专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有偏移消除的读出放大器和存储器装置-CN201911156606.3有效
  • 金泳旭;权赫准;韩相根;元福渊 - 三星电子株式会社
  • 2017-10-23 - 2021-06-01 - G11C11/4094
  • 本申请提供一种存储器装置和读出放大器,读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中,第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧,第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间,并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中,可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
  • 具有偏移消除读出放大器存储器装置
  • [发明专利]具有偏移消除的读出放大器和存储器装置-CN201911214606.4有效
  • 金泳旭;权赫准;韩相根;元福渊 - 三星电子株式会社
  • 2017-10-23 - 2021-04-13 - G11C5/02
  • 本申请提供一种存储器装置和读出放大器,读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中,第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧,第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间,并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中,可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
  • 具有偏移消除读出放大器存储器装置
  • [发明专利]具有偏移消除的读出放大器和存储器装置-CN202010048328.6有效
  • 金泳旭;权赫准;韩相根;元福渊 - 三星电子株式会社
  • 2017-10-23 - 2021-03-23 - G11C7/18
  • 本申请提供一种存储器装置和读出放大器,读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中,第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧,第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间,并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中,可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
  • 具有偏移消除读出放大器存储器装置
  • [发明专利]具有偏移消除的读出放大器和存储器装置-CN201710991904.9有效
  • 金泳旭;权赫准;韩相根;元福渊 - 三星电子株式会社
  • 2017-10-23 - 2020-11-24 - G11C7/18
  • 本申请提供一种存储器装置和读出放大器,读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中,第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧,第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间,并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中,可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
  • 具有偏移消除读出放大器存储器装置
  • [发明专利]空调器-CN200510014227.2无效
  • 金泳旭 - 乐金电子(天津)电器有限公司
  • 2005-06-30 - 2007-01-03 - F24F1/00
  • 本发明公开一种空调器,包括有:前面框架;设置在前面框架的后方,并形成有至少一个以上的输出室内空气的输出口的底盘;从前面框架的前面隔有间距的设置的板材,其板材的内部设有装饰板,其装饰板包括有至少粘贴有两个以上的粘贴画面或者照片,并在移动时使画面交替出现的粘贴板,粘贴板在缠绕了一部分的状态下安装。本发明的空调器室内机彻底改变了现有的室内机前面部只具备保护内部部件的功能的概念,在室内机的前面可以设置艺术作品或者家族照片欣赏,并可以根据使用者的喜好自由的更换艺术作品或者照片。由此空调器室内机构成了提高室内气氛的一种装饰家具。特别是具备了各种画面或者照片,因此可以根据用户的喜好选择欣赏。
  • 空调器

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