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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]手镯（H04T3013）-CN202330370405.4有效
发明人： 马泽霖 -专利权人：深圳市瑞美文化有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手镯（H04T3013）。2.本外观设计产品的用途：用于作为手镯使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
手镯 h04t3013

[外观设计]手串（H02T3008）-CN202330370407.3有效
发明人： 马泽霖 -专利权人：深圳市瑞美文化有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手串（H02T3008）。2.本外观设计产品的用途：用于佩戴装饰。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
h02t3008

[外观设计]手串（H02T3009）-CN202330370410.5有效
发明人： 马泽霖 -专利权人：深圳市瑞美文化有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手串（H02T3009）。2.本外观设计产品的用途：用于佩戴装饰。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
h02t3009

[外观设计]手镯（H04T3012）-CN202330370408.8有效
发明人： 马泽霖 -专利权人：深圳市瑞美文化有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手镯（H04T3012）。2.本外观设计产品的用途：用于作为手镯使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
手镯 h04t3012

[发明专利]一种超薄忆阻器及其制备方法-CN202310297202.6在审
发明人：葛军;陈莞君;马泽霖;曹栩诚;刁山青;刘志宇;潘书生 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及神经形态计算芯片技术领域，尤其是涉及一种超薄忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括底电极、阻变层和顶电极，其中，所述底电极的材料为硼重掺杂p型Si，所述阻变层采用SiOx，所述顶电极选用可吸附结合氧的金属材料。本发明采用硼重掺杂p型Si作为底电极，其表面能够在有氧环境中自然形成超薄SiOx层，形成条件简单，降低了制备难度；以可吸附结合氧的金属材料作为顶电极，Sn、Ti、Al金属材料的导电性能优良，而且能够在阻变层SiOx上提供氧存储层；制备得到超薄忆阻器具有优异的数据保持能力、高稳定性、低开关速度，能够成功模拟生物突触STDP学习规则，具有优异的综合性能。
一种超薄忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种高性能硅基忆阻器PUF及其制备方法-CN202310156166.1在审
发明人：葛军;刁山青;马泽霖;林浩;潘书生;张国琴 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于基于PUF的安全技术领域，公开了一种高性能硅基忆阻器PUF，其包括重掺杂P型含硅衬底，所述重掺杂P型含硅衬底的表面具有自氧化形成的天然氧化硅层，所述天然氧化硅层的表面设置有Ag金属层。本发明还公开了该高性能硅基忆阻器的制备方法和生成方法。本发明以重掺P++‑Si衬底上经自然氧化的SiOx为阻变层，同时采用活性金属电极Ag作为器件的顶电极，本发明利用工艺简单、成本低廉的方法制备native‑SiOx忆阻器，利用超薄的native‑SiOx忆阻器RESET后忆阻器中残余Ag团簇不同导致的器件HRS高的随机差异性作为PUF的熵源，有利于PUF的实际应用。
一种性能硅基忆阻器 puf 及其制备方法

[外观设计]手镯（幸福美满）-CN202230743607.4有效
发明人： 马泽霖 -专利权人：特美珠宝智能制造(和平)有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手镯（幸福美满）。2.本外观设计产品的用途：用于佩戴的手镯。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
手镯幸福美满

[外观设计]吊坠（祥云无事牌）-CN202230743621.4有效
发明人： 马泽霖 -专利权人：特美珠宝智能制造(和平)有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：吊坠（祥云无事牌）。2.本外观设计产品的用途：首饰。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.左视图、右视图、俯视图、仰视图已在提交视图中表达，故省略。
吊坠祥云无事

