专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]蒸镀装置以及蒸镀方法-CN201911141003.6有效
  • 末永真吾;山下和吉;滨永教彰 - 长州产业株式会社
  • 2019-11-20 - 2023-09-08 - C23C14/24
  • 本发明提供蒸镀装置以及蒸镀方法,设计成形成膜厚均匀性高且阴影少的蒸镀膜,能够对大型的基板进行良好的蒸镀。本发明的蒸镀装置包括:具有多个喷射喷嘴的蒸镀源,所述多个喷射喷嘴以直线状且等间隔地配置,从喷射口喷射蒸镀材料;基板保持部,与所述多个喷射喷嘴的列平行地保持基板;以及控制板,相对于所述基板垂直地配置,对所述蒸镀材料的蒸镀区域进行控制,所述基板能够一边维持所述基板的平行状态一边相对于所述多个喷射喷嘴的列沿着垂直方向相对移动,在将相邻的所述喷射喷嘴的喷射口间的距离设为P的情况下,从所述移动方向观察时的从各喷射喷嘴相对于所述基板的蒸镀量的分布曲线实质上是底边的长度为2P的相同的等腰三角形。
  • 装置以及方法
  • [发明专利]蒸镀源和蒸镀装置-CN202211278909.4在审
  • 青江一规;政田英昭;末永真吾;滨永教彰 - 长州产业株式会社
  • 2022-10-19 - 2023-06-09 - C23C14/26
  • 本发明提供蒸镀源和具备这种蒸镀源的蒸镀装置,可以抑制蒸镀材料向坩埚的开口部及其周边析出,从而使蒸镀材料稳定扩散。所述蒸镀源是感应加热方式的蒸镀源,其包括:具有开口部的坩埚;以及电线螺旋状缠绕形成的以覆盖上述坩埚的周围的方式配置的线圈,在上述线圈中,覆盖上述坩埚的开口部侧部分的周围的上述电线的间隔,小于覆盖上述坩埚的其他部分的周围的上述电线的间隔。
  • 蒸镀源装置
  • [发明专利]蒸镀装置和蒸镀方法-CN202211278437.2在审
  • 末永真吾;滨永教彰;山下和吉;二宫秀行 - 长州产业株式会社
  • 2022-10-19 - 2023-06-06 - C23C14/24
  • 本发明提供蒸镀装置和采用这种蒸镀装置的蒸镀方法,能够控制蒸镀材料的入射角,形成膜厚均匀性较高的蒸镀膜。所述蒸镀装置包括:一个或多个喷嘴,设有喷射蒸镀材料的喷射口;基板保持部,以使基板的一面与上述一个或多个喷嘴的喷射口相对的方式保持上述基板;以及圆筒状或棱角筒状的控制板,包围上述一个或多个喷嘴的喷射口并相对于上述基板垂直配置以控制喷射的上述蒸镀材料的扩散方向,上述基板保持部使上述基板能以上述基板的法线方向作为旋转轴旋转,上述一个或多个喷嘴与上述控制板构成一体与上述基板能够平行地往返移动。
  • 装置方法
  • [发明专利]对置靶式溅射装置以及溅射方法-CN202111624038.2在审
  • 青江一规;田中文平 - 长州产业株式会社
  • 2021-12-28 - 2022-08-02 - C23C14/35
  • 本发明涉及对置靶式溅射装置以及溅射方法,是能够实现高精度的成膜且易于维护的对置靶式溅射装置以及使用这样的对置靶式溅射装置的溅射方法。所述对置靶式溅射装置具备:真空腔室;靶部,配置于所述真空腔室内,具有对置的至少一对靶;导向部,配置于所述真空腔室内,用于使所述靶部往返移动;可动台,配置于所述真空腔室内,所述靶部以及所述导向部载置于所述可动台;波纹管,用于从所述真空腔室外的电源对所述至少一对靶施加的布线以及用于从所述真空腔室外供给对所述至少一对靶进行冷却的制冷剂的制冷剂管穿过所述波纹管,所述对置靶式溅射装置构成为至少所述靶部能够向所述真空腔室外拉出。
  • 置靶式溅射装置以及方法
  • [发明专利]光伏元件及其制造方法-CN201480016801.5有效
  • 小林英治 - 长州产业株式会社
  • 2014-03-18 - 2017-06-06 - H01L31/0747
  • 本发明提供一种具有足够的填充因数且能控制制造成本的光伏元件及其制造方法。所述光伏元件(10)包括n型结晶半导体基板(11)、在n型结晶半导体基板(11)的一侧层叠的p型非晶质系硅薄膜(13)、以及在n型结晶半导体基板(11)的另一侧层叠的n型非晶质系硅薄膜(15),所述光伏元件(10)具有存在于n型结晶半导体基板(11)和p型非晶质系硅薄膜(13)之间的本征非晶质系硅薄膜(12),n型结晶半导体基板(11)和n型非晶质系硅薄膜(15)直接接合,n型非晶质系硅薄膜(15)侧被用作光入射面。
