专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜循环蒸镀方法、半导体制造方法及半导体元件-CN201480053162.X有效
  • 金海元;金锡允 - 株式会社EUGENE科技
  • 2014-09-23 - 2019-07-12 - H01L21/205
  • 本发明涉及薄膜循环蒸镀方法,根据本发明的一实施例,其包括:氧化膜蒸镀步骤,重复进行在装载有对象物的腔的内部注入硅前驱体而在上述对象物上蒸镀硅的蒸镀步骤、在上述腔的内部去除未反应硅前驱体及反应副产物的第1净化步骤、向上述腔内部供给包含氧的第1反应源而将蒸镀的上述硅形成为包含硅的氧化膜的反应步骤和在上述腔的内部去除未反应的第1反应源和反应副产物的第2净化步骤;及等离子体处理步骤,向上述腔的内部提供由包含氮的第2反应源生成的等离子体来处理上述包含硅的氧化膜,在上述等离子体处理步骤之前,重复3次至50次所述氧化膜蒸镀步骤,重复上述氧化膜层蒸镀步骤及上述等离子体处理步骤。
  • 薄膜循环方法半导体制造元件

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