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[发明专利]一种抗还原低温烧结C0G陶瓷介质材料及其制备方法和应用-CN202311008607.X在审
发明人：杨魁勇;程华容;张旭;宋蓓蓓;齐世顺 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的陶瓷材料，包括以下质量份的组分：79.80～96.10份SrZrO3，0.63～17.55份Mg2SiO4，2.55～3.60份SrTiO3，0.8～4.1份改性剂和8.00～10.5份烧结助剂；所述改性剂包括MnO2、MgO、Y2O3、Dy2O3、Nd2O3、Sm2O3和Al2O3中的至少四种物质；所述烧结助剂包括Li2CO3、H3BO3、BaCO3、ZnO和SiO2中至少四种物质。以本发明提供的陶瓷材料作为介质材料制备得到的铜电极MLCC具有低损耗、高绝缘电阻特点。
一种还原低温烧结 c0g 陶瓷介质材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于LTCC技术的LC带通滤波器-CN202310013294.0在审
发明人：赵子豪;齐世顺;李亮科;范益飞;程华容 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LTCC技术的LC带通滤波器，涉及微波技术领域，至少包括九层导体层；第一导体层是接地层，第二导体层是电感电路层，第三导体层、第四导体层、第五导体层、第六导体层、第七导体层、第八导体层和第九导体层均是电容电路层，导体层通过金属通孔连接。第三导体层和第九导体层是电容电路的输入层和输出层，且与第四导体层和第八导体层组成谐振器间电耦合；第二导体层和第四导体层到第八导体层组成谐振器。本发明解决了LC带通滤波器空间占用面积较大的技术问题，减小了LC带通滤波器的体积。
一种基于 ltcc 技术 lc 带通滤波器

[发明专利]一种高介电、高耐压的SrTiO3-CN202210548173.1有效
发明人：洪涛;黄容;潘翔;李成宇;齐世顺 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法，所述绝缘骨架为Sr3Ti2O7，通过调节SrTiO3与Sr(NO3)2的摩尔比，采用液相包覆法制备Sr3Ti2O7包覆SrTiO3复合粉体，然后将复合粉体陶瓷半导化，得到不同介电常数和电阻值的介电陶瓷材料。该高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法通过包覆调节绝缘骨架的厚度可以调节SrTiO3介电常数和绝缘电阻率。
一种高介电耐压 srtio base sub

[实用新型]一种带通滤波器-CN202320021189.7有效
发明人：赵子豪;齐世顺;范益飞;李亮科;程华容 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带通滤波器，涉及微波技术领域，所述带通滤波器，包括：由上到下依次层叠设置、且采用低温共烧陶瓷工艺制成的第一屏蔽层、谐振耦合层和第二屏蔽层；谐振耦合层，包括：第一耦合线、第二耦合线、四个由左向右依次排布的谐振器和三个耦合器；每相邻两个谐振器之间布设一个耦合器；第一耦合线位于最左端和最右端的谐振器的上方；第二耦合线位于中间两个谐振器的下方；谐振器和耦合器均与接地端口连接；最左端的谐振器与输入端口连接；最右端的谐振器与输出端口连接；第一屏蔽层和第二屏蔽层均与接地端口连接。本实用新型能使得通带相对带宽小于10％，并且提升通带性能和阻带抑制性能。
一种带通滤波器

[实用新型]一种基于LTCC技术的LC带通滤波器-CN202320021425.5有效
发明人：赵子豪;齐世顺;李亮科;范益飞;程华容 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于LTCC技术的LC带通滤波器，涉及微波技术领域，至少包括九层导体层；第一导体层是接地层，第二导体层是电感电路层，第三导体层、第四导体层、第五导体层、第六导体层、第七导体层、第八导体层和第九导体层均是电容电路层，导体层通过金属通孔连接。第三导体层和第九导体层是电容电路的输入层和输出层，且与第四导体层和第八导体层组成谐振器间电耦合；第二导体层和第四导体层到第八导体层组成谐振器。本实用新型解决了LC带通滤波器空间占用面积较大的技术问题，减小了LC带通滤波器的体积。
一种基于 ltcc 技术 lc 带通滤波器

