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[发明专利]钝化液及其制备方法、应用-CN202310127484.5在审
发明人：高和平;黎立桂;郑辉;陈当家;钟娜 -专利权人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C22/46 文献下载
摘要：本申请涉及一种钝化液，组分包括水溶性树脂、三价铬盐、草酸、反应型表面活性剂、消泡剂以及水；所述水溶性树脂的结构式如下：其中n各自独立地为9～20的整数，x为1～9的整数。利用上述钝化液对铝箔进行钝化后，形成的钝化膜层与内层胶黏剂和聚丙烯膜的匹配性佳，粘接效果好，适用于铝塑膜中铝箔的钝化。
钝化及其制备方法应用

[发明专利]水性膨胀型防火涂料及其制备方法和应用-CN202111603203.6有效
发明人：蔡佳楠;黎立桂;杨思奇;郑辉;高和平;陈当家 -专利权人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C09D161/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种水性膨胀型防火涂料及其制备方法和应用。包括A组分和B组分；所述A组分按重量百分数计包括如下原料：水性树脂20‑40％、成炭剂5‑20％、发泡剂5‑10％、空心玻璃微珠1‑5％、分散剂0‑0.5％、增稠剂0‑0.5％以及水30‑50％；所述B组分按重量百分数计包括如下原料：水性树脂乳液10‑40％、阻燃剂5‑20％、成炭剂5‑10％、石墨烯水浆0‑5％、填料5‑35％、分散剂0‑0.5％、消泡剂0‑0.5％以及水10‑40％；并具体限定A组分与B组分的重量比以及填料的种类。本发明制备的水性膨胀型防火涂料的涂层致密、抗火焰冲击性能显著，同时兼具较好的耐水性、耐腐蚀性。
水性膨胀防火涂料及其制备方法应用

[发明专利]刻蚀液及其制备方法、应用-CN202111368823.6有效
发明人：高和平;黎立桂;陈当家 -专利权人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀液，包含如下重量百分比的组分：磷酸70％～85％、硫酸0.1％～1.5％、四甲基氢氧化铵0.1％～5％、羟基乙叉二膦酸0.5％～6.8％、铵盐0.2％～8％、以及水6％～29.1％。上述刻蚀液能够高选择性地去除氮化硅膜，对氮化硅膜的刻蚀速率高，且在针对存储芯片中由氮化硅膜和二氧化硅膜组成的层叠结构中，能够抑制对二氧化硅膜的刻蚀，刻蚀液的寿命长且能适应存储器层叠结构层数快速增加的制造工艺。与传统的采用单一组分的磷酸水溶液作为刻蚀液相比，上述的刻蚀液对氮化硅膜的刻蚀选择比更大，刻蚀选择性更强。
刻蚀及其制备方法应用

[实用新型]用于芯片蚀刻试验的挂具及装置-CN202222522064.0有效
发明人：高和平;黎立桂;陈当家;周康帝;钟娜 -专利权人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，公开了一种用于芯片蚀刻试验的挂具及装置，包括底板、夹持组件及两挂杆，所述底板的上表面开设有凹槽，所述凹槽内设有一个或多个夹持组件，所述夹持组件包括两间隔设置的用于夹持芯片的定位板，两所述定位板竖直插设于所述凹槽内，所述凹槽的底面开设多个第一通孔及多个第二通孔，所述第一通孔位于同一所述夹持组件的两所述定位板之间，所述第二通孔位于所述夹持组件的外侧；两所述挂杆的下端分别与所述底板滑动连接，且两所述挂杆连接于所述凹槽的外侧，两所述挂杆的顶部均具有挂钩。本实用新型可以控制芯片在蚀刻液中的深度并保持稳定，且能提高蚀刻液在定位板处的流动性。
用于芯片蚀刻试验装置

[发明专利]硅胶溶解剂及其制备方法与应用-CN202211123423.3在审
发明人：高和平;黎立桂;陈当家;周康帝;钟娜 -专利权人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C08J3/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅胶溶解剂及其制备方法与应用。该硅胶溶解剂，按照质量百分比计，组分包括：有机酸10％～40％、有机溶剂47％～80％、缓蚀剂0.2％～3％及稳定剂1％～10％；有机溶剂在标准大气压下的沸点大于100℃。通过组分的合理配比，该硅胶溶解剂的沸点较高、不易挥发、VOC较低，具有较好的耐温性；并且硅胶溶解剂对硅胶的溶解速度较快，适用于溶解半导体器件上的硅胶。
硅胶溶解及其制备方法应用

