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[发明专利]一种陶瓷覆铝衬板的制备方法-CN202110366214.0有效
发明人：王斌;贺贤汉;欧阳鹏;郭建岳;张恩荣 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种陶瓷覆铝衬板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，铝合金金属浆料配置，采用丝网印刷工艺将浆料涂覆在陶瓷基板上，烘干；步骤二，高温浸润性烧结：采用真空或保护气氛进行高温浸润性烧结，在陶瓷基板上形成均匀的铝合金金属化层；步骤三，低温直接钎焊：将制备带铝合金金属化层的陶瓷基板与高纯铝箔进行贴合，直接钎焊焊接。浆料层经高温烧结后，可在陶瓷基板上，形成低熔点、均匀性好、润湿性好、粘结强度高的合金金属化层；直接钎焊属于铝合金金属化层与高纯铝箔的钎焊过程，该过程不会破坏原始铝合金金属化层与陶瓷基板的润湿性。产品良率高，成本较低，适合大量生产。
一种陶瓷覆铝衬板制备方法

[发明专利]一种高可靠性氮化硅覆铜陶瓷基板的铜瓷界面结构及其制备方法-CN202010139272.5有效
发明人：王斌;贺贤汉;郭建岳;张恩荣;马敬伟;孙泉 -专利权人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性氮化硅覆铜陶瓷基板的铜瓷界面结构，自上而下分别为铜，连接层，反应层，氮化硅陶瓷，反应层，连接层和铜；所述反应层是活性金属元素与氮化硅反应形成的活性金属的氮化物，用于实现焊料与氮化硅陶瓷和铜的浸润及连接；所述连接层为连接铜与氮化硅陶瓷的应力缓冲层，所述应力缓冲层为铜与活性金属元素的铜合金层；通过对焊接界面的优化设计及使用不含Ag焊片，可以有效提高焊接层的均匀性，降低铜‑瓷界面之间的残余应力，从而提高铜瓷界面的结合力，同时减少环境污染的风险。
一种可靠性氮化硅覆铜陶瓷界面结构及其制备方法