[发明专利]一种中介电常数低温共烧陶瓷材料和制备方法-CN201910372110.3有效
发明人： 齐世顺;程华容;宋蓓蓓;杨魁勇;孙淑英 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电常数低温共烧陶瓷材料和制备方法，其中，陶瓷材料包括：50～70质量份的Ba‑Ti化合物、0～5质量份的粉末A、30～45质量份的粉末B、2～15质量份的粉末C和0～2质量份的粉末D；其中，Ba‑Ti化合物包括BaCO3和TiO2，粉末A为BaZn2Ti4O11，粉末B包括Ba(OH)2、H3BO3、ZnO和La2O3，粉末C的组分为SrTiO3、TiO2和CaTiO3中的一种或多种，粉末D为MnO2、Co2O3和Cr2O3中的一种或多种。通过本发明的技术方案，获得了较为优异的陶瓷微波特性，制备工艺简单，适合大规模生产，而且与微波基体材料匹配性良好，有效降低了材料的烧结温度。
一种介电常数低温陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种带通滤波器-CN202310013188.2在审
发明人：赵子豪;齐世顺;范益飞;李亮科;程华容 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种带通滤波器，涉及微波技术领域，所述带通滤波器，包括：由上到下依次层叠设置、且采用低温共烧陶瓷工艺制成的第一屏蔽层、谐振耦合层和第二屏蔽层；谐振耦合层，包括：第一耦合线、第二耦合线、四个由左向右依次排布的谐振器和三个耦合器；每相邻两个谐振器之间布设一个耦合器；第一耦合线位于最左端和最右端的谐振器的上方；第二耦合线位于中间两个谐振器的下方；谐振器和耦合器均与接地端口连接；最左端的谐振器与输入端口连接；最右端的谐振器与输出端口连接；第一屏蔽层和第二屏蔽层均与接地端口连接。本发明能使得通带相对带宽小于10％，并且提升通带性能和阻带抑制性能。
一种带通滤波器

[发明专利]一种高绝缘电阻率高介微波陶瓷材料及其制备方法-CN202110934268.2有效
发明人：宋蓓蓓;杨魁勇;张伟鹏;程华容;齐世顺;赵伟利 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本申请涉及先进通讯电子元器件材料的技术领域，具体公开了一种高绝缘电阻率高介微波陶瓷材料及其制备方法。一种高介微波材料，包括主料(1‑x)CaO‑xSrO‑TiO2‑ySiO2，副料Bi2O3‑TiO2、副料La2O3‑TiO2，改性添加剂；其制备方法为：将球磨介质和去离子水加入到主料、副料和改性添加剂中球磨混合均匀，然后经过干燥、过筛，制得微波陶瓷材料。本申请制得的微波陶瓷材料具有晶粒细小，机械强度高的特点，其具有较高的介电常数和较高的绝缘电阻率，在（‑55~150）℃范围的温度系数满足（‑1500±500）ppm/℃，适合制造温度补偿型单层电容器。
一种绝缘电阻率微波陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]一种压力固定式测试夹具-CN202221978979.6有效
发明人：陈喆;齐世顺 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司;北京元陆鸿远电子技术有限公司;元六鸿远（苏州）电子科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压力固定式测试夹具，应用于电子元器件测试领域。包括：底座；微调平台，微调平台固定安装在底座上，微调平台包括可跟随微调平台上下移动的压针支架和固设于压针支架上的压针套筒；测试电路板，测试电路板固定设置在底座上，测试电路板位于压针套筒的下方，测试电路板外接测试产品；压针组件，压针组件的下半部分穿过压针套筒，压针组件的上半部分被放置在压针套筒内。可以根据不同测试产品的要求调节压针组件的位置，控制测试产品与测试电路板的接触的压力大小，减少接触压力对测试结果的影响，获取准确的测试效果。
一种压力固定测试夹具

