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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和用于制造该半导体装置的方法-CN202310221219.3在审
发明人：金真范;金孝珍;南勇准;李商文;金东宇;黄仁建 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置包括：下图案，其在第一方向上延伸，并且在第二方向上从衬底突出；下绝缘图案，其位于下图案上，并且与下图案的上表面接触；沟道图案，其位于下绝缘图案上；多个栅极结构，其位于下图案上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，多个栅极结构中的每一个包括栅电极和栅极绝缘膜；以及源极/漏极图案，其设置在下图案上，并且连接到沟道图案。源极/漏极图案的最下部的竖直水平低于下绝缘图案的底表面的竖直水平。栅电极在第二方向上与下绝缘图案重叠。
半导体装置用于制造方法

[发明专利]竖直半导体器件-CN202310250114.0在审
发明人：金成吉;梁时荣 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种竖直半导体器件可以包括衬底、衬底上的图案结构、以及穿过图案结构的沟道孔中的沟道结构。图案结构可以包括沿与衬底的上表面垂直的竖直方向交替堆叠的绝缘图案和栅极结构。沟道结构可以沿竖直方向延伸。沟道结构可以包括沟道孔的内表面上的数据存储结构、接触数据存储结构的沟道、在沟道上位于沟道孔的下部的下图案、以及在沟道和下图案上的填充绝缘图案。沟道可以具有圆柱形状。下图案可以包括包含硅和锗的氧化物。
竖直半导体器件

[发明专利]集成电路器件-CN202310261597.4在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开了集成电路器件。所述集成电路(IC)器件包括：下电极，在基底上，下电极包括包含第一金属的含金属膜；介电膜，覆盖下电极；以及上电极，面向下电极，介电膜在上电极与下电极之间。下电极包括：主下电极层，不包括与第一金属不同种类的金属掺杂剂，主下电极层与介电膜间隔开；以及界面下电极层，与介电膜接触，并且包括第一金属掺杂剂和第二金属掺杂剂。第一金属掺杂剂处于第一价态并且包括不同于第一金属的第二金属。第二金属掺杂剂处于小于第一价态的第二价态，并且包括不同于第一金属和第二金属的第三金属。
集成电路器件

[发明专利]半导体装置-CN202310267630.4在审
发明人：郑文泳;李基硕;崔贤根;卢亨俊;李相昊 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体装置可包括：衬底，其包括第一连接区和第二连接区之间的存储器单元区；栅电极，其在第一方向上延伸并且包括在第一连接区上具有台阶结构的第一焊盘区；背栅电极，其位于栅电极之间并且在与第一方向相反的方向上延伸；竖直导电图案，其在衬底的存储器单元区上在竖直方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；以及有源层，其在衬底的存储器单元区上位于栅电极和背栅电极之间。有源层可在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且可电连接到竖直导电图案。背栅电极可包括在第二连接区上具有台阶结构的第二焊盘区。
半导体装置

[发明专利]主体偏压发生器以及包括该主体偏压发生器的半导体装置-CN202310271272.4在审
发明人：金永载 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了一种主体偏压发生器以及包括该主体偏压发生器的半导体装置。所述主体偏压发生器包括：电流镜像电路，所述电流镜像电路被配置为产生目标电流并且将所述目标电流输入到目标半导体元件，所述目标半导体元件被配置为被设置为接通状态；以及电荷泵电路，所述电荷泵电路包括振荡器和至少一个电荷泵，所述振荡器被配置为基于将所述目标半导体元件的输出电压与参考电压进行比较的结果来输出时钟信号，所述至少一个电荷泵被配置为向多个半导体元件中的每一个半导体元件输出主体偏压，其中，所述多个半导体元件中的每一个半导体元件与所述目标半导体元件相同或者与所述目标半导体元件是相同类型。
主体偏压发生器以及包括半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202310286579.1在审
发明人：郑一根;金成珍;金想起;慎重垣;禹盛允;全相炫;崔智旻 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板，具有第一表面和第二表面；第一测试焊盘，在基板的第一表面上；第一凸块焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第一测试焊盘间隔开；第二凸块焊盘，在基板的第一表面上并与第一凸块焊盘间隔开；第二测试焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第二凸块焊盘间隔开；第一布线层，在第一方向上延伸并将第一测试焊盘电连接到第一凸块焊盘；第二布线层，在第一方向上延伸，与第一布线层间隔开，并将第二测试焊盘电连接到第二凸块焊盘；以及第一凸块，连接到第一凸块焊盘和第二凸块焊盘中的每个。
半导体器件

[发明专利]制造集成电路器件的方法-CN202310279606.2在审
发明人：徐旻揆;金亮阧;金容焕;朴相郁;李建烨;李到瑾;洪定杓 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种制造集成电路器件的方法包括：在基板上形成具有依次堆叠的模制层和支撑层的模制结构；形成在垂直方向上穿过模制结构的垂直孔以及在第一垂直高度区域中在水平方向上从垂直孔向外延伸的弯曲空间；将垂直孔和弯曲空间暴露于预处理气氛，以使支撑层具有第一表面状态并且模制层具有不同于第一表面状态的第二表面状态；利用第一表面状态和第二表面状态之间的差异，通过选择性沉积工艺形成填充弯曲空间的弯曲互补图案；以及在垂直孔中形成与模制层、支撑层和弯曲互补图案接触的下电极。
制造集成电路器件方法

