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[发明专利]在异质基底上的第III族氮化物缓冲层结构的p型掺杂-CN202010391082.2有效
发明人： S·吕特根;S·穆拉德;A·基特尼斯 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm‑3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。
基底 iii 氮化物缓冲结构掺杂

[发明专利]太阳能电池模块-CN202310779495.1在审
发明人： R·勒肯霍夫 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2017-07-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：太阳能电池模块由多个布置在金属基板的表面上的太阳能电池单元构成，其中，每个太阳能电池单元具有带有上侧和下侧的载体、布置在载体的上侧上的并且构造为太阳能电池的半导体本体和布置在半导体本体上的次级光学元件，其中，每个太阳能电池单元的载体分别覆盖基板的表面的第一区域，并且每个载体的下侧借助能导热的和电绝缘的粘附介质与基板的表面上的第一区域力配合地连接，其中，关于每个载体，所述基板的表面的、在垂直于基板的表面延伸的投影中完全包围该载体的第二区域完全以粘附介质覆盖。
太阳能电池模块

[发明专利]接收器模块-CN201810933824.2有效
发明人： D·富尔曼;T·劳尔曼;G·凯勒 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：一种接收器模块(EM)，其具有光运行的电压源(SP)，该电压源包括具有上侧(OSP1)和下侧(USP1)的第一堆叠(SP1)，该电压源构造在非硅衬底(NSSUB)的上侧上，该电压源具有第二电连接接通部(K2)和第一电连接接通部(K1)，在它们之间存在电压，接收器模块具有带有MOS晶体管结构(MOS1)的第二堆叠(ST2)，该MOS晶体管结构具有控制连接端、漏极连接端和源极连接端，MOS晶体管结构构造成自导通的场效应晶体管，控制连接端与两个连接接通部中的一个连接，漏极连接端与两个连接接通部中的另一个连接，如果所产生的电压下降到低于阈值，则该场效应晶体管使两个连接接通部短接。
接收器模块

[发明专利]具有恰好四个子电池的单片的多结太阳能电池-CN202011019140.5有效
发明人： M·莫伊泽尔 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：具有恰好四个子电池的单片的多结太阳能电池，其中，四个子电池中的每个都具有一个发射极和一个基极，并且最上方的第一子电池具有由具有元素AlInP的化合物制成的层，该层的晶格常数a1在0.572nm至0.577nm之间，并且铟含量处于64％和75％之间，并且Al含量处于18％和32％之间，并且第三子电池具有由至少具有元素GaInAs的化合物制成的层，并且该层的晶格常数处于0.572nm和0.577nm之间，并且该层的铟含量大于17％，第二子电池包括由至少具有元素GaInAsP的化合物制成的层，其中，该层具有22％至33％之间的砷含量和52％至65％之间的铟含量，并且晶格常数a2处于0.572nm和0.577nm之间。
具有恰好个子电池单片太阳能电池

[发明专利]堆叠状的光子III-V族半导体器件-CN202110330343.4有效
发明人： G·施特罗布尔 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：堆叠状的光子III‑V族半导体器件，其具有至少区域性地构造的第二金属连接接通层、第一导电类型的高掺杂的第一半导体接通区域、第一或第二导电类型的非常弱掺杂的吸收区域、至少区域性地构造的第一金属连接接通层，其中，该吸收区域具有20μm至2000μm的层厚度，第一半导体接通区域槽状地延伸到吸收区域中，第二金属连接接通层材料锁合地与第一半导体接通区域连接，并且第一金属连接接通层布置在吸收区域下方。此外，该堆叠状的光子III‑V族半导体器件具有第一或第二导电类型的掺杂的III‑V族半导体钝化层，其中，该III‑V族半导体钝化层以距第一半导体接通区域至少10μm的第一间距布置在吸收区域的上侧上。
堆叠光子 iii 半导体器件

