专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种薄膜体声波谐振器的制备方法-CN201710667475.X有效
  • 帅垚;龚朝官;白晓圆;罗文博;吴传贵;张万里 - 电子科技大学
  • 2017-08-07 - 2021-06-01 - H03H3/02
  • 本发明涉及薄膜体声波谐振器技术领域,具体涉及一种薄膜体声波谐振器的制备方法。本发明通过采用聚合物进行晶圆键合,代替传统离子注入剥离法常用的SiO2亲水性键合,被聚合物覆盖的电极能够根据薄膜体声波谐振器的设计需求进行图形化,由于聚合物具有流动性,晶圆键合过程中能够在压强的作用下自平坦化,图形化电极能够嵌套在聚合物中,且不对LiNbO3单晶薄膜的剥离造成任何影响,解决了单晶薄膜键合转移过程中下电极难以图形化的问题。同时,聚合物作为薄膜体声波谐振器的声反射层,解决了空气谐振腔结构强度低、布拉格声反射腔制备难度大的问题,并且器件的制备工艺简单、制备的器件结构强度大。
  • 一种薄膜声波谐振器制备方法
  • [发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN201610494499.5有效
  • 帅垚;李杰;罗文博;吴传贵;张万里;龚朝官;白晓圆;潘忻强 - 电子科技大学
  • 2016-06-29 - 2019-03-05 - H03H3/02
  • 本发明涉及微电子器件领域,具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法,该薄膜体声波谐振器包括Si衬底,于Si衬底上相键合的Si键合层,于Si键合层上设置单晶铌酸锂薄片,所述Si键合层上表面开设空腔,对应设置于空腔内的下电极附着于单晶铌酸锂薄片下表面,于单晶铌酸锂薄片上表面设置上电极,所述上电极与下电极对应设置。本发明谐振器采用单晶铌酸锂薄片作为压电层,能够便捷精确的控制压电层晶格取向,显著提升谐振器的谐振频率和机电耦合系数等性能,同时,利用单晶铌酸锂薄片作为器件支撑结构,有效避免电极支撑带来的性能损害,进一步提升器件性能;并且本发明谐振器结构简单,加工重复性好,能够获得一致性良好的大规模线列和阵列。
  • 一种新型薄膜声波谐振器及其制备方法

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