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[发明专利]装置诊断装置、半导体制造装置系统以及半导体装置制造系统-CN202280005628.3在审
发明人：松仓圣;釜地义人;玉利南菜子;鹿子岛昭;角屋诚浩 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：进行半导体处理装置(等离子处理装置)的诊断的装置诊断装置通过使用从具有基准腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，作成基准腔室特征量映射数据(D107)。此外，装置诊断装置通过使用从具有修正对象腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，从而作成修正对象腔室特征量映射数据(D112)。装置诊断装置根据在基准腔室特征量映射数据和修正对象腔室特征量映射数据中出现的模式来鉴别不同的腔室间的性能差、或相同腔室的与随时间变化相伴的性能差、或相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差。
装置诊断半导体制造系统以及

[发明专利]诊断装置以及诊断方法、和等离子处理装置以及半导体装置制造系统-CN202180013829.3在审
发明人：梅田祥太;玉置研二;角屋诚浩;釜地义人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：诊断装置使用来自对样品进行等离子处理的等离子处理装置中具备的状态传感器的信息来诊断构成所述等离子处理装置的部件的劣化状态，具备如下要素而构成：执行部，其基于来自状态传感器的信息来运算并求取构成等离子处理装置的部件的劣化度；和分析部，其设定用于基于来自状态传感器的信息在执行部运算并求取劣化度的运算的条件，并且基于在执行部运算并求得的构成等离子处理装置的部件的劣化度的信息来求取等离子处理装置的保养时期，能按每个部件决定强健性高的劣化度运算条件。
诊断装置以及方法等离子处理半导体制造系统

[发明专利]装置诊断装置、装置诊断方法、等离子处理装置以及半导体装置制造系统-CN202080007081.1在审
发明人：梅田祥太;角屋诚浩;釜地义人;玉置研二 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：在等离子处理装置，事前预测会发生的计划外保养的发生，能出于优先的保养成本的观点立刻判断必要的保养作业以及应当将该作业编入哪个时间点的计划保养。具备如下要素而构成装置诊断装置：劣化度估计部，其接收装备于等离子处理装置的传感器的输出，并估计等离子处理装置的劣化度；保养作业发生概率估计部，其基于该劣化度估计部中估计出的劣化度来算出发生未含在最初的保养计划中的计划外的保养作业的概率；实绩保养成本算出部，其算出实绩保养成本；和计划编入时保养成本算出部，其基于保养作业发生概率估计部中估计出的发生计划外的保养作业的概率和实绩保养成本算出部中算出的等离子处理装置的实绩保养成本，来输出编入了计划外的保养作业的修正了最初的保养计划的保养计划修正案。
装置诊断方法等离子处理以及半导体制造系统

[发明专利]等离子处理装置-CN201880011654.0在审
发明人：阿尼尔潘迪;釜地义人;角屋诚浩 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在等离子处理装置中，通过不使真空容器的真空密封部分的结构为复杂的形状地使密封构件的劣化所导致的损伤减低，能不给密封构件的寿命带来影响地进行清洗，由此，等离子处理装置具备：处理室；将该处理室的内部排气成真空的真空排气部；对处理室的内部提供气体的气体提供部；配置于处理室内的内部来载置处理对象的样品的样品台；在该样品台的上方构成处理室的顶板面的窗部；和对处理室的内部提供高频电力的高频电力提供部，在该等离子处理装置中，窗部和处理室在其间夹着弹性体制的密封构件而连接，在用真空排气部将处理室的内部排气成真空的状态下，在夹着密封构件的窗部与处理室的间隔的部分中的从处理室的内壁面到密封构件的距离相对于所述间隔之比成为3以上的位置设置密封构件。
等离子处理装置