专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]NOR型闪存存储器及其制造方法-CN201410150290.8有效
  • 永井享浩;陈辉煌;陈菁华 - 力晶科技股份有限公司
  • 2014-04-15 - 2019-02-05 - H01L27/11524
  • 本发明公开一种NOR型闪存存储器及其制造方法,其包括设置在基底上的存储单元。存储单元,包括:堆叠栅极结构、辅助栅极、辅助栅极介电层、淡掺杂区、漏极区。堆叠栅极结构设置在基底上。辅助栅极设置在堆叠栅极结构的第一侧的基底上。辅助栅极介电层设置在辅助栅极与基底之间。淡掺杂区设置在辅助栅极下方的基底中,其中通过在辅助栅极施加一电压而在辅助栅极下方的基底中形成反转层以作为源极区。漏极区,设置在堆叠栅极结构的第二侧的基底中,第一侧与第二侧相对。
  • nor闪存存储器及其制造方法

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