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[发明专利]光记录介质和光记录介质的制造方法-CN201310274954.7无效
发明人：太田阳;高川繁树;内山浩 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G11B7/24035 文献下载
摘要：提供了一种光记录介质和光记录介质的制造方法，该光记录介质包括基板；信息记录层，形成在基板上，并具有由包括W和Ru的氧化物所形成的单膜结构；以及光透射层，在信息记录层上形成。
记录介质制造方法

[发明专利]光记录介质、光记录介质的制造方法-CN201080042946.4有效
发明人：井上弘康;菊川隆;三岛康儿;金马庆明;安西穰儿;中野淳;宫肋真奈美;高川繁树 -专利权人： TDK股份有限公司;松下电器产业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：在具有三层以上的信息记录层的光记录介质中，在相邻的信息记录层之间配置的多个中间层的折射率大于在光入射面和距该光入射面最近的信息记录层之间配置的覆盖层的折射率。由此，在具有三层以上的信息记录层的光记录介质中，降低由多面反射光引起的串扰，提高信号品质。
记录介质制造方法

[发明专利]光学记录介质-CN201110212435.9无效
发明人：黑川光太郎;高川繁树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学记录介质，其包含支撑基板和半透射性记录层，该半透射性记录层包括从所述支撑基板开始按以下顺序层叠的以下各层：第一介电层、半透射半反射层、第二介电层、相转变型记录材料层、以及第三介电层。其中半透射半反射层由银构成，并且第一介电层包括含有氧化铌的复合氧化物层。
光学记录介质

[发明专利]光学记录介质-CN201110212432.5无效
发明人：黑川光太郎;高川繁树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学记录介质，其包含支撑基板和半透射性记录层。半透射性记录层包括按如下顺序层叠在支撑基板上的第一介电层、半透射半反射层、第二介电层、相转变型记录材料层和第三介电层。半透射半反射层包含银。第二介电层具有包括下层和上层的叠层结构，下层设置在半透射半反射层侧的界面处，上层设置在下层的相转变型记录材料层侧。下层由氧化铟或氧化铟和氧化锡的复合氧化物构成；上层由氧化钽、氧化镓、氧化锆、或氧化铌构成。
光学记录介质

[发明专利]光记录介质及光记录介质的制造方法-CN200980125376.2有效
发明人：金马庆明;安西穰儿;井上弘康;菊川隆;三岛康儿;中野淳;宫胁真奈美;高川繁树 -专利权人：松下电器产业株式会社;TDK股份有限公司;索尼株式会社
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种可提高伺服信号及再生信号的质量的光记录介质及光记录介质的制造方法。对于光记录介质(40)，当定义光记录介质(40)的表面(40z)与第一信息记录面(40a)之间的厚度为t1、第一信息记录面(40a)与第二信息记录面(40b)之间的厚度为t2、第二信息记录面(40b)与第三信息记录面(40c)之间的厚度为t3、第三信息记录面(40c)与第四信息记录面(40d)之间的厚度为t4时，满足t3-t4≥1μm、t4-t2≥1μm、t2≥10μm及t1-(t2+t3+t4)≥1μm。
记录介质制造方法

[发明专利]光学记录介质及其制造方法以及溅射靶及其制造方法-CN200910137262.1无效
发明人：保田宏一;高川繁树 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学记录介质及其制造方法、溅射靶及其制造方法，其中，该光学记录介质包括具有区分轨道区的特征的基板、设置在基板上的光学记录层以及设置在光学记录层上的透光层。光学记录层具有组分(Sb₂Se₃)_wTe_xO_yPd_z，其中，w、x、y和z中的每个都表示摩尔百分比，并满足10(mol％)≤w≤60(mol％)、0(mol％)＜x≤60(mol％)、30(mol％)≤y≤60(mol％)、10(mol％)≤z≤30(mol％)以及w+x+y+z＝100。通过本发明，提高了光学记录层的记录灵敏度。
光学记录介质及其制造方法以及溅射

