|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 4个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种重金属细小沉淀物吸附装置-CN201910182119.8有效
-
何琴玉;何俊峰;翟旺建;王宝来;魏凯利;南俊民;冯寿廷
-
华南师范大学
-
2019-03-11
-
2021-12-10
-
C02F1/28
- 本发明是一种重金属细小沉淀物吸附装置。包括有两个同样大小的圆柱体、支架、铜片、压紧装置、低温吸附池、高温脱附池，其中两个同样大小的圆柱体由TiO2或SrTiO3制备而成，圆柱体的高度小于圆柱体的直径，圆柱体的一端为平滑端，圆柱体的另一端为做出有纳米孔洞的孔洞端，两个圆柱体对称固定在导电性低的支架上，圆柱体的平滑端与支架相对，平滑端与支架之间夹有铜片，铜片同时连接两个圆柱体，圆柱体、支架、铜片用压紧装置固定，使圆柱体与导电材料为欧姆接触，且其中一个圆柱体的孔洞端放入低温吸附池中；另一个圆柱体的孔洞端放入高温脱附池中。本发明成本低，能耗低，能重复利用，适合用化学共沉淀法去除沉淀物后二次处理细小重金属沉淀物。
- 一种重金属细小沉淀物吸附装置
- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202011643407.8在审
-
魏凯利;黄康荣;宁润涛
-
广州粤芯半导体技术有限公司
-
2020-12-31
-
2021-05-14
-
H01L21/336
- 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层内形成有沟槽，在所述沟槽内形成一设定厚度的第一氧化层；去除部分所述第一氧化层；在所述沟槽的侧壁及所述第一氧化层上形成第二氧化层；在所述沟槽内形成栅极。本发明通过在栅氧工艺前在沟槽内形成第一氧化层，增加沟槽底部的氧化层厚度，以增强沟槽的承压能力，提高半导体器件的击穿电压。进一步的，本发明通过次常压化学气相沉积工艺形成第一氧化层，并通过湿法刻蚀工艺调整所述第一氧化层的厚度，实现沟槽底部氧化层厚度的可调性，可以满足不同半导体器件的耐压需求。
- 半导体器件制造方法
|
