专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种巴特沃斯型滤波器-CN201210090647.9无效
  • 李泓坤;张海英;雷牡敏 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-03-30 - 2013-10-23 - H03H7/01
  • 本发明公开了一种巴特沃斯型滤波器。该巴特沃斯型滤波器采用了数字可编程Gm单元实现了滤波器Q值和增益的可调谐功能,并采用5位电容阵列实现了滤波器的带宽可调谐,由一个一阶Gm-C低通滤波器、两个Tow-Thomas二阶节Gm-C低通滤波器通过级联法级联组成。本发明的巴特沃斯型滤波器解决了滤波器因工艺偏差所引起的带宽偏移和滤波器Q值变化导致滤波器性能变差的问题,并且可以实现小幅度的增益调节。
  • 一种巴特沃斯型滤波器
  • [发明专利]一种双正交折叠开关上变频器-CN200810116046.4无效
  • 雷牡敏;张海英 - 中国科学院微电子研究所
  • 2008-07-02 - 2010-01-06 - H03D7/14
  • 本发明公开了一种用于多带正交频分复用超宽带收发机射频前端的双正交折叠开关上变频器,该双正交折叠开关上变频器由顺序连接的输入级、开关级、开关偏置电流源和输出级四部分构成。其中输入级由M1至M8、R1至R4及C1至C8构成,将输入电压信号转变为电流信号,通过电容耦合到开关级,并实现宽带阻抗匹配;开关级由M9至M16构成,对电流信号进行周期性换向,完成频率变换功能;开关偏置电流源由M17至M20构成,为开关级提供偏置电流。该双正交折叠开关上变频器中开关级的偏置电流由电流源单独提供,而不是由跨导级决定,既能降低噪声,提供高增益,还利于进行输入宽带匹配。同时由于采用了折叠结构,对电源电压的要求降低,可用于低电源电压设计中。
  • 一种正交折叠开关变频器
  • [发明专利]一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器-CN200910303641.3有效
  • 雷牡敏;张海英 - 中国科学院微电子研究所
  • 2009-06-25 - 2009-12-09 - H03H11/32
  • 本发明涉及一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器,属于射频集成电路设计技术领域。所述平衡不平衡转换器包括:一第一输入级,包括两个NMOS晶体管;一第二输入级,包括两个NMOS晶体管;一个输出级,包括两个NMOS晶体管;一个耦合级,包括两个NMOS晶体管,所述第一输入级和第二输入级分别通过所述耦合级与所述输出级相耦合;一个电流镜,包括四个NMOS晶体管。本发明基于NMOS晶体管的平衡不平衡转换器具有以下两个优点,一是可以与标准CMOS工艺兼容,成本低,功耗低,工作频率高,且易于集成;二是无需无源器件,占用芯片面积小,且对器件参数不敏感,鲁棒性高。
  • 一种基于nmos晶体管平衡不平衡转换器
  • [发明专利]一种基于PMOS晶体管的平衡-不平衡转换器-CN200910303642.8有效
  • 雷牡敏;张海英 - 中国科学院微电子研究所
  • 2009-06-25 - 2009-12-09 - H03H11/32
  • 本发明涉及一种基于PMOS晶体管的平衡-不平衡转换器,属于射频集成电路设计技术领域。所述平衡-不平衡转换器包括:一第一输入级,包括两个PMOS晶体管;一第二输入级,包括两个PMOS晶体管;一个输出级,包括两个PMOS晶体管;一个耦合级,包括两个PMOS晶体管,所述第一输入级和第二输入级分别通过所述耦合级与所述输出级相耦合;一个电流镜,包括四个PMOS晶体管。本发明基于PMOS晶体管的平衡-不平衡转换器具有以下两个优点,一是可以与标准CMOS工艺兼容,成本低,功耗低,工作频率高,且易于集成;二是无需无源器件,占用芯片面积小,且对器件参数不敏感,鲁棒性高。
  • 一种基于pmos晶体管平衡不平衡转换器
  • [发明专利]一种基于NMOS晶体管的90°移相器-CN200910303640.9有效
  • 雷牡敏;张海英 - 中国科学院微电子研究所
  • 2009-06-25 - 2009-12-09 - H03H11/18
  • 本发明涉及一种基于NMOS晶体管的90°移相器,属于射频微波集成电路设计技术领域。所述90°移相器由输入端、被并行驱动的第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器、第一输出端和第二输出端构成;所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻;所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻。本发明基于NMOS晶体管的90°移相器用低成本、低功耗的CMOS工艺,小面积实现宽带90°移相,并具有以下两个优点,一是没有传输损耗,能通过有源元件调整其增益;二是与标准CMOS工艺兼容,成本低,功耗低,集成度高且工作频带宽。
  • 一种基于nmos晶体管90移相器

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