[发明专利]半导体器件-CN202310262352.3在审
发明人：朴星一;朴宰贤 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的半导体主体。半导体主体包括：第一阱区，具有第一导电类型；第二阱区和第三阱区，在第一方向上通过第一阱区彼此间隔开并且具有第二导电类型，第一阱区介于第二阱区和第三阱区之间；第一掺杂区，在第一阱区中沿与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开；第二掺杂区，与第二阱区相邻并且具有第二导电类型；以及第三掺杂区，与第三阱区相邻并且具有第二导电类型。半导体主体的第二表面包括第一阱区、第二阱区、第三阱区、多个第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区的底表面。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202310219838.9在审
发明人：朴桐湜;申树浩;白哲昊 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：公开了半导体器件。所述半导体器件可包括：基底，包括单元阵列区域；数据存储结构，设置在基底的单元阵列区域上，数据存储结构包括底部电极、在底部电极上的顶部电极、以及在底部电极与顶部电极之间的介电层；阻挡层，设置在顶部电极的顶表面上；下部层间绝缘层，设置在阻挡层上；以及下部接触件，穿透下部层间绝缘层并电连接到顶部电极。下部接触件的侧表面的至少一部分接触阻挡层。
半导体器件

[发明专利]制造薄膜结构的方法-CN202310167932.4在审
发明人：金文子;刘址范;南基捧;呂振浩;丁昶荣;胡启诚 -专利权人： 三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：一种制造薄膜结构的方法，包括：在临时衬底上形成金属层；在金属层上形成隔膜；通过将临时衬底与金属层分离来暴露金属层的底表面；以及通过蚀刻金属层的暴露的底表面来暴露隔膜的底表面。
制造薄膜结构方法

[发明专利]无线通信系统中的装置及其方法-CN202310141398.X在审
发明人：张飒;孙霏菲;吴敏 -专利权人：北京三星通信技术研究有限公司;三星电子株式会社
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H04W72/23 文献下载
摘要：提供了一种无线通信系统中的装置及其方法。该方法包括确定终端和/或基站的模式；以及基于所确定的模式，执行发送上行信道、接收下行信道、不发送上行信道、或不接收下行信道中的至少一种。本发明能够在节省网络设备的能耗的同时保证网络性能。
无线通信系统中的装置及其方法

[发明专利]用于数据库扫描加速的系统和方法-CN202310326272.X在审
发明人：安德鲁·张;J·杨;V·爱普特;B·卢 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供了一种方法和存储设备。在存储设备中的扫描内核的输入缓冲器处获得用于扫描操作的数据。输入缓冲器适用于扫描内核的第一模式和第二模式。对来自输入缓冲器的数据执行预处理以生成经预处理的数据。对于第一模式和第二模式执行不同类型的预处理。过滤经预处理的数据以生成过滤结果。将过滤结果从扫描内核提供给存储设备的控制器。
用于数据库扫描加速系统方法

[发明专利]工艺邻近校正方法和用于其的计算装置-CN202310338382.8在审
发明人：李智庸;李洙龙;许洋宇 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：提供了一种工艺邻近校正方法和用于其的计算装置。所述工艺邻近校正方法包括：接收包括第一区域至第m区域的第一布局，其中，所述第一区域至所述第m区域分别包括第一图案至第m图案；以及通过基于所述第一图案至所述第m图案的第一特征至第n特征执行基于机器学习的工艺邻近校正来生成第二布局。在这里，m是等于或大于3的自然数，并且n是大于或等于2的自然数。
工艺邻近校正方法用于计算装置

[发明专利]用于侧链路定位的方法和装置-CN202310341275.0在审
发明人：周昱含;菲利普·琼·马克·米歇尔·萨托里;亚瑟·穆罕默德·穆斯塔法·卡梅尔·福亚德 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H04W64/00 文献下载
摘要：提供了一种系统和方法，其中用户设备(UE)基于锚UE的基本安全消息(BSM)从该锚UE获得定位参考信号(PRS)配置消息。UE基于PRS配置消息从锚UE接收侧链路PRS，并基于接收到的PRS执行定位测量。
用于侧链路定位方法装置

[发明专利]在无线电力传送中提供反馈的设备和方法-CN202310341922.8在审
发明人：金铉秀;文诚佑 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02J50/05 文献下载
摘要：公开了一种从包括具有谐振频率的第二谐振电路的第二设备无线地接收电力的第一设备。该第一设备包括：第一谐振电路，具有谐振频率；第一电容器，在第一节点处连接到第一谐振电路；整流器，被配置为对在第一节点处出现并以谐振频率振荡的交流(AC)电压进行整流；以及控制电路，连接到第一电容器，并被配置为基于要提供给第二设备的反馈信息来确定第一时间段，并在正常输出模式期间，在第一时间段内向第一电容器交替地施加第一电压和高于第一电压的第二电压。
无线电力传送提供反馈设备方法

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