专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]阵列基板的制备方法-CN202010867651.6在审
  • 刘甲定;吴南辉;杨永光;苏文学;齐之刚 - 维信诺科技股份有限公司
  • 2020-08-26 - 2020-11-03 - H01L21/77
  • 本发明揭示了一种阵列基板的制备方法,所述制备方法包括:S1、提供衬底基板;S2、在所述衬底基板一侧的表面上形成有源层;S3、在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层;S4、在上述步骤之后,通过蚀刻工艺在所述开孔区形成凹槽,所述凹槽自上而下贯穿所述功能膜层以及所述有源层,其中,所述凹槽位于所述开孔区内。本发明提供一种阵列基板的制备方法,通过在有源层远离衬底基板的一侧表面上先制备各功能层,再通过蚀刻工艺蚀刻各功能层和有源层形成凹槽,凹槽位于阵列基板的开孔区内,克服了现有的阵列基板制备时,先蚀刻有源层,再制备各功能层,造成开孔区两侧的有源层沟道特性异常的问题。
  • 阵列制备方法
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201410843335.X有效
  • 齐之刚 - 昆山国显光电有限公司
  • 2014-12-30 - 2019-10-25 - H01L29/786
  • 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法,所述薄膜晶体管的制作方法包括:提供一基板,在其上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成第一栅电极层及第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成第一半导体层、源漏极及第二半导体层,其中,所述第二半导体层与所述第一半导体层相叠加,且两者的掺杂类型相反;在上述结构表面形成第二绝缘层以及第二栅电极层;第一栅电极层工作电压为高电位,第二栅电极层为低电位,可以在较低的栅电压下,获得较大的工作电流,同时第一栅电极层与第二栅电极层之间的高低电位可形成电场,增大有效载流子的浓度,从而提高薄膜晶体管的电学性能,并且栅极工作电流的降低,减少了栅绝缘层击穿的可能性。
  • 薄膜晶体管及其制作方法
  • [实用新型]检测系统-CN201620650331.4有效
  • 齐之刚 - 昆山国显光电有限公司
  • 2016-06-27 - 2016-11-09 - H01L21/66
  • 本实用新型提供了一种检测系统,用于对一基板的质量状态进行检测,所述基板通过生产设备加工处理,所述生产设备包括用于处理基板的工作单元,所述检测系统包括控制器以及至少一个检测器,至少一个所述检测器连接所述控制器并设置于所述工作单元的一侧,用于根据所述控制器发送的指令获取所述基板在所述工作单元处理之前的质量状态信息,所述控制器用于读取并显示所述基板的质量状态信息。本实用新型通过至少一个检测器检测基板在工作单元处理之前的质量状态,便于将异常的基板隔离在工艺处理之前,避免了因基板的异常导致的生产设备停机、生产部件损坏等问题。
  • 检测系统

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