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[发明专利]半导体存储器装置-CN201811508134.9有效
发明人：孙昌万;申铉守;全哉垠;黄盛炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：多条位线，其沿着与第一方向交叉的第二方向设置在存储器单元上方；以及多条第一布线和多条第二布线，其沿着第二方向交替地设置在位线上方，并且在弯曲成锯齿形的同时在第一方向上延伸。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN201810520811.2有效
发明人：辛在贤;黄盛炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其联接到多条字线；电压生成器，其响应于电压生成控制信号生成编程电压以及第一通过电压和第二通过电压；地址解码器，其响应于地址解码器控制信号将编程电压以及第一通过电压和第二通过电压选择性地施加到所述多条字线；以及控制逻辑，其控制电压生成器和地址解码器执行编程操作。
半导体存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及该存储器装置的操作方法-CN202210392764.4在审
发明人： 黄盛炫;郑载烨;朴世泉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置及该存储器装置的操作方法。该存储器装置包括存储块，在该存储块中多个单元页联接至每条字线。存储器装置还包括外围电路，该外围电路被配置为在被选单元页的验证操作期间，根据执行编程操作的次序来调整向字线当中的被选字线施加验证电压的时间点。存储器装置进一步包括控制逻辑电路，该控制逻辑电路被配置为向外围电路发送用于调整输出验证电压的时间点的操作码。
存储器装置操作方法

[发明专利]存储器装置和存储器装置的操作方法-CN202210974191.6在审
发明人：文映朝;黄盛炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置和存储器装置的操作方法。一种存储器装置可以包括：控制电路，其适用于执行包括编程操作和验证操作的编程循环，编程操作包括对被选字线的编程电压施加操作和对多条位线的位线设置操作，并且验证操作根据预定顺序将(N‑1)个第一验证电压施加到被选字线以针对被选字线中包括的多个存储器单元中的每一个检查N种类型的第一编程状态；以及控制逻辑，其适用于对控制电路进行控制以重复地执行编程循环，直到完成针对被选字线的编程，并且对控制电路进行控制以在第二编程循环中包括的位线设置操作中将N种类型的列电压中的任何一种施加到多条位线中的每一条。
存储器装置操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210534617.6在审
发明人：辛弦燮;郭东勋;黄盛炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置的操作方法包括：向被选字线施加编程电压以对连接到被选字线的被选存储器单元进行编程的编程操作；向被选字线施加第一验证电压并且向未选字线施加第一验证通过电压以验证被选存储器单元的第一编程状态的第一验证操作；以及向被选字线施加比第一验证电压具有更高电平的第二验证电压并且向未选字线施加比第一验证通过电压具有更高电平的第二验证通过电压以验证被选存储器单元的高于第一编程状态的第二编程状态的第二验证操作。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210073508.9在审
发明人： 黄盛炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：第一子块，其包括字线；第二子块，其包括字线；外围电路，其被配置为向第一子块的字线和第二子块的字线施加电压。存储器装置还包括控制逻辑，其被配置为控制外围电路以执行在第一子块中包括的多个存储器单元被擦除并且第二子块中包括的多个存储器单元被编程时将数据存储在第一子块中的部分编程操作。控制逻辑包括编程操作控制器，其用于控制外围电路以在部分编程操作中向第一子块的字线中的被选字线施加验证电压并且然后向第二子块的字线施加具有恒定电平的电压。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置、其操作方法及包括其的存储器系统-CN202210292802.9在审
发明人： 黄盛炫;辛在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及非易失性存储器装置、其操作方法及包括其的存储器系统。一种存储器系统包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储块，每个存储块包括联接到多条字线的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为控制非易失性存储器装置以对多个存储块执行读取操作，其中，读取操作包括：向多条字线提供第一电压电平的第一操作、将多条字线放电到第二电压电平的第二操作、向多条字线提供小于第一电压电平的第三电压电平的第三操作、以及将多条字线放电到第四电压电平的第四操作。
非易失性存储器装置操作方法包括存储器系统

[发明专利]用于高动态范围成像应用的使用色调增益函数的色调管理-CN202210203808.4在审
发明人： 黄盛炫;E·迪雅尔丹;邓忆宁 -专利权人：辉达公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：公开了用于高动态范围成像应用的使用色调增益函数的色调管理。一种用于对图像数据执行有效色调管理的装置、系统和技术。在实施例中，生成与输入图像的一组色调范围相对应的一组对比度增益曲线。随后可通过至少将对应的对比度增益曲线应用于输入图像的色调范围来生成输出图像。
用于动态范围成像应用使用色调增益函数管理

