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[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法-CN201710334928.7有效
发明人： 金雅馨;万林;胡加辉 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、低温改善层、第一N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；其中，低温改善层为未掺杂的Al_xGa_1‑xN层，0≤x≤1，且低温改善层的生长温度为500～750℃。本发明通过在未掺杂氮化镓层上低温(500～750℃)生长未掺杂的Al_xGa_1‑xN层，0≤x≤1，Al_xGa_1‑xN层的生长温度较低，质量较差，打乱了外延片中晶体的生长方向，从原本单一地沿着晶格的方向变成杂乱无章，进而改变了晶格失配和热失配产生的应力的方向，使得应力得到有效释放，外延片发光波长的均匀性提高。
一种发光二极管外延制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201710520204.1有效
发明人： 金雅馨;万林;胡加辉 -专利权人：华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层和改善层，改善层插入在N型氮化镓层中，改善层包括依次层叠的多个子层，每个子层包括依次层叠的Al_xGa_1‑xN层、SiN层和In_yGa_1‑yN层，0＜x≤1，0＜y≤1。本发明通过在N型氮化镓层中插入Al_xGa_1‑xN层、SiN层和In_yGa_1‑yN层组成的超晶格结构，插入的超晶格结构能够有效抑制蓝宝石衬底与氮化镓材料之间晶格失配产生的缺陷延伸至多量子阱层，降低位错密度，释放应力，改善外延片的晶体质量，提高LED的发光效率。
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法-CN201611039598.0有效
发明人： 金雅馨;万林;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，外延片还包括改善层，改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层，改善层设置在未掺杂GaN层和N型层之间、或者设置在N型层和有源层之间。本发明通过在未掺杂GaN层和N型层之间、或者在N型层和有源层之间设置改善层，改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层，交替层叠的SiN层和GaN层为超晶格结构，可以有效地释放应力，从而减少有源层的缺陷，提高晶体质量，进而改善外延片的性能和可靠性，提高外延片所制造芯片的反向电压。
一种发光二极管外延及其制造方法