“中村浩昭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果23个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]有机薄膜晶体管用化合物和使用其的有机薄膜晶体管-CN201410363780.6无效
发明人：齐藤雅俊;中野裕基;中村浩昭;近藤浩史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C07C15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有下式(2)的结构的有机薄膜晶体管用化合物，式(2)中，R5～R10分别为氢原子、或具有碳原子数3～12的直链烷基作为取代基的苯基，R5～R10不同时为氢原子。
有机薄膜晶体管用化合物使用薄膜晶体管

[发明专利]含杂环的非对称性芳香族化合物、有机薄膜晶体管用化合物、以及使用它的有机薄膜晶体管-CN201080060537.7有效
发明人：池田阳一;齐藤雅俊;池田秀嗣;中村浩昭;近藤浩史;栗原直树;寺井恒太 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C07C15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种以下式(I)表示的化合物。其中，不存在R¹～R¹⁴全部为氢原子的情况。
含杂环对称性芳香族化合物有机薄膜晶体管用以及使用薄膜晶体管

[发明专利]多环稠环化合物以及使用该多环稠环化合物的有机薄膜晶体管-CN201080056324.7无效
发明人：砂川美佐;齐藤雅俊;中村浩昭;近藤浩史;栗原直树;河村昌宏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C07D493/04 文献下载
摘要：一种下式(1)表示的有机薄膜晶体管用化合物。
多环稠环化以及使用有机薄膜晶体管

[发明专利]有机薄膜太阳能电池-CN200980143138.4无效
发明人：松浦正英;池田秀嗣;中村浩昭;岩本伸太郎 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜太阳能电池，其特征在于，具有一对电极和夹持于所述一对电极间且包含2种以上的有机化合物的1个以上的有机层，所述2种以上的有机化合物中的主要2种有机化合物的亲和水平之差ΔAf满足下述式(a)：0.5eV＜ΔAf＜2.0eV…(a)。
有机薄膜太阳能电池