[发明专利]一种隧穿型忆阻器及其制备方法和应用-CN202211115756.1在审
发明人：葛军;马泽霖;陈莞君;曹栩诚;刁山青;林浩;刘志宇;潘书生 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于电子器件领域，公开了一种隧穿型忆阻器及其应用，该隧穿型忆阻器自上至下依次由顶电极、渗流层、隧穿层和底电极组成，其中，所述渗流层为活性金属掺杂的氧化硅层。本发明采用活性金属掺杂的氧化硅层提供的活化能低、迁移速度快、不存在退极化问题的活性金属团簇充当调节隧穿层势垒的媒介，有效解决传统隧穿型忆阻器中氧空位迁移速度慢、容易退极化的问题，在保持了传统隧穿型忆阻器循环稳定性高、连续电导调节能力强的优势外，还赋予了器件开关速度快、数据保持时间长等导电细丝型忆阻器才具备的优点。
一种隧穿型忆阻器及其制备方法应用

[外观设计]首饰套件（囍日繁花）-CN202230411496.7有效
发明人： 马泽霖 -专利权人：周六福珠宝股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：首饰套件（囍日繁花）。2.本外观设计产品的用途：用于佩戴、装饰及收藏。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：套件1立体图。5.套件1为吊坠，套件2为耳饰。
首饰套件繁花

[外观设计]手镯（五福合一）-CN202230267669.2有效
发明人： 马泽霖 -专利权人：特美珠宝智能制造(和平)有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手镯（五福合一）。2.本外观设计产品的用途：手镯。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
手镯合一

[外观设计]手镯（福运连连）-CN202230267646.1有效
发明人： 马泽霖 -专利权人：特美珠宝智能制造(和平)有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手镯（福运连连）。2.本外观设计产品的用途：手镯。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
手镯福运连连

[发明专利]一种硅基底超疏水表面及其制备方法与应用-CN202010159931.1有效
发明人：张成云;陆明慧;马泽霖;王文君;洪志豪 -专利权人：广州大学
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种基底超疏水表面及其制备方法与应用。本发明先采用聚焦的飞秒激光对淹没于水中的基底表面进行处理以形成深亚波长数量级的平行于激光偏振方向的表面周期纳米结构，从而得到大面积均匀分布的超亲水表面，再将超亲水表面干燥后采用聚二甲基硅氧烷进行处理以使其由超亲水转化为超疏水，所得的基底超疏水表面可应用于防水、防雾、减阻、自清洁、微流控、油水分离、雾水收集等领域。本发明所采用的PDMS热处理技术，不仅原料安全无毒，而且操作简单，处理时间短，材料节省，不需专项配套设施，对操作人员的专业要求也不高。
一种基底疏水表面及其制备方法应用

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法和应用-CN202111192931.2在审
发明人：葛军;马泽霖;曹栩诚;陈莞君;刁山青;潘书生 -专利权人：广州大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极，所述底电极为含硅衬底，所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层。本发明中的忆阻器采用天然氧化层作为阻变层，天然氧化层是由空气自然氧化形成，具有厚度薄、与含硅衬底之间几乎完美的接触界面、表面原子级别光滑、无需人工制备、成本低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优势，克服了本领域普遍认为的含硅衬底表面的天然氧化层不利于忆阻器性能的技术偏见。此外，本发明中的忆阻器同时具有优异的数据保持能力、高稳定性、模拟开关特性三种性能。
一种忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种超疏水性铝合金滤网及其制备方法与应用-CN202010133722.X有效
发明人：张成云;马泽霖;陆明慧;王文君;洪志豪 -专利权人：广州大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： B01D17/022 文献下载
摘要：本发明提供了一种超疏水性铝合金滤网及其制备方法与应用。本发明先采用聚焦的飞秒激光在空气中将铝合金背面刻出相互平行的缝以形成缝阵列，再在蔗糖溶液的辅助下通过聚焦的飞秒激光在铝合金正面诱导出密度可控的纳米乳突结构，然后采用聚二甲基硅氧烷处理铝合金正面使其变为超疏水性，制得超疏水性铝合金滤网，不仅解决了铝合金表面易氧化而导致油水分离效果变差的问题，还实现了表面超疏水、水下超亲油的改性目的以及高效油水分离的目的。
一种疏水铝合金滤网及其制备方法应用

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