[发明专利]一种介电陶瓷材料及其制备方法-CN202111341725.3有效
发明人：洪涛;黄容;任柯柯;潘翔;齐世顺;程继贵 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料为核壳结构，所述核壳结构中的核结构材料为SrTiO3，壳结构材料为Sr4Ti3O10。所述制备方法如下，通过SrCO3和TiO2合成为SrTiO3，然后在高温还原气氛下使SrTiO3中的Ti4+部分还原为Ti3+，将还原后的SrTiO3与Sr(NO3)2混合，通过反应在表面形成R‑P相的Sr4Ti3O1o，制备成SrTiO3‑Sr4Ti3O10核壳结构材料。本发明材料价格便宜，制得的电介质的介电常数为10000。本发明制备工艺简单、可操作性强，本发明提供的电介质材料可广泛应用于各类电容器中。
一种陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]热膨胀系数连续可调的低温共烧陶瓷材料和制备方法-CN201910371504.7有效
发明人： 齐世顺;程华容;宋蓓蓓;杨魁勇;孙淑英 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种热膨胀系数连续可调的低温共烧陶瓷材料和制备方法，其中陶瓷材料包括：8～20份Al2O3、15～45份SiO2、10～25份ZrO2、5～30份粉末A和/或5～30份粉末B、2～35份粉末C和/或2～35份粉末D，以及0～2份粉末E；其中，粉末A包括Bi2O3和H3BO3，粉末B包括Bi2O3、H3BO3和ZnO，粉末C包括Mg(OH)2和SiO2，粉末D包括CaCO3、Mg(OH)2和SiO2，粉末E为Co2O3、MnO2和Cr2O3中的一种或多种。通过本发明的技术方案，制备的低温共烧陶瓷材料的热膨胀系数在3.5～12ppm/℃范围内连续可调，可实现与不同材料之间的热匹配，在850℃烧结后表现出优良的微波性能，可应用于多种高频器件领域，且制备工艺简单、制造成本低，有利于工业化生产。
热膨胀系数连续可调低温陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种具备超高温度稳定性的微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202111662478.7有效
发明人： 齐世顺;宋蓓蓓;程华容;杨魁勇;周鸿鹏;闫彤彤;吴爱忠 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种具备超高温度稳定性的微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于微波介质陶瓷材料技术领域。本发明通过采用Mg‑Ba‑Ti‑Si‑Zr系化合物、SrTiO3、CaTiO3、粉末A和粉末B，能够提升材料内部的有序度，提高原子堆积密度，从而进一步提升材料的温度稳定性，保证材料的容量温度系数在近0范围内的波动较小。实验结果表明，本发明提供的微波介质陶瓷材料在‑65℃～150℃范围内容量温度系数达(0±5)ppm/℃，与传统C0G材料‑55℃～125℃范围内容量温度系数(0±30)ppm/℃相比，性能优势极为明显。
一种具备超高温度稳定性微波介质陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]中低温烧结钡-钛系微波介质材料及制备方法-CN201810118878.3有效
发明人：宋蓓蓓;齐世顺;杨魁勇;程华容;吴爱忠;吕鹏 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种中低温烧结钡‑钛系微波介质材料及制备方法，该微波介质材料包括：主料、副料、改性添加剂和烧结助剂；其中，所述主料为TiO2；所述副料为BaTiO3；所述改性添加剂为Al2O3、MnO、SnO2、CoO、Nb2O5和ZrO2中的至少三种。通过本发明的技术方案，实现了一次成品粉制备，且能够在中低温下烧结，烧结后瓷体致密、无杂质和缺陷少，其相对介电常数可调、频率温度特性稳定、品质因数高，且大大节约了生产成本和周期，易于实现工业化生产，可快捷、稳定地实现从材料配方到微波介质材料产品的批量生产转化。
低温烧结微波介质材料制备方法

[发明专利]介电常数可调的宽温域介质陶瓷材料-CN201910337368.X有效
发明人：程华容;杨魁勇;齐世顺;宋蓓蓓 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电常数可调的宽温域介质陶瓷材料，宽温域介质材料由主料、副料、助烧改性剂和改性剂混合、烧结而成；其中，主料为BaTiO3；副料为Bi2O3·nTiO2，其中，n＝1.5～3.5；助烧改性剂ZCBS由ZnO、CaO、B2O3、SiO2组成；改性剂包括Nb2O5、Co2O3和MnCO3；各成分及相对含量为：主料为100份；副料为0.50～2.0份；助烧改性剂为2.5～3.0份；改性剂中Nb2O5为0.05～1.5份，Co2O3为0～0.1份，MnCO3为0～0.1份。通过本发明的技术方案，保证了材料在‑55℃至150℃范围内无明显的相变，从而显示出较稳定的容量温度性能。
介电常数可调宽温域介质陶瓷材料

[发明专利]一种用于中温烧结的锶铋钛基储能介质材料及制备方法-CN201910332237.2有效
发明人：杨魁勇;程华容;齐世顺;宋蓓蓓 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于中温烧结的锶铋钛基储能介质材料及制备方法，包括基料、改性剂和烧结助剂；基料为SrO‑xBi2O3‑(1+3x)TiO2，0.04≤x≤0.11；改性剂包括MnCO3、Mg(OH)2、Co2O3，以及SrZrO3、CeO2和Y2O3中的一种或一种以上；烧结助剂包括H3BO3、ZnO、CaCO3和SiO2中的两种或两种以上。本发明采用固相法制备出SrO‑xBi2O3‑(1+3x)TiO2基料，通过添加改性剂和烧结助剂获得一种具有较高的介电常数、击穿强度和绝缘电阻率，较低的损耗和烧结温度，以及温度系数稳定且可调的储能介质材料。
一种用于烧结锶铋钛基储能介质材料制备方法

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