个导电层交替地层叠;孔,其通过多个层间绝缘层和多个导电层穿透层叠结构;多个绝缘图案,其形成在多个层间绝缘层中的每一个的在孔内的侧壁上;沟道层,其沿着多个导电层中的每一个的在孔内的侧壁和多个绝缘图案中的每一个的在孔内的侧壁形成,其中,沟道层包括与绝缘图案相邻并且关于孔的中央部分以凸形形成的凸形区域并且包括与多个导电层相邻并且关于孔的中央部分以凹形形成的凹形区域。
  • 电阻存储器装置制造方法
  • [发明专利]电阻式存储器装置及操作电阻式存储器装置的方法-CN202111676089.X在审
  • 姜仁求 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-12-27 - G11C13/00
  • 本文可以提供电阻式存储器装置及操作电阻式存储器装置的方法。电阻式存储器装置可以包括:串,其联接在一条或更多条源极线和一条或更多条位线之间,每个串包括一个或更多个电阻式存储器单元的集合;一条或更多条字线,其分别联接至一个或更多个电阻式存储器单元的集合;以及电压发生器,其被配置为依据电阻式存储器单元的子集的编程目标状态来控制要向一条或更多条字线当中的一条或更多条未选字线施加的导通电压的电平,电阻式存储器单元的子集包括一个或更多个电阻式存储器单元的集合当中的一个或更多个被选电阻式存储器单元。
  • 电阻存储器装置操作方法
  • [发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202111198492.6在审
  • 金徐儇;姜仁求 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-10-14 - 2022-09-20 - H01L27/11526
  • 本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤:形成具有彼此交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构;形成穿过层叠结构的第一开口;在第一材料层之间形成第二开口;在第二开口中形成第一牺牲层;通过氧化第一牺牲层来形成突出到第一开口中的第一隔离层;在第一隔离层的突出部分之间在第一材料层上形成模制图案;通过蚀刻模制图案之间暴露的第一隔离层的部分来形成第三开口;在第三开口中形成第二牺牲层;以及通过氧化第二牺牲层来形成朝着第一开口的中央比模制图案突出更远的第二隔离层。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202110900059.6在审
  • 姜仁求;金昶汉 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-08-06 - 2022-08-30 - H01L29/06
  • 本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括:栅极结构,其包括交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层;沟道层,其穿透栅极结构;多个存储器图案,其分别位于沟道层和多个导电层之间;阻挡层,其包括位于存储器图案和导电层之间的第一部分以及在所述多个存储器图案之间延伸并朝着绝缘层突出到栅极结构的内部的第二部分;以及多个气隙,其包括位于第二部分中的第一区域和位于多个存储器图案之间的第二区域。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202011136655.3在审
  • 金昶汉;姜仁求;金宣荣 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-10-22 - 2021-08-20 - H01L27/11521
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括:层叠结构,其包括彼此交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层;硬掩模图案,其位于层叠结构上;沟道结构,其穿过硬掩模图案和层叠结构;多个绝缘图案,其插置在多个绝缘层和沟道结构之间,并且各个绝缘图案包括第一表面和第二表面,其中,第一表面面向各个绝缘层并且是平坦的,并且第二表面面向沟道结构并且包括曲面;以及存储器层,其插置在层叠结构和沟道结构之间,并且填充多个绝缘图案之间的空间,其中,各个导电层的侧壁位于硬掩模图案的侧壁的延长线上,并且绝缘图案比硬掩模图案的侧壁朝着沟道结构突出更远。
  • 半导体装置以及制造方法
  • [发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202011136669.5在审
  • 金昶汉;姜仁求;金宣荣 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-10-22 - 2021-08-20 - H01L27/11521
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括:层叠结构,其具有彼此交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层;硬掩模图案,其位于层叠结构上;沟道结构,其穿透硬掩模图案和层叠结构;多个绝缘图案,其插置在多个绝缘层和沟道结构之间;以及存储器层,其插置在层叠结构和沟道结构之间,其中,存储器层填充多个绝缘图案之间的空间,其中,各个导电层的侧壁比硬掩模图案的侧壁朝着沟道结构突出更远,并且其中,绝缘图案比各个导电层的侧壁朝着沟道结构突出更远。
  • 半导体装置以及制造方法

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