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[发明专利]太阳能电池单元的制造方法-CN201480007666.8有效
发明人：荻野贵之;言水志信;加藤太司;田坂庄吾;青野亮太;奥凉介;鹿野康行;合田晋二;石川直挥 -专利权人：松下生产工程技术株式会社
申请日： 2014-01-30 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供使硅基板上形成的硼化硅层充分氧化而除去，同时可得到优质的硼硅玻璃层的硼扩散层形成方法。本发明是利用硼扩散工序，在硅基板上形成硼扩散层的硼扩散层形成方法，所述硼扩散工序包括使硼在硅基板上热扩散的第1步骤、和使第1步骤中在硅基板上形成的硼化硅层氧化的第2步骤，在第2步骤中，具有15分钟以上的处于900℃以上且第1步骤的处理温度以下的温度的状态。
扩散形成方法以及太阳能电池单元制造

[发明专利]太阳能电池单元以及其制造方法-CN201380066207.2有效
发明人：合田晋二;鹿野康行;奥凉介;加藤太司;荻野贵之;石川直挥 -专利权人：日本琵维吉咨询株式会社
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：【课题】本发明提供一种与以往相比实现变换效率的高效率化并且在双面光接收型的太阳能电池单元中表面和背面的变换效率为大致相等的那样的太阳能电池单元。【解决方案】提供一种太阳能电池单元，具备：厚度为100μm以上250μm以下的n型的硅基板；形成在作为硅基板的表面的第一光接收面的p型扩散层；形成在作为硅基板的背面的第二光接收面的n型扩散层；形成在p型扩散层上和n型扩散层上的防反射膜；部分地形成在p型扩散层的多个栅极电极和母线电极；以及部分地形成在n型扩散层的多个栅极电极和母线电极，从硅基板侧依次重叠第一电极层和第二电极层这2层来形成第一光接收面所具备的栅极电极，第一光接收面的发电能力为变换效率18.5%以上，在第二光接收面的变换效率为在第一光接收面的变换效率的93%以上。
太阳能电池单元及其制造方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201410594156.7在审
发明人：大石诚士;谷津克也;合田晋二;荻野贵之;加藤太司;今井步;鹿野康行 -专利权人：东京应化工业株式会社;日本琵维吉咨询股份有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池的制造方法，其具有：第1涂布工序，在半导体基板的一面旋转涂布预湿用组合物；第2涂布工序，将包含具有第1杂质元素的扩散剂和溶剂的扩散材料在旋转涂布了所述预湿用组合物的所述一面上旋转涂布，形成所述扩散剂的涂膜；和第1杂质扩散层形成工序，对形成了所述涂膜的所述半导体基板进行热处理，形成使所述扩散剂所具有的杂质元素扩散后的第1杂质扩散层。
太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法-CN201210049118.4在审
发明人： 鹿野康行;杉渕康一;合田晋二;石川直挥 -专利权人：日本琵维吉咨询株式会社
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种可实现充分的转换效率的大型太阳能电池单元及其制造方法。本发明提供的太阳能电池单元，由形成于单晶硅衬底的一个面上的p型扩散层；形成于另一个面上的n型扩散层；在p型扩散层上局部地形成的一个或多个电极；以及在n型扩散层上局部地形成的一个或多个电极构成，其中，在p型扩散层形成有多个高浓度p型扩散区域和位于这些高浓度p型扩散区域间的低浓度p型扩散区域，在n型扩散层形成有多个高浓度n型扩散区域和位于这些高浓度n型扩散区域间的低浓度n型扩散区域，电极邻接所述高浓度p型扩散区域及高浓度n型扩散区域而形成，表面发电能力为转换效率18%以上，形成有n型扩散层的另一个面中的转换效率为形成有p型扩散层的一个面中的转换效率的93%以上。
太阳能电池单元及其制造方法

[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法-CN201110461588.7无效
发明人：合田晋二;鹿野康行;杉渕康一 -专利权人：日本琵维吉咨询株式会社
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供这样的太阳能电池单元及其制造方法：在制造时，不使高浓度扩散区域超过必要地扩大，即使在受光面栅电极的对准沿旋转方向偏移的情况下，也能够精度良好地将受光面栅电极对位于高浓度扩散区域上。本发明提供一种太阳能电池单元，包括：p型半导体基板；在所述半导体基板的受光面侧形成的n型扩散层；以及在所述n型扩散层局部地形成的1个或多个受光面栅电极，其中，在所述n型扩散层，形成有多个高浓度扩散区域和位于这些高浓度扩散区域之间的低浓度扩散区域，所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽，所述受光面栅电极形成于所述高浓度扩散区域，邻接的所述高浓度扩散区域的中心间距离为1.5～3.0mm。
太阳能电池单元及其制造方法