[发明专利]光盘制造方法、原盘制造方法和光盘-CN200910134490.3无效
发明人：高桥谦作;中野淳;增原慎;坂本哲洋;高川繁树 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明公开了光盘制造方法、原盘制造方法和光盘，其中，该光盘制造方法包括以下步骤：通过在基板上形成具有记录激光波长的17％以下的厚度的蓄热层并形成无机抗蚀层来制造预曝光原盘；通过执行记录激光照射，对原盘的无机抗蚀层执行具有凹坑和间隙的记录信号图样的曝光；通过在曝光之后执行显影处理来制造具有含凹坑和间隙的凹坑阵列形状的原盘；通过使用具有凹坑阵列形状的原盘来制造被转印凹坑阵列形状的压模；以及制造具有预定层结构的光盘，预定层结构包括被转印压模的凹坑阵列形状并在凹坑阵列形状上形成银或银合金反射膜的记录层。通过本发明，提高了高记录密度光盘的生产率。
光盘制造方法

[发明专利]光盘记录介质、用于该记录介质的再现装置和方法以及记录装置和方法-CN200680010741.1无效
发明人：藤田五郎;下马隆司;中野淳;高川繁树;齐藤公博 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-02-07 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： G11B7/004 文献下载
摘要：通过凹坑和平台的组合将主数据记录在光盘(100)的衬底(101)的一侧上。对反射薄膜(102)和涂覆层(103)分层以覆盖在衬底上形成凹坑和平台的表面。通过以记录功率将激光束照射到反射膜形成的标记来记录副数据。在根据合法光盘(其中在具有标记的部分处的再现信号电平增加)制造的伪造盘中，执行标记记录，从而在具有标记的部分处的再现信号电平降低，并且在具有标记的部分处的再现信号的极性在合法盘与伪造盘之间是不同的。而且，通过再现装置检测光盘上记录的副数据，并且判断所检测的副数据具有用合法极性再现的值，从而判断该盘是合法盘还是伪造盘。
光盘记录介质用于再现装置方法以及

[发明专利]光记录介质-CN200610171919.2无效
发明人：坂本哲洋;下马隆司;高川繁树;中野淳;藤田五郎 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种光记录介质，包括衬底上的至少反射膜和覆盖层；组合凹坑和凸台的主数据被记录在衬底上；在所述反射膜上经过照射激光使一次写入记录成为可能；对于反射膜，通过由照射激光形成的标记记录子数据，用于一次写入记录；对于规定长度的凸台，再现信号电平在形成所述标记的部分上升；为通过物理复制制造的光盘记录介质形成标记，其中利用所述标记，再现电平在形成标记的部分下降；反射膜由Ag－合金膜Ag_100－xX_x (0＜x＜100)组成；而且X是从Ti，W，Ta，V，Mo，Nb和Zr中选出来的。
记录介质

[发明专利]光记录介质的初始化方法-CN03800296.5无效
发明人：黑川光太郎;山崎刚;上田大辅;高川繁树;山本真伸 -专利权人：索尼公司
申请日： 2003-02-07 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： G11B7/0055 文献下载
摘要：本发明提供了一种对有多层光记录层的光记录介质进行初始化的方法，在初始化时，此方法能够减少由于光干涉而引起的初始化的不均匀性但不会损坏光记录层的信息记录/再现信号特性。一个光记录介质的初始化方法，在此，第二光记录层和第一光记录层通过一个中间层按顺序堆叠在衬底上，并进而在第一光记录层上生成一个保护层，在第一光记录层中的记录膜包括一个相变式的记录材料，在记录/再现信息时从保护膜的一侧上发射出记录/再现光。在初始化步骤中，通过将初始化光从保护膜的一侧投射到第一光记录层上来对第一光记录层进行初始化，以便使得能量密度ID1和能量密度ID2能满足ID2/ID1≤0.002，在此，ID1是投射在第一光记录层的光聚焦区中的各个点上的初始化光的入射光在单位面积上的能量密度，ID2是返回光在光聚焦区中的各个点上的单位面积上的能量密度，该返回光是初始化光透过第一光记录层而达到第二光记录层，并在第二光记录层上反射后再回到第一光记录层上的。
记录介质初始化方法

[发明专利]光学记录介质初始化的方法与设备-CN96113368.6无效
发明人：笠见裕;保田宏一;福本敦;高川繁树 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 1996-09-25 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：一种多记录层的光学记录介质，它具有一批待由曝光而初始化的记录层，而在各记录层之间有一透明层。用光同时照射各记录层而使这些记录层同时初始化。
光学记录介质初始化方法设备

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