[发明专利]有机薄膜晶体管用化合物和使用其的有机薄膜晶体管-CN200980139877.6有效
发明人：中野裕基;齐藤雅俊;中村浩昭 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及有机薄膜晶体管用化合物和使用其的有机薄膜晶体管，提供具有下述式(1)的结构的有机薄膜晶体管用化合物。[式(1)中，R₁～R₆分别为氢原子、卤原子、碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的卤代烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的卤代烷氧基、碳原子数为1～30的烷硫基、碳原子数为1～30的卤代烷硫基、碳原子数为1～30的烷基氨基、碳原子数为2～60的二烷基氨基(烷基可以相互键合形成含氮原子的环结构)、碳原子数为1～30的烷基磺酰基、碳原子数为1～30的卤代烷基磺酰基、碳原子数为6～60的芳香族烃基、碳原子数为3～60的芳香族杂环基、碳原子数为3～20的烷基甲硅烷基、碳原子数为5～60的烷基甲硅烷基乙炔基或氰基，这些各基团可以具有取代基，其中，R₁～R₆不同时为氢原子]。
有机薄膜晶体管用化合物使用薄膜晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管用化合物和使用其的有机薄膜晶体管-CN200980133843.6无效
发明人：中野裕基;齐藤雅俊;中村浩昭;近藤浩史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C07C15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种下式(1)所示的有机薄膜晶体管用化合物。，式(1)中，R₁、R₃、R₅、R₇中的至少1组相邻的2个基团相互键合，形成缩合于这些基团所键合的环上的、取代或未取代的碳原子数为6～60的芳香族烃环或取代或未取代的碳原子数为3～60的芳香族杂环；R₂、R₄、R₆、R₈中的至少1组相邻的2个基团相互键合，形成缩合于这些基团所键合的环上的、取代或未取代的碳原子数为6～60的芳香族烃环或取代或未取代的碳原子数为3～60的芳香族杂环。
有机薄膜晶体管用化合物使用薄膜晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管用化合物和使用其的有机薄膜晶体管-CN200980133842.1无效
发明人：齐藤雅俊;中野裕基;中村浩昭;近藤浩史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C07C15/20 文献下载
摘要：本发明提供下述式(1)所表示的有机薄膜晶体管用化合物。，式(1)中，R₁和R₂，以及R₃和R₄分别相互键合，形成缩合于这些基团所键合的环上的、碳原子数为6～60的芳香族烃环或碳原子数为3～60的芳香族杂环，式(1)的结构成为5个以上的芳香族环缩合而成的结构，R₁和R₂，以及R₃和R₄所形成的缩合环可以具有取代基。
有机薄膜晶体管用化合物使用薄膜晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管用化合物及使用其的有机薄膜晶体管-CN200980133489.7无效
发明人：中野裕基;齐藤雅俊;中村浩昭;近藤浩史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供一种具有下式(1)的结构的有机薄膜晶体管用化合物，[式(1)中，R₁～R₆中的至少一个为取代基，剩余的R₁～R₆为氢原子。]。
有机薄膜晶体管用化合物使用薄膜晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管-CN200980123072.2无效
发明人：关谷隆司;中村浩昭 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管，是在基板上至少包含栅电极、绝缘体层、源电极、漏电极以及有机半导体层的底接触型有机薄膜晶体管，所述源电极及所述漏电极的至少一方具有氧化物层及金属层层叠而成的层叠结构，所述金属层被用有机薄膜层进行了表面修饰。
有机薄膜晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管-CN200880108574.3无效
发明人： 中村浩昭;中野裕基;齐藤雅俊;近藤浩史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：至少在基板上设置有门电极、源电极和漏电极的3个端子、绝缘体层以及有机半导体层，通过向门电极施加电压控制源-漏极间电流的有机薄膜晶体管，其在有机半导体层和绝缘体层之间具有含电离势低于5.8eV的非晶质有机化合物的通道控制层，该有机薄膜晶体管即使在高温保存的情况下场效应迁移率的稳定性也优良，且应答速度高。
有机薄膜晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管-CN200780042393.0有效
发明人：斋藤雅俊;中野裕基;中村浩昭 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及有机薄膜晶体管，其至少在基板上设置有栅电极、源电极以及漏电极这3个端子、绝缘体层以及有机半导体层，通过向栅电极施加电压来控制源电极-漏电极间电流，所述有机半导体层含有中心具有芳香族杂环基的特定有机化合物。本发明还涉及在有机薄膜晶体管中利用流过源电极-漏电极之间的电流获得发光并通过向栅电极施加电压来控制发光的有机薄膜发光晶体管，从而提供响应速度快且开/关比大的有机薄膜晶体管以及利用该有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管。
有机薄膜晶体管薄膜发光晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管-CN200780042288.7有效
发明人：齐藤雅俊;中野裕基;中村浩昭 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及有机薄膜晶体管，其至少在基板上设置栅电极、源电极以及漏电极这3个端子、绝缘体层以及有机半导体层，通过向栅电极施加电压来控制源电极-漏电极间电流，所述有机半导体层含有具有在中心有菲结构的2价芳香族烃基的特定有机化合物。本发明还涉及在有机薄膜晶体管中利用流过源电极-漏电极之间的电流获得发光并通过向栅电极施加电压来控制发光的有机薄膜发光晶体管，从而提供响应速度快且开/关比大的有机薄膜晶体管以及利用该有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管。
有机薄膜晶体管薄膜发光晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管元件以及有机薄膜发光晶体管-CN200780037982.X有效
发明人：中野裕基;齐藤雅俊;中村浩昭 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供应答速度(驱动速度)为高速、并且开/关比大的有机薄膜晶体管以及利用其的有机薄膜发光晶体管，其中所述有机薄膜晶体管，其至少在基板上设有栅电极、源电极、漏电极的这三个端子、绝缘体层以及有机半导体层，通过在栅电极上施加电压来控制源-漏电极之间的电流，其特征在于，所述有机半导体层含有特定结构的化合物，另外所述有机薄膜发光晶体管，在有机薄膜晶体管中，利用流过源-漏电极之间的电流来得到发光，通过在栅电极上施加电压来控制发光。
有机薄膜晶体管元件以及薄膜发光晶体管

[发明专利]有机电致发光元件-CN200680032302.0无效
发明人：岩隈俊裕;松浦正英;长岛英明;池田秀嗣;中村浩昭;楠本正 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光元件(1)，其中具有阳极(2)和阴极(6)，而且在阳极(2)和阴极(6)之间从阳极侧开始至少依次具备第一层(3)、第二层(4)及第三层(5)，在第一～第三层(3)、(4)、(5)中的至少一层中含有磷光发光性化合物，第一～第三层(3)、(4)、(5)中的至少一层是发光层，而且磷光发光性化合物以外的、形成所述第一层(3)的化合物和形成所述第二层(4)的化合物以及形成所述第三层(5)的化合物中，至少三种化合物是上述式(1)所示的化合物，(式中，R¹－R⁷表示氢原子或者取代基，相邻取代基之间可以互相形成环) 。
有机电致发光元件

[发明专利]有机电致发光元件-CN200680024166.0无效
发明人：松浦正英;长岛英明;池田秀嗣;中村浩昭 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光元件(1)，其具有阳极(10)及阴极(30)、在阳极(10)及阴极(30)之间由阳极侧区域(22)、内部区域(24)及阴极侧区域(26)构成的发光层(20)，各区域(22、24、26)含有由有机材料构成的主体化合物、由具有重金属的金属络合物构成的具有三重态参与的发光性能的掺杂剂，内部区域(24)的掺杂剂浓度高于上述阳极侧区域(22)及阴极侧区域(24)的掺杂剂浓度。
有机电致发光元件

1
2
下一页»
尾页
共 23 条