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[发明专利]一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用-CN202111223023.5有效
发明人：杨勇;刘渊;李昕;龚吴非;郭满满;袁彩雷 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C25B11/061 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料制备和应用领域，具体涉及一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用。该纳米片阵列的制备方法简单，只需要水热反应结合后续磷化处理即可。该钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列包括泡沫镍基底和纳米片，所述纳米片以阵列形式近似垂直生长在泡沫镍基底上，纳米片的横向尺寸为0.5～2μm，厚度为5～20 nm；纳米片具有丰富的介孔，介孔的尺寸为2～5 nm。得益于其独特的二维介孔结构和均匀的钴元素掺杂，这种纳米片阵列在电催化HER、OER和全解水方面均具有优异的性能，优于目前报道的其它Cu3P基纳米材料。
一种掺杂磷化二维纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]一种Mn掺杂CoP纳米线复合Ni(PO3-CN202210834149.4在审
发明人：杨勇;刘渊;尧慎曼;龚吴非;郭满满;俞挺;袁彩雷 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及纳米电催化材料领域，具体涉及一种Mn掺杂CoP纳米线复合Ni(PO3)2纳米团簇异质结阵列及其制备方法和应用。该异质结阵列的制备方法易于推广，只需要简单的化学溶液反应结合一步低温磷化处理即可。该Mn掺杂CoP纳米线复合Ni(PO3)2纳米团簇异质结阵列包括碳纤维布基底和生长在碳纤维布表面的异质结阵列，所述异质结阵列由Mn掺杂的CoP和Ni(PO3)2构成。Mn掺杂CoP以纳米线的形式近似垂直生长在碳纤维布基底上，纳米线的表面均匀包裹着Ni(PO3)2纳米团簇。得益于Mn元素掺杂和独特的磷化钴/磷酸盐异质界面，这种异质结阵列在电催化分解水方面具有优异的性能。
一种 mn 掺杂 cop 纳米复合 ni po base sub