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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置、用于制造半导体装置的方法和电子装置-CN202280018772.0在审
发明人： 重岁卓志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：提供了：一种半导体装置，能够以更高的精度和更高的产量制造，而不需要复杂的处理，诸如在其中安装外部连接端子的状态下对过模孔的加工；半导体装置的制造方法；以及具有该半导体装置的电子装置。本发明被配置为包括：第一封装，包括集成电路的裸片；保护膜，设置在裸片的上表面上并且具有比裸片更大的表面积；第一成型材料，覆盖裸片的外周边；多个过模孔，穿透第一成型材料和保护膜并且通过将保护膜的穿透直径减小至小于第一成型材料的穿透直径而形成；种子层，形成在过模孔的上端处并且在过模孔的外围侧表面上；以及外部连接端子，连接至过模孔的下端；以及第二封装，安装在第一封装的保护膜的上表面上并连接至过模孔的上端。
半导体装置用于制造方法电子

[发明专利]半导体装置、成像装置及制造方法-CN202280012703.9在审
发明人： 重岁卓志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本技术涉及半导体装置、成像装置及制造方法，当形成连接至不同深度的布线的过孔时，可以形成使得其中不出现缺陷的过孔。设置有多个过孔，并且由过孔的深度和宽度限定的纵横比在多个过孔之中大致相等。过孔连接至构成芯片的布线层内的布线。多个过孔包括穿透层叠在布线层上的芯片的第一过孔和不穿透芯片的第二过孔。例如，本技术可应用于其中形成固态成像元件的芯片和层叠另一芯片的成像元件。
半导体装置成像制造方法

[发明专利]半导体装置、制造半导体装置的方法和固态摄像元件-CN201780075272.X有效
发明人： 重岁卓志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：为了抑制由于充电损伤导致的晶体管特性的变化，以减少为避免充电损伤所需的设计限制，并提高增加半导体集成度的设计的自由度。半导体装置包括：垂直电极，其形成在垂直孔中，所述垂直孔从开口部分沿基座的厚度方向向待连接部分延伸，且具有阻挡金属膜和导电材料从靠近暴露于垂直孔的绝缘膜的一侧依次堆叠的结构；以及低电阻膜，其被设置为位于除了待连接部分附近之外的阻挡金属膜与第一绝缘膜之间，且具有比绝缘膜的电阻值低的电阻值。
半导体装置制造方法固态摄像元件

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180050673.6在审
发明人： 重岁卓志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：具有一个堆叠在另一个之上的多个半导体芯片的半导体装置，提高了功能性同时降低了制造成本。半导体芯片包括光接收芯片、再布线侧半导体芯片、中间半导体芯片、贯通电极和再布线。光接收芯片接收入射光。在再布线侧半导体芯片的预定的布线表面上形成布线层。中间半导体芯片的一对接合表面中的一个接合表面与光接收芯片接合，并且一对接合表面中的另一个接合表面与再布线侧半导体芯片接合。贯通电极穿过中间半导体芯片的半导体基板。再布线以连接贯通电极和布线层的方式设在布线表面上。
半导体装置制造方法

[发明专利]光接收元件和电子设备-CN202180024144.9在审
发明人：石桥健三;多田贵宣;重岁卓志;山元纯平 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明防止像素边界处的分离区域与布线层之间的绝缘电阻降低。该光接收元件设置有像素、分离区域、布线层和布线层保护膜。设置在光接收元件中的像素包括光电转换单元，该光电转换单元设置在半导体基板上并且对入射光执行光电转换。设置在光接收元件中的分离区域布置在光电转换单元的边界处以分离光电转换单元。设置在光接收元件中的布线层布线至像素。设置在光接收元件中的布线层保护膜布置在分离区域与布线层之间并且保护布线层。
接收元件电子设备

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