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[发明专利]包含可编程逻辑单元矩阵的电路-CN200780049162.2无效
发明人：亚历山大·A·丹尼林;马蒂纳斯·T·贝恩布鲁克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-12-31 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H03K19/173 文献下载
摘要：一种集成电路包括可编程单元(100)的矩阵(10)。可编程单元(100)中的每个特定可编程单元都包括可编程逻辑电路(22)和路由选择多路复用器(25a-25d)组(24)。所述组(24)中的每个路由选择多路复用器(25a-25d)都具有一组输入端，所述一组输入端连接到选自一个分组的连接端，所述分组由可编程逻辑电路(22)的输出端的连接端以及除了可编程单元(100)的特定可编程单元之外的可编程单元(100)的另外一些中的路由选择多路复用器(25a-25d)的输出端所专用的连接端组成。在可编程单元(100)的特定可编程单元的相邻单元(100)中和除了相邻单元(100)以外的单元(100)中，连接到所述组(24)中的路由选择多路复用器(25a-25d)的输入端的可编程单元(100)中的另外一些可编程单元相对于矩阵(10)中的可编程单元(100)的特定可编程单元而被定位。
包含可编程逻辑单元矩阵电路

[发明专利]具有带多相控制输入端的并联功能电路的电路-CN200780045805.6有效
发明人：保罗·维拉格;马蒂纳斯·T·贝恩布鲁克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-12-10 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G11C19/28 文献下载
摘要：一种电路具有多个功能电路(100a-100f)，每个功能电路具有多相控制输入端。控制电路并行驱动每相的输入端。控制电路(120a-120c)包括单触发电路链(120a-120c)，每个单触发电路都包括双稳态电路(121)。在该链中的第一单触发电路的双稳态电路(121)具有耦接到基本控制信号输入端(126)的置位输入端，在该链中其余的单触发电路(120a-120c)的一个或每一个的双稳态电路(121)具有耦接到该链中前一个双稳态电路输出端的置位输入端，每个双稳态电路(121)具有耦接到各自的一个多相控制输出端(14a-14c)的输出端以及耦接到各自的一个多相控制输出端(14a-14c)的复位输入端。功能电路对多相控制输出端(14a-14c)的加载导致复位的延迟。因此调整单触发电路的脉冲持续时间以适应功能电路的数量来确保足够的信号发生。
具有多相控制输入并联功能电路

[发明专利]在基片中制造开口、通孔的方法和含该通孔的半导体器件-CN200780045594.6有效
发明人：菲特·恩古耶恩·霍安;马蒂纳斯·T·贝恩布鲁克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-12-10 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种在基片(5)中制造开口的方法，所述方法包括步骤：在基片(5)的表面上提供掩模层(40)；在掩模层(40)中形成第一开口(10)、第二开口(30)和在第一开口(10)与第二开口(30)之间的沟道(20)，所述沟道(20)连接第一开口(10)和第二开口(30)，所述第二开口(30)的面积(A2)大于第一开口(10)的面积(A1)；通过各向异性的干法蚀刻，在掩模层(40)的掩模下，在基片(5)的第一开口(10)、第二开口(30)和沟道(20)处提供沟槽(11、21、31)；以及密封位于沟道(20)处的沟槽(21)，以便在所述基片(5)中形成开口。本发明的方法能够形成比使用已知方法可能形成的更深的第一开口(10)。本发明还涉及一种在基片(5)中制造通孔的方法，其可以有利地用于三维集成电路中。
片中制造开口方法半导体器件