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[发明专利]桥总成磨合试验台-CN202211169417.1在审
发明人：张艳国;李海明;刘学志;张国卫;李贺;刘贺;刘书德;于相成;谢洪亮;彭月;王钦政;付忠国 -专利权人：一汽解放汽车有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01M17/007 文献下载
摘要：本发明涉及一种桥总成磨合试验台，包括：底座；两个定心机构，每个定心机构包括一个定心件，两个定心件沿第一方向彼此间隔；每个定心件沿第二方向背离底座的一侧设有可用于放置待试验桥总成的V型槽，V型槽沿第一方向贯穿定心件，每一V型槽具有与第一方向平行的对称面，且两个V型槽的对称面重合；定心件被配置为能够沿第二方向相对底座移动以举升待试验桥总成，从而使待试验桥总成自动定心。上述桥总成磨合试验台，通过定心件举升待试验桥总成，以使待试验桥总成自动定心，进而使后续待试验桥总成和车辆的负载电机及主轴能够自动对接，从而有效地提高了磨合试验的检测效率，也降低了检测人员的工作强度。
总成磨合试验台

[发明专利]一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器及其制备方法-CN202210500080.1有效
发明人：袁方;李玉霞;于相成;邓玥;张鹏 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子材料与半导体器件技术领域，具体涉及一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器及其制备方法。该忆阻器自上而下依次为上电极、功能层、下电极和衬底，功能层由Zr和ZrO2相互掺杂而形成Zr:ZrO2‑x结构。其制备方法包括清洗衬底、在衬底上依次制备下电极、功能层和上电极；其中，功能层包括制备Zr薄膜和ZrO2薄膜，且制备顺序可互换，都可形成Zr:ZrO2‑x结构。这种结构通过控制Zr和ZrO2相互掺杂的比例使功能层处于缺氧状态，以提高ZrO2中电子的导电能力。本发明制备出的忆阻器具有稳定性好、导电性佳的优点，在微电子材料与半导体器件技术领域具有广阔的应用前景。
一种缺位掺杂氧化锆忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器-CN202210412902.0有效
发明人：李玉霞;袁方;张鹏;邓玥;于相成 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子材料与半导体器件技术领域，具体涉及一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器。该忆阻器自下而上依次设置为衬底、底电极、第一功能层、第二功能层和顶电极；所述第一功能层和第二功能层为纳米堆叠结构薄膜材料，其中，第一功能层的材料采用HfOy薄膜，第二功能层的材料采用Cu掺杂的TiOx薄膜。本发明中第一功能层HfOy薄膜材料获取简单，易于实现，并且具有高开关比，第二功能层TiOx薄膜中掺入Cu可以加快导电细丝的生成速率，增强导电细丝的稳定性，从而增大忆阻器的开关比，进而实现双功能层提高忆阻器的稳定性、增大忆阻器的开关比，对新一代存储器的研究具有重要意义。
一种掺杂金属氧化物功能层忆阻器

[发明专利]桥总成定位装置-CN202210520542.6在审
发明人：张艳国;苏胜伟;李海明;刘学志;张国卫;李贺;彭月;刘书德;谢洪亮;王钦政;于相成;付忠国 -专利权人：一汽解放汽车有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B25B11/02 文献下载
摘要：本申请提供一种桥总成定位装置，用于桥总成线上自动化装配。该桥总成定位装置包括第一底板、定位框架和定位组件。第一底板上设有多个第一装配结构，多个第一装配结构组合成不同的多个第一装配组合。定位框架被构造为能够通过多个第一装配组合中的一个第一装配组合与第一底板可拆卸地连接。定位框架能够与第一底板围设成一避让空间，定位框架上开设有与该避让空间相连通的让位孔，让位孔与第一底板相对设置。定位组件设于定位框架上，且定位组件被配置为能够与桥总成相配合，以使桥总成能够与第一底板在预设位置相对固定。解决了桥总成在自动化装配过程时需要对不同型号的桥总成定制不同的定位装置才能将桥总成在预设位置固定牢固的问题。
总成定位装置