专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种正极片与锂离子电池-CN202211717747.X在审
  • 李阳;高茹月;杨昊;魏海涛;谭明胜;何巍;范祎博 - 湖北亿纬动力有限公司
  • 2022-12-29 - 2023-04-28 - H01M4/13
  • 本发明涉及一种正极片和锂离子电池。所述正极片中包括正极活性物质,所述正极活性物质包括磷酸锰铁锂和三元材料;所述三元材料包括三元单晶材料和三元多晶材料;所述磷酸锰铁锂的质量占正极活性物质质量≥50wt%。本发明中通过三元单晶、三元多晶与磷酸锰铁锂按照一定比例混合,其中磷酸锰铁锂占比含量在50wt%以上的正极片,优化了磷酸锰铁锂的放电双平台电压,使得放电电压更平缓,有利于BMS的控制;三元材料的存在既解决了磷酸锰铁锂放电双电压平台问题,又增强了材料的导电性和功率性能。
  • 一种正极锂离子电池
  • [发明专利]一种B掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用-CN202210975348.7在审
  • 高茹月 - 湖北亿纬动力有限公司
  • 2022-08-15 - 2023-03-03 - H01M4/36
  • 本发明提供了一种B掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用,所述制备方法包括:(1)将氧化亚硅基体进行刻蚀,加入硼源混合,得到氧化亚硅前驱体;(2)将所述氧化亚硅前驱体进行烧结,所述烧结的温度不低于700℃,得到B掺杂氧化亚硅负极材料。本发明通过对氧化亚硅基体进行刻蚀,随后掺混硼源并置于高温(≥700℃)下发生歧化反应,利用刻蚀作用以及内源歧化反应的驱动力,促进Si‑O键的断裂,从而在氧化亚硅中的内核二氧化硅呈亚稳态时引入硼掺杂,提高氧化亚硅的本征导电性,从而得到高导电性、高倍率性能和高比容量的B掺杂氧化亚硅负极材料。
  • 一种掺杂氧化负极材料及其制备方法应用

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