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[实用新型]一种在线测量PH值的取样器-CN202220095201.4有效
发明人：李欣波;唐志文;杨阳;王申;刘艳龙;邱强;赵帅;王国银;时春涛;骆旭梁;李润;王玮 -专利权人：沈阳中科韦尔腐蚀控制技术有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及石油化工技术领域，公开了一种在线测量PH值的取样器，包括废水箱底盘、高液位开关和超高液位检测开关，所述废水箱底盘的上端固定连接有废水箱圆筒，所述废水箱圆筒的上端固定连接有取样腔座。本实用新型中，取样测量时，取样管路内的上次留存的被测介质由取样入口流入，先经过三通管路流进废水箱圆筒，大浮漂、小浮漂同时上升，后流入的新鲜的被测介质开始经过三通管路流进取样腔本体中心的锥形杯，待锥形杯内进满被测介质后，被测介质溢出锥形杯流入废水箱，工作效率高，清洗PH电极时，清水由清水入口流入，经过喷嘴喷出，致使大浮漂、小浮漂同步上升，检测测量后自动清洗PH电极，延长PH电极的使用寿命。
一种在线测量 ph 取样

[发明专利]一种在线测量PH值的取样器-CN202210042509.7在审
发明人：李欣波;唐志文;杨阳;王申;刘艳龙;邱强;赵帅;王国银;时春涛;骆旭梁;李润;王玮 -专利权人：沈阳中科韦尔腐蚀控制技术有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及石油化工技术领域，公开了一种在线测量PH值的取样器，包括废水箱底盘、高液位开关和超高液位检测开关，所述废水箱底盘的上端固定连接有废水箱圆筒，所述废水箱圆筒的上端固定连接有取样腔座。本发明中，取样测量时，取样管路内的上次留存的被测介质由取样入口流入，先经过三通管路流进废水箱圆筒，大浮漂、小浮漂同时上升，后流入的新鲜的被测介质开始经过三通管路流进取样腔本体中心的锥形杯，待锥形杯内进满被测介质后，被测介质溢出锥形杯流入废水箱，工作效率高，清洗PH电极时，清水由清水入口流入，经过喷嘴喷出，致使大浮漂、小浮漂同步上升，检测测量后自动清洗PH电极，延长PH电极的使用寿命。
一种在线测量 ph 取样

[发明专利]一种液氮致冷低温拉伸试验装置-CN202011629192.4有效
发明人：林天委;任永沟;骆旭梁;陈影;陈亚琴 -专利权人：宁波甬安检测技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01N3/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种液氮致冷低温拉伸试验装置，涉及低温拉伸试验的技术领域，其包括设置于拉伸试验机上且供换热管试样的上、下两端夹持的安装位，安装位上螺纹配合有插入于换热管内的连接头，连接头上设置有供换热管抵触限位的连接件，连接件与换热管焊接固定。本申请具有解决换热管无法超低温拉伸试验，且防止换热管试样形变，提高超低温状态下金属材料力学性能测试数据的准确性的效果。
一种液氮致冷低温拉伸试验装置

[实用新型]一种低温拉伸试验用保温装置-CN202023350421.7有效
发明人：林天委;任永沟;骆旭梁;陈影;陈亚琴 -专利权人：宁波甬安检测技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01N3/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种低温拉伸试验用保温装置，涉及保温的技术领域，其包括设置于箱体远离枢接的一侧的扣座以及锁座，锁座上铰接有掰块，掰块上远离锁座的一侧铰接有连接片，连接片上远离锁座的一侧设置有与扣座连接扣合的锁条；箱体上设置有第一把手，第一把手上设置有用于将掰块抬起以将锁条脱离扣座的第一抬升组件；箱体上还设置有第二把手，第二把手上设置有用于将锁条抬起以脱离扣座的第二抬升组件。本申请具有降低对手部的伤害，提高使用的安全性的效果。
一种低温拉伸试验保温装置