[发明专利]用于分离包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片的分离方法-CN202010881681.2有效
发明人： S·佐默;W·克斯特勒;A·弗雷 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种用于沿着至少一个分离线对包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片进行分离的分离方法，该分离方法至少包括以下步骤：提供半导体晶片，该半导体晶片具有上侧、下侧、与上侧材料锁合地连接的粘合剂层和与粘合剂层材料锁合地连接的盖玻璃层，其中，具有多个太阳能电池堆叠的半导体晶片分别包括构成半导体晶片的下侧的锗衬底层、锗子电池和至少两个III‑V族子电池，沿着分离线借助激光烧蚀产生分离沟道，该分离沟道从半导体晶片的下侧穿过半导体晶片和粘合剂层至少延伸至盖玻璃层的与粘合剂层邻接的下侧，以及沿着分离沟道分开盖玻璃层。
用于分离包括太阳能电池堆叠半导体晶片方法

[发明专利]单片的变质的多结太阳能电池-CN202110783595.2有效
发明人： M·莫伊泽尔;A·贝格;P·施罗特;S·施赖埃尔 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：一种单片的变质的多结太阳能电池，包括：第一III‑V族子电池，第二III‑V族子电池，第三III‑V族子电池，第四Ge子电池，其中，所述子电池以所说明的顺序彼此相继堆叠，所述第一子电池构造最上方的子电池，在所述第三子电池和所述第四子电池之间构造变质缓冲层，所有子电池分别具有n掺杂的发射极层和p掺杂的基极层，在所述第二子电池中，所述发射极层的厚度大于所述基极层的厚度。
单片变质太阳能电池

[发明专利]两阶段的孔蚀刻方法-CN202010861859.7有效
发明人： W·克斯特勒 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种两阶段的孔蚀刻方法，该两阶段孔蚀刻方法至少包括以下步骤：提供包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片，并且以所提及的顺序执行第一工艺部分和第二工艺部分，其中，在第一工艺部分中，在半导体晶片的上侧上施加第一涂料层，在第一涂料层中产生至少一个第一开口，并且借助第一蚀刻工艺在第一开口的区域中产生延伸超过Ge子电池的pn结直到半导体晶片中的孔，在第二工艺部分中，将第二涂料层施加到半导体晶片的上侧上，在第二涂料层中产生相比于第一开口更大并且围绕该孔的第二开口，并且借助第二蚀刻工艺将在第二开口的区域中的孔在如下区域中扩宽：该区域延伸至作为蚀刻停止层的Ge子电池。
阶段蚀刻方法

[发明专利]标记方法-CN202010881683.1有效
发明人： W·克斯特勒;S·佐默;A·弗雷 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种用于将唯一明确的标识施加到半导体晶片的每个单个太阳能电池堆叠上的标记方法，该方法至少包括以下步骤：提供具有上侧和下侧并且包括构造下侧的Ge衬底的半导体晶片，并且借助第一激光进行激光烧蚀来在半导体晶片的每个太阳能电池堆叠的下侧的表面区域上产生具有唯一明确的形貌的标识，其中，该表面区域分别由Ge衬底或由覆盖Ge衬底的隔离层构造。
标记方法

[发明专利]堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池-CN201911281644.1有效
发明人： D·富尔曼;R·范莱斯特;M·莫伊泽尔 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池，其具有：至少一个第一子电池，第一子电池具有第一带隙、第一晶格常数，并且超过50％由锗组成；布置在第一子电池上方的第二子电池，第二子电池具有第二带隙和第二晶格常数；布置在第一子电池和第二子电池之间的变质缓冲部，变质缓冲部包括至少三个层的序列，三个层具有在第二子电池的方向上逐层增大的晶格常数；布置在变质缓冲部和第二子单元之间的第一隧道二极管，第一隧道二极管具有n+层和p+层，其中，第二带隙大于第一带隙，第一隧道二极管的n+层包括InAlP，第一隧道二极管的p+层包括含As的III‑V族材料，在n+层和p+层之间布置有中间层，中间层分别比n+层更薄且比p+层更薄。
堆叠单片变质太阳能电池

[发明专利]堆叠状的多结太阳能电池-CN202010074133.9有效
发明人： M·莫伊泽尔;R·范莱斯特;A·贝格;L·霍斯特 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种堆叠状的多结太阳能电池，其具有：第一子电池和第二子电池，第一子电池具有上侧和下侧，其中，第一子电池构造成最以上的子电池，使得入射光首先照射到第一子电池的上侧，然后通过下侧照射到第二子电池上；第一隧道二极管，其布置在第一子电池的下侧和第二子电池之间；窗口层，其中，窗口层布置在第一子电池的所述上侧上，并且窗口层的带隙大于第一子电池的带隙；彼此间隔开的至少两个金属指，其中，在金属指以下和窗口层以上布置有覆盖层，其中，在覆盖层以下和窗口层以上布置有附加层，并且附加层的厚度小于窗口层的厚度，且附加层的带隙低于窗口层的带隙。
堆叠太阳能电池

