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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法-CN202210854398.X在审
发明人： 高须庆之;中岛史晴 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：半导体装置包括第1导电体(25a)、第2导电体(25b)及第1绝缘体(DP)。第1导电体包括在第1方向上延伸的第1部分(HL)和包括从第1部分的端部在与第1方向交叉的第2方向上延伸的部分的第1焊盘部(PP1‑L)。第2导电体包括在第1方向上延伸的第2部分(HL)、从第2部分的端部在第2方向上延伸的第3部分(VL)及包括从第3部分的端部在第1方向上延伸的部分的第2焊盘部(PP2‑L)。第1绝缘体在第1方向上与第2焊盘部相邻。第1焊盘部包括在第1方向上相互相邻的第1及第2子部分，第1及第2子部分各自包括第1焊盘部的第2方向上的一端部分(BP)和另一端部分(TP)，第1子部分在第2方向上与第2焊盘部相邻，第2子部分在第2方向上与第1绝缘体相邻。第2子部分的沿着第2方向的长度(LH2)比第1子部分的沿着第2方向的长度(LH1)短。
半导体装置存储制造方法

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