[实用新型]一种低温拉伸试验用保温装置-CN202023351948.1有效
发明人：林天委;任永沟;骆旭梁;陈影;陈亚琴 -专利权人：宁波甬安检测技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种低温拉伸试验用保温装置，涉及保温的技术领域，其包括对称枢接的箱体，箱体上设置有形成保温腔的绝缘保温半管，箱体上还设置有供氮气流通的进气管以及出气管；箱体与绝缘保温半管之间还设置有保温层，保温层上开设有供出气管以及进气管插入的三个插孔；箱体上设置有供保温层安装的安装腔，保温层上靠近箱体的一侧还设置有与箱体固定的固定组件。本申请具有形成稳定超低温均温区和提高保温的效果，且便于对保温层进行更换的效果。
一种低温拉伸试验保温装置

[发明专利]一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法-CN201510474064.X有效
发明人：王宙;骆旭梁;付传起;董桂馥;雍帆 -专利权人：大连大学
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法，该方法为选取多晶硅粉末及磷粉末为原料，石墨片为蒸发源，k9玻璃片为基板，将原料、蒸发源和前处理后的基板放置于真空镀膜机中蒸镀，设定基板与原料间距离为130～150cm，基板温度100～300℃；将蒸镀后所得到的样品放入真空退火炉中在550℃温度下退火2h，用铝标准腐蚀液对所得样品进行表面腐蚀，得到多晶硅薄膜。本发明的多晶硅薄膜平整度高、晶粒尺寸均匀性好、晶化率高可达94.95％，本发明所需原料价格低廉、储量丰富，制备的合金薄膜力学性能好、制备工艺简单，易于工业化生产。
一种高晶化率多晶薄膜制备方法

[发明专利]一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法-CN201510353648.1有效
发明人：王宙;骆旭梁;付传起;董桂馥;雍帆;张庆乐 -专利权人：大连大学
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法，属于功能材料领域。通过将多晶硅粉末与磷粉末按比例混合均匀，压片、真空烧结制得硅靶材，将硅靶材和石英玻璃基片放入真空系统中，采用激光溅射沉积的方法制备出磷掺杂多晶硅薄膜。本发明获得的磷掺杂多晶硅薄膜，其横向应变系数绝对值的最大值可达24.3；横向应变系数的非线性在1‑2.5％之间，比现有的多晶硅薄膜降低了0.5％；采用本发明方法可以使多晶硅薄膜掺杂均匀、平整度高、致密性好且控制晶粒尺寸范围为0.1μm～0.5μm；本发明制备方法简单、成本低、可控性强，为多晶硅薄膜领域拓展了新思路。
一种掺杂多晶薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜及其制备方法-CN201510477028.9在审
发明人：王宙;骆旭梁;董桂馥;付传起;雍帆 -专利权人：大连大学
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，该方法为：选取硅靶材和硼靶材，将硅靶材、硼靶材和处理后的基板放入真空系统中，抽真空至1.0×10^-4Pa，基板温度为600～700℃，基板与靶材间距离为3～5cm；用激光器发射激光，控制频率为1～4Hz，溅射1～3小时；最后将薄膜在800～900℃下退火1～3h，得硼掺杂多晶硅薄膜。本发明的制备方法可以有效控制多晶硅薄膜的厚度以及硼掺杂浓度，工艺简单，重复性好，成本低廉，制得的薄膜致密性好，具有优异的压阻特性和高温稳定性；电阻的温度系数小，应变系数大，为多晶硅压力传感器的发展提供了新思路。
一种高压特性掺杂多晶薄膜及其制备方法

[发明专利]激光脉冲溅射沉积制备多晶硅薄膜的方法-CN201510117521.X在审
发明人：王宙;骆旭梁;董桂馥;付传起;雍帆;张庆乐 -专利权人：大连大学
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： C30B28/12 文献下载
摘要：本发明涉及激光脉冲溅射沉积制备多晶硅薄膜的方法，具体包括以下步骤：将基板进行前处理；将镀膜材料硅靶材与基板放入真空系统中，抽真空至1.0×10^-4Pa，基板温度为500～700℃，基板与硅靶材之间的距离为3～8cm；然后用准分子激光器做为激光源发射激光，频率为2～5HZ，溅射2～4h；最后经过600～1000℃退火2～4h，制备出多晶硅薄膜；所述的基板为铜片或石英玻璃。本发明制备的多晶硅薄膜晶粒细小且大小分布均匀，具有很好的平整性以及致密性，具有更好的晶化程度，并且几乎没有杂质原子，并能在多种基体上制备出晶粒细小，工艺简单，重复性好，成本低，适合工业化生产。
激光脉冲溅射沉积制备多晶薄膜方法

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