  • 元件及其制造方法
  • [发明专利]光发电装置-CN201480017109.4有效
  • 小林英治 - 长州产业株式会社
  • 2014-03-14 - 2017-05-24 - H01L31/0747
  • 本发明的目的是提供填充因子高的光发电装置。光发电装置(10)包括多层状的光伏元件(11);以及层叠在光伏元件(11)的一个面上的第一集电构件(12)和层叠在另一个面上的第二集电构件(13),光伏元件(11)包括n型晶体半导体基板(14);依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第一集电构件(12)侧的第一本征非晶系硅薄膜(15)、p型非晶系硅薄膜(16)和第一透明导电膜(17);依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第二集电构件(13)侧的n型非晶系硅薄膜(19)和第二透明导电膜(20),p型非晶系硅薄膜(16)的膜厚小于6nm,第一透明导电膜(17)表面中的第一集电构件(12)的非层叠区域(25)的最大宽度小于2mm。
  • 发电装置
  • [发明专利]光伏元件及其制造方法-CN201480016819.5在审
  • 小林英治 - 长州产业株式会社
  • 2014-03-17 - 2015-12-09 - H01L31/0236
  • 本发明提供一种光伏元件及其制造方法,不使用对人体有害的有机溶剂在硅基板上进行蚀刻并形成棱锥体状凹凸部,且能提高发电效率。所述光伏元件(10)具备:利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板(11)、以及在棱锥体状凹凸部上由化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜(12)~(15),选择蚀刻条件并用以下的公式定义,形成棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm。对角线的平均长度=(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5
  • 元件及其制造方法
  • [发明专利]光发电装置-CN201380056524.6无效
  • 桥本公一;大内正纯;阪本行;村松和郎 - 长州产业株式会社;纳美仕有限公司
  • 2013-11-19 - 2015-11-04 - H01L31/0224
  • 本发明提供一种光发电装置(10),该光发电装置(10)具有:多个光发电元件(11),在其正反面形成有透明导电氧化物层(18、19),利用光照射来产生电力;和设在各该光发电元件(11)的正反面的集电构件,其中,正面侧的所述集电构件包括:在正面侧的所述透明导电氧化物层(18)上通过凹版胶印平行地形成的厚度为5μm以下的指状电极(27);和与该指状电极(27)正交接合的多根金属导线(28),该金属导线(28)在一个方向上进一步延伸并与串联相邻的所述光发电元件(11)的反面侧所设置的所述集电构件接合。
  • 发电装置
  • [发明专利]原料硅破碎装置-CN201180073757.8无效
  • 村井刚;小中敏典 - 长州产业株式会社
  • 2011-09-29 - 2014-10-22 - C01B33/02
  • 本发明提供一种原料硅破碎装置(10),其不会使纯度下降,能够机械性地破碎原料硅,能够抑制微粉化损失。通过由第一壳体(22)、一部分从第一壳体(22)的开口向外方突出了的第一破碎用硅(20)、被夹装在了第一破碎用硅(20)及第一壳体(22)之间的第一防污构件(24)构成第一床身(12),由第二壳体(42)、一部分从第二壳体(42)的开口向外方突出了的第二破碎用硅(41)、对由一对破碎面(16、18)夹着的空间A的两侧面进行覆盖的一对侧硅(44)、被夹装在了第二破碎用硅(41)与第二壳体(42)之间的第二防污构件(48)、和被夹装在了侧硅(44)与侧硅壳体(45)之间的第三防污构件(49)构成第二床身(14),能够解决上述课题。
  • 原料破碎装置

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