[发明专利]具有高选择比的氮化硅蚀刻液及其制备方法和应用-CN202210103218.4有效
发明人： 陈当家;黎立桂;高和平 -专利权人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高选择比的氮化硅蚀刻液，包括磷酸、水，以及至少一种在Si原子上连接有R基团的笼型聚倍半硅氧烷，所述R基团选自含N原子、O原子、F原子、P原子、S原子和Cl原子的1个或2个以上的基团；具体地，所述氮化硅蚀刻液按质量百分数，包括60‑95％的磷酸，0.01‑10％的笼型聚倍半硅氧烷，余量为水。该蚀刻液可以从具有较多层数的氧化硅/氮化硅交替叠层结构中选择性蚀刻氮化硅层，而且在保持高蚀刻选择性的同时不增加基片表面的粗糙度，延长蚀刻液的使用寿命。本发明还提供了该具有高选择比的氮化硅蚀刻液的制备方法以及应用，该氮化硅蚀刻液适用于3D NAND存储芯片的制造。
具有选择氮化蚀刻及其制备方法应用

[发明专利]含硅氧烷类化合物的氮化硅蚀刻液及其制备方法和应用-CN202210929915.5有效
发明人： 陈当家;黎立桂;高和平 -专利权人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种含硅氧烷类化合物的氮化硅蚀刻液，包括磷酸、水和硅氧烷类化合物，所述硅氧烷类化合物包括桥联型硅氧烷或梯形聚硅氧烷；具体地，所述氮化硅蚀刻液按质量百分数包括60‑95%的磷酸，0.01‑10%的硅氧烷类化合物，余量为水；或者包括60‑95%的磷酸，0.01‑10%的桥联型硅氧烷，0.005‑2%的氨基三亚甲基膦酸，余量为水。该蚀刻液可以从具有较多层数的氧化硅/氮化硅交替叠层结构中选择性蚀刻氮化硅层，而且在保持高蚀刻选择性的同时不增加基片表面的粗糙度，延长蚀刻液的使用寿命。本发明还提供了该氮化硅蚀刻液的制备方法以及应用，该氮化硅蚀刻液适用于3D NAND存储芯片的制造。
含硅氧烷类化合物氮化蚀刻及其制备方法应用

[发明专利]一种柔性二氧化硅气凝胶基相变复合材料的制备方法-CN201710740613.2有效
发明人：董文钧;薄立杰;王戈;欧影;高鸿毅;李昂;董诚;陈当家 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性二氧化硅气凝胶基相变复合材料的制备方法，可以应用于相变领域。其制备方法是：引入三甲基甲氧基硅烷作为一种新前驱体，通过调节不同硅烷前驱体和溶剂的比例制备柔性二氧化硅气凝胶，然后选择合适的相变芯材，采用真空浸渍法，得到二氧化硅气凝胶基相变复合材料。本发明的优点在于：通过加入三甲基甲氧基硅烷改变了气凝胶内部的交联度，从而使气凝胶具有柔性；加入三甲基甲氧基硅烷使气凝胶孔隙率增加，且孔径大小可调；所制备的柔性二氧化硅气凝胶材料由于其多孔性，可以复合相变芯材制备相变复合材料；所制备的相变复合材料能够有效防止泄露问题，并且具有机械性能好、结构可调性强、负载率高等优势。
一种柔性二氧化硅凝胶相变复合材料制备方法

[发明专利]一种有机改性纳米孔二氧化硅气凝胶及其制备方法-CN201410785438.5有效
发明人：王戈;金召奎;高鸿毅;陈当家;栾奕;彭雄;钱伟 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C01B33/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机改性纳米孔二氧化硅气凝胶及其制备方法，具体步骤包括使用含有氨基的硅氧硅作为起始硅源且仅以乙醇为溶剂，通过含有醛基的有机功能体进行功能复合和化学改性，提高气凝胶网络的强度并得到具有疏水性能的湿凝胶，最后通过常压干燥制备得到力学性能良好的改性纳米孔二氧化硅气凝胶。本发明提供的有机改性纳米孔二氧化硅气凝胶制备方法工艺简单、流程短且采用常压干燥技术，大大降低了气凝胶的制备成本，有利于实现其规模化生产并推进其实际应用。
一种有机改性纳米二氧化硅凝胶及其制备方法

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