专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多堆叠半导体器件-CN202310429553.8在审
  • 朴金锡;朴修永;徐康一;李载泓 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-20 - 2023-10-27 - H01L27/092
  • 提供了一种多堆叠半导体器件,包括:衬底;下堆叠纳米片晶体管,包括被下栅极结构围绕的两个或更多个下沟道层,下沟道层连接下源极/漏极区;以及上堆叠纳米片晶体管,形成在下堆叠纳米片晶体管上方并且包括被上栅极结构围绕的两个或更多个上沟道层,上沟道层连接上源极/漏极区,其中下堆叠纳米片晶体管和上堆叠纳米片晶体管具有以下至少之一:下沟道层中的一个的厚度与上沟道层中的一个的厚度之间的差异;以及两个相邻的下沟道层之间的下栅极结构的厚度与两个相邻的上沟道层之间的上栅极结构的厚度之间的差异。
  • 堆叠半导体器件
  • [发明专利]用于存储控制器的操作方法和包括存储控制器的存储系统-CN202310152554.2在审
  • 李镇旭;文栋煜 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-22 - 2023-10-27 - G06F3/06
  • 提供了用于存储控制器的操作方法和包括存储控制器的存储系统。一种用于包括非易失性存储器(NVM)的存储系统中的存储控制器的操作方法可以包括:根据存储系统的可预测延迟模式接收定义写入操作的写入命令,存储系统的可预测延迟模式定义确定性窗口和非确定性窗口;确定是在确定性窗口期间还是在非确定性窗口期间执行写入操作;当确定在非确定性窗口期间执行写入操作时,使用正常写入模式执行写入操作;当确定在确定性窗口期间执行写入操作时,分析与NVM关联的度量以生成度量分析结果;响应于度量分析结果从多个写入操作方案之中选择写入操作方案;以及使用所选择的写入操作方案执行写入操作。
  • 用于存储控制器操作方法包括存储系统
  • [发明专利]具有确认信息的PUCCH传输的功率控制-CN202280018540.5在审
  • A·帕帕萨克拉里奥 - 三星电子株式会社
  • 2022-03-02 - 2023-10-27 - H04W52/32
  • 本公开涉及一种支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用于具有确认信息的物理上行链路控制信道传输的功率确定的装置和方法。一种用于操作用户设备(UE)的方法,包括:确定以下项的总和:与第一无线网络临时标识符(RNTI)集合相关联的接收传输块(TB)的第一数目、与第二集合RNTI相关联的接收TB的第二数目以及与第二RNTI集合相关联的未接收TB的第三数目。所述方法还包括基于所述总和来确定用于物理上行链路控制信道(PUCCH)传输的功率并且使用该功率来发送PUCCH。PUCCH包括与第一RNTI集合相关联的第一混合自动重传请求确认(HARQ‑ACK)信息比特和与第二RNTI集合相关联的第二HARQ‑ACK信息比特。
  • 具有确认信息pucch传输功率控制
  • [发明专利]多级电荷泵电路和包括其的半导体存储器件-CN202310329418.6在审
  • 吴正均 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-30 - 2023-10-27 - H02M3/07
  • 提供了多级电荷泵电路和包括其的半导体存储器件。电荷泵电路可以包括第一泵浦级、第一传输级、第二泵浦级以及第二传输级,第一泵浦级包括第一泵浦电容器和第二泵浦电容器,第一传输级在时钟信号处于高电平时传输第一泵浦电容器的电压,或者在反相时钟信号处于高电平时传输第二泵浦电容器的电压,第二泵浦级包括第三泵浦电容器和第四泵浦电容器,第二传输级在时钟信号处于高电平时传输第三泵浦电容器的电压,或者在反相时钟信号处于高电平时传输第四泵浦电容器的电压。第二传输级可以输出多倍的输入电压。
  • 多级电荷电路包括半导体存储器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202310453556.5在审
  • 申建旭;李殷奎;李昌锡;金昌炫;卞卿溵 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-25 - 2023-10-27 - H01L29/45
  • 一种半导体器件可以包括:第一半导体层,包括第一半导体材料;金属层,面对第一半导体层并具有导电性;2D材料层,在第一半导体层和金属层之间;以及第二半导体层,在第一半导体层和2D材料层之间。第二半导体层可以包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。第二半导体层和2D材料层可以彼此直接接触。第二半导体材料可以包括锗。
  • 半导体器件
  • [发明专利]多堆叠半导体器件和制造其的方法-CN202310454111.9在审
  • 白在职;洪炳鹤;黄寅灿;徐康一 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-25 - 2023-10-27 - H01L27/088
  • 提供了一种多堆叠半导体器件和制造其的方法。该多堆叠半导体器件包括:衬底;下纳米片晶体管,包括下沟道结构、围绕下沟道结构并包括栅极电介质层的下栅极结构、在下沟道结构两端的下源极/漏极区、以及将下源极/漏极区与下栅极结构隔离的至少一个下内部间隔物;在下纳米片晶体管上的上纳米片晶体管,包括上沟道结构、围绕上沟道结构并包括栅极电介质层的上栅极结构、在上沟道结构两端的上源极/漏极区、以及将上源极/漏极区与上栅极结构隔离的至少一个上内部间隔物;以及在下沟道结构和上沟道结构之间的隔离结构,其中包括与形成下内部间隔物或上内部间隔物的材料相同的材料的间隔物结构形成在隔离结构侧面。
  • 堆叠半导体器件制造方法

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