[发明专利]用于太阳能电池单元有效部分的接收装置以及用于太阳能电池单元有效部分的制造方法-CN201910307317.2有效
发明人： R·勒肯霍夫 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：用于太阳能电池单元有效部分的接收装置具有承载板、至少一个固定的间距保持件、至少两个彼此隔开间距的校准辅助件和至少两个能运动的间距保持件，承载板具有多个矩阵式布置的用于形状配合地接收太阳能电池单元有效部分的次级光学元件的留空，固定的间距保持件具有带有相对于承载板上侧的固定的间距的止挡面，能运动的间距保持件分别具有用于接收太阳能电池单元有效部分的有效板的支承面，至少两个能运动的间距保持件分别优选地布置在承载板上侧的对置的棱边上并且分别固定在承载板上，使得支承面与承载板上侧的间距能相应地在最小间距Amin和最大间距Amax之间变动，最大间距Amax大于固定的间距A1，最小间距Amin小于固定的间距A1。
用于太阳能电池单元有效部分接收装置以及制造方法

[发明专利]在异质基底上的第III族氮化物缓冲层结构的p型掺杂-CN201710991535.3有效
发明人： S·吕特根;S·穆拉德;A·基特尼斯 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm‑3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。
基底 iii 氮化物缓冲结构掺杂

[发明专利]光接收单元-CN201880028889.0有效
发明人： T·劳尔曼;C·佩珀;W·克斯特勒 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/167 文献下载
摘要：一种光接收单元(EM)，其具有第一能量源(VQ1)，第一能量源具有分别构造为电流源或电压源的两个部分源(TQ1，TQ2)，在第一部分源(TQ1)的上侧上构造有第一连接接通部(VSUP1)，在第二部分源(TQ1)的下侧上构造有第二连接接通部(VSUP2)，部分源(TQ1，TQ2)分别具有至少一个半导体二极管(D1，D2)，第一半导体二极管(D1)具有与第一光波长(L1)相匹配的吸收棱边，第二半导体二极管(D2)具有与第二光波长(L2)相匹配的吸收棱边，第二光波长与第一光波长(L1)不同，从而第一部分源(TQ1)在以第一光波长(L1)进行照射的情况下产生电压，第二部分源(TQ2)在以第二光波长(L2)进行照射的情况下产生电压，第一半导体二极管(D1)与第二半导体二极管(D2)极性相反地串联连接，从而由第一半导体二极管和第二半导体二极管(D1，D2)所产生的电压至少部分地相互抵消。
接收单元

[发明专利]太阳能电池单元的有效部分及其制造方法-CN201780065750.9有效
发明人： R·勒肯霍夫;I·兹林扎克;W·本施 -专利权人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池单元的有效部分(10)，其具有电绝缘的、包含陶瓷的总载体(20)，所述总载体包括多个材料配合地连接的载体部分(30)，其中，所述多个载体部分中的每个载体部分具有由至少四个棱边(30.1，30.2，30.3，30.4)包围的、平坦的上侧(32)，所述上侧具有至少两个印刷导线，至少两个彼此隔开间距的接触面沿着第一棱边布置，并且至少一个构造为太阳能电池的半导体本体(50)布置在至少两个接触面和与第一棱边对置的第二棱边(30.2)之间。在所述多个载体部分(30)中的每个载体部分的至少一个半导体本体上布置次级光学元件(60)，其中，次级光学元件的平坦的下侧(62)借助包含硅酮化合物的聚合物粘接层(80)与半导体本体的接收面力配合地连接，以便将光引导到半导体本体的接收面上。所述多个载体部分中的每个载体部分的第一棱边邻接于一个另外的载体部分的第一棱边，并且总载体在所述载体部分之间具有额定断开线(40)，以便分离所述载体部分。
太阳能电池单元有效部分及其制造方法

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