专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法-CN201611071221.3有效
  • 文庆周;卢韶颖;申铉秀;金元炅 - 乐金显示有限公司
  • 2016-11-28 - 2020-10-30 - H01L27/12
  • 薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法。本公开涉及一种在同一基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板以及使用该基板的显示器。本公开提出一种薄膜晶体管基板,包括:第一薄膜晶体管,其被设置为包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极;第一栅极绝缘层,其在多晶半导体层和第一栅极之间;第二薄膜晶体管,其被设置为包括在第一栅极上的氧化物半导体层、在氧化物半导体层上的第二栅极、第二源极和第二漏极;中间绝缘层,其被设置在第一栅极上氧化物半导体层下面;以及第二栅极绝缘层,其在中间绝缘层上第一源极、第一漏极和第二栅极下面。
  • 薄膜晶体管显示器及其制造方法
  • [发明专利]薄膜晶体管基板-CN201610907726.2有效
  • 金元炅;卢韶颖;申铉秀;文庆周 - 乐金显示有限公司
  • 2016-10-19 - 2020-07-31 - H01L27/12
  • 公开了一种薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板包括:第一薄膜晶体管,其包括多晶半导体层、与多晶半导体层交叠的第一栅极、在第一栅极上的氮化物层、在氮化物层上的氧化物层以及在所述氧化物层上的第一源极和第一漏极;以及第二薄膜晶体管,其包括设置在与第一栅极相同的层上的第二栅极、在第二栅极和氮化物层之间的氢收集层、在氧化物层上的氧化物半导体层、与氧化物半导体层的一侧接触的第二源极以及与氧化物半导体层的另一侧接触的第二漏极。
  • 薄膜晶体管

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