[发明专利]存储装置、其操作方法以及页缓冲器-CN202111203293.X在审
发明人： 黄盛炫;李晋行 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储装置、其操作方法以及页缓冲器。一种具有提高的操作速度的存储装置包括：存储单元；页缓冲器，其通过位线连接到存储单元；以及编程操作控制器，其用于控制页缓冲器的操作。页缓冲器包括：位线电压供应器，其用于向位线提供预充电电压；感测节点电压供应器，其用于向连接到位线的感测节点提供感测节点预充电电压；第一锁存器，其用于存储第一验证数据；感测节点连接器，其用于在存储第一验证数据后解除位线与感测节点之间的连接；以及第二锁存器，其用于在位线与感测节点之间的连接被解除之后存储根据感测节点的电压确定的第二验证数据。
存储装置操作方法以及缓冲器

[发明专利]存储器装置-CN202111164265.1在审
发明人： 黄盛炫;郑载烨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器装置。一种具有提高的操作速度的存储器装置可以包括：存储块，该存储块包括存储器单元；外围电路，该外围电路被配置为执行增加存储器单元的阈值电压中的每一个的编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路执行编程操作。编程操作可以包括多个编程循环，多个编程循环中的每一个可以包括编程电压施加操作和验证操作，并且当在多个编程循环当中的任意一个编程循环中包括的验证操作期间针对多个编程状态当中的次高编程状态的验证通过时，控制逻辑可以控制外围电路在所述任意一个编程循环的下一编程循环中包括的验证操作期间执行针对最高编程状态的验证。
存储器装置

[发明专利]半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法-CN202110926231.5在审
发明人：郑载烨;黄盛炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本文提供了半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。半导体存储器设备可以包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列可以包括多个存储器单元。外围电路可以对多个存储器单元之中的、与选择的字线耦合的选择的存储器单元执行编程操作。控制逻辑可以控制外围电路的编程操作。编程操作可以包括多个编程循环。编程循环中的每个编程循环可以包括编程阶段和验证阶段。验证阶段可以包括一个或多个验证操作。控制逻辑还可以被配置为在编程操作期间，对在多个编程循环中的一个编程循环中包括的验证阶段中由外围电路执行的验证操作的数目进行计数。
半导体存储器设备操作方法

[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN202110913579.0在审
发明人： 黄盛炫;林主恩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G11C11/416 文献下载
摘要：本技术涉及半导体存储器装置及其操作方法。该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储块；外围电路，其被配置为对多个存储块当中的被选存储块执行编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以在编程操作期间的编程电压施加操作和编程验证操作之间执行包括对被选存储块中包括的多个单元串的沟道进行升压的保持加速操作。
半导体存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202110841391.X在审
发明人： 黄盛炫;李晋行 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本文中提供的是能够在一个就绪/忙碌时段中完成模糊‑精细编程操作的存储器设备。该存储器设备可以包括：多个存储器单元，这些存储器单元被配置为形成多个页；外围电路，该外围电路被配置为在多个页中的与被选择的页相邻的页上执行第一编程操作，并且在被选择的页上执行第二编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路：从存储器控制器连续接收与被选择的页相邻的页的最低有效位(LSB)页数据、被选择的页的中间有效位(CSB)页数据和最高有效位(MSB)页数据，将与被选择的页相邻的页的LSB页数据编程到与被选择的页相邻的页，获得先前存储在被选择的页中的、被选择的页的LSB页数据，并且将被选择的页的LSB页数据、CSB页数据以及MSB页数据编程到被选择的页。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202110370649.2在审
发明人： 黄盛炫;李晋行 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本文可以提供存储器装置及其操作方法。存储器装置可以包括：多个存储器单元，多个存储器单元中的每一个以擦除状态或者多个编程状态中的任何一个作为目标状态；外围电路，其被配置为执行包括多个编程循环的编程操作；以及操作控制器，其被配置为控制外围电路以使得：响应于在多个编程循环当中的第x编程循环中包括的验证阶段中的针对多个编程状态当中的第N编程状态的验证通过，在多个编程循环当中的第x+1编程循环中包括的验证阶段中开始针对多个编程状态当中的第N+M编程状态的验证。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202110188583.5在审
发明人： 黄盛炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请公开了存储器装置及其操作方法。本公开涉及一种包括多个存储器单元的存储器装置。该存储器装置还包括外围电路，该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作。该存储器装置另外包括控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路以使得在编程操作期间所述至少一个验证电压根据所述多个编程循环中的编程循环而增加。
存储器装置及其操作方法

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