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[实用新型]一种高频响薄膜热电极温度传感器-CN201220169880.1有效
发明人：杨丽红;赵源深;陈皓帆;孙骞;孙金祥;周华;徐敏;关超 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高频响薄膜热电极温度传感器，所述的高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，另外还包括镀制于单晶硅基底表面上的SiO2薄膜阻挡层；所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上，且所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上搭接形成一个热结点块；两根温度补偿导线分别用导电银胶与Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极相连。本实用新型的一种高频响薄膜热电极温度传感器灵敏度高，同时避免了Cu和CuNi薄膜热电极在高温测试过程中发生脱落。
一种高频薄膜电极温度传感器

[发明专利]一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法-CN201210117503.8无效
发明人：杨丽红;赵源深;陈皓帆;孙骞;孙金祥;周华;徐敏;关超 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G01K7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法，所述的高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、采用磁控溅射法镀制而成的Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，另外还包括镀制于单晶硅基底表面上的SiO2薄膜阻挡层；所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上，且所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极在SiO2薄膜阻挡层上搭接形成一个热结点块；两根温度补偿导线分别用导电银胶与Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极相连。本发明的一种高频响薄膜热电极温度传感器灵敏度高，同时避免了Cu和CuNi薄膜热电极在高温测试过程中发生脱落。
一种高频薄膜电极温度传感器及其制备方法