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- [实用新型]一种硅胶帽生产用冲压机-CN202222931430.8有效
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金承权
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明新特(天津)橡塑制品有限公司
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2022-11-01
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2023-08-29
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B29C43/02
- 本申请涉及冲压机技术领域,尤其是涉及一种硅胶帽生产用冲压机,其包括机体、上模、下模和动力源,上模是整副冲模的上半部,下模是整副冲模的下半部,动力源能够驱动上模向靠近或远离下模的方向运动,还包括减震机构,减震机构设置在上模和下模之间且位于上模和下模的边缘处,减震机构包括导向筒、导向柱、导向套和弹簧,导向筒竖直插入下模,导向筒底端封闭、顶端开口;导向柱竖直设置在上模下方,并与导向筒正对;导向套套设在导向柱外,导向套与导向筒相适配;弹簧套设在导向柱外,弹簧一端与上模相连接、另一端与导向套靠近上模的一端相连接。本申请具有提高硅胶帽的成品率的效果。
- 一种硅胶生产冲压机
- [实用新型]塑料制品用磨砂机-CN202223072004.X有效
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金承权
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明新特(天津)橡塑制品有限公司
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2022-11-21
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2023-06-06
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B24B9/20
- 本申请公开了塑料制品用磨砂机,涉及机械加工技术领域,针对磨砂机在使用时,由于塑料制品会产生的粉末弥漫在机壳内,导致操作员视线模糊,影响去毛刺效率的问题,现提出如下方案,其包括箱体,所述箱体的斜面呈开放设置,所述箱体的开放位置设置有玻璃窗,所述箱体的一侧开设有两个呈对称设置的通孔,所述箱体的顶端固定安装有PLC控制器,所述箱体内安装有打磨机构,所述箱体内固定安装有限位板,所述限位板位于打磨机构的下方,所述箱体的底部安装有抽水泵,所述抽水泵与PLC控制器呈电性连接设置,所述抽水泵的输入端设置有过滤板。本申请结构新颖,不仅具有了对粉尘的湿化收集功能,且具有了照明功能,适宜推广。
- 塑料制品磨砂
- [实用新型]一种用于磨砂机模具的清理装置-CN202223119882.2有效
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金承权
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明新特(天津)橡塑制品有限公司
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2022-11-21
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2023-06-06
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B08B1/04
- 本申请涉及一种用于磨砂机模具的清理装置,涉及粉尘清理装置的领域,其设置于磨砂机开口的一侧,包括防尘罩和收集斗,收集斗顶部和底部均开口,且收集斗顶端与磨砂机底面齐平,收集斗顶部固定设置有滑轨,滑轨上滑动设置有模具,防尘罩罩设于收集斗上方,防尘罩靠近磨砂机的一侧开设有模具出入口,防尘罩内固定设置有夹持组件,夹持组件用于固定模具,防尘罩内还设置有滚刷,滚刷的一端固定设置有驱动电机,滚刷与驱动电机的输出轴固定连接,驱动电机用于驱动滚刷转动,滚刷用于模具的清洁;收集斗底部设置有收集箱,收集箱顶部开口且收集箱与收集斗内部连通。本申请提升了模具残留的磨砂粉的清理效率,并减少了磨砂粉的浪费。
- 一种用于磨砂模具清理装置
- [实用新型]一种硫化机的脱模装置-CN202223021036.7有效
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金承权
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明新特(天津)橡塑制品有限公司
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2022-11-10
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2023-06-06
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B29C37/00
- 本实用新型公开了一种硫化机的脱模装置,属于硫化机技术领域,其包括机体,所述机体上安装有模具组件,所述模具组件包括上模具和下模具,所述机体上设置有用于分离所述上模具和所述下模具的升降组件,还包括滑动组件及喷涂组件,所述喷涂组件包括喷料盒、喷涂管道及雾化出水阀,所述滑动组件与所述喷料盒连接,驱动所述喷料盒在所述上模具和所述下模具之间水平移动,所述喷料盒上下贯通,所述喷涂管道在所述喷料盒内并与其连接,所述雾化出水阀与所述喷涂管道连接,雾化出水阀在上模具和上模具表面均匀喷涂脱模剂,以提高后续快速脱模。
- 一种硫化脱模装置
- [实用新型]一种具有废料收集装置的冲压机-CN202222931429.5有效
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金承权
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明新特(天津)橡塑制品有限公司
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2022-11-01
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2023-06-06
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B21D22/02
- 本申请涉及冲压机技术领域,尤其是涉及一种具有废料收集装置的冲压机,其包括冲压机本体、上模、下模、动力源、推料组件和收集箱,上模是整副冲模的上半部;下模是整副冲模的下半部,下模下方开设有废料通道,下模下方设有工作台,工作台上贯穿开设有出料槽,出料槽与废料通道连通;动力源能够驱动上模向靠近或远离下模的方向运动;推料组件包括固定板、推杆和推板,固定板竖直固接在工作台顶面上并与废料通道正对;推杆一端穿过固定板插入废料通道、另一端裸露在固定板外并设置有限位部;推板竖直滑动连接在废料通道内,推板一侧与推杆插入废料通道的一端固接;收集箱置于地面上,顶部敞口。本申请具有提高废料收集效率的效果。
- 一种具有废料收集装置冲压机
- [发明专利]半导体器件-CN201910396495.7在审
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金承权;益冈有里
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三星电子株式会社
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2019-05-14
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2020-02-21
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H01L27/092
- 提供一种半导体器件,所述半导体器件包括:衬底,所述衬底包括第一区域至第三区域;第一晶体管,所述第一晶体管具有第一导电类型,并且设置在所述衬底的所述第一区域上且包括第一沟道层,其中所述第一沟道层包括第一材料;第二晶体管,所述第二晶体管具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型,并且设置在所述衬底的第二区域上且包括第二沟道层,其中所述第二沟道层包括所述第一材料;以及第三晶体管,所述第三晶体管具有所述第二导电类型,并且设置在所述衬底的所述第三区域上且包括第三沟道层,其中所述第三沟道层包括与所述第一材料不同的第二材料。
- 半导体器件
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