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[发明专利]单电源低功耗正负电压比较器-CN202311096210.0在审
发明人：杨智健;梁骏;章南;陈余浪;李俊立;赵丹;郭屹粟;王晓虎 -专利权人：杭州国芯科技股份有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明公开了单电源低功耗正负电压比较器。本发明包括八个NMOS管、九个PMOS管、两个选择开关和两个反相器。MOS管形成电流镜电路，三个PMOS和两个NMOS组成跨导放大器、由另三个PMOS和两个NMOS组成另一个跨导放大器。由跨导放大器转换输入的电压为电流，比较两者的电流，判断比较器的输出结果。本发明只需要正的单电源电压和正参考电压，节省了负电源电压与负参考电压的电路。本发明没有电阻，在低功耗需求下不需要大阻值电阻来获得一个合理的移位压差，节省了面积和成本，电流精度不会影响电路的精度。比较测量电压可通过开关切换极性，代替一个正比较器和一个负比较器的组合，节省了一半的电路面积与成本。
电源功耗正负电压比较

[发明专利]电池管理系统电压检测选通电路-CN202311042560.9在审
发明人：梁骏;王晓虎;叶丰;章南;陈余浪;杨智健;李俊立;赵丹;郭屹粟 -专利权人：杭州国芯科技股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了电池管理系统电压检测选通电路，置于电池检测芯片电压采集前端，用于电池单元的选通。本发明包括多个高压开关，每个高压开关的电压输入端连接对应电池单元的正极，使能端连接电池管理系统对应的电压选通使能信号输出端，所有高压开关的输出端连接，作为电路的电压输出端。所有高压开关的电流偏置端连接偏置电阻的一端，所有高压开关的电压偏置端连接偏置电阻的另一端，并连接NMOS管的栅极和漏极。每个高压开关结构相同，包括四个高压PMOS管、两个高压NMOS管、一个低压NMOS管和三个二极管。本发明消除了信号通路上由静态电流在开关内阻上引入的误差，提高了电压采样的精度，以及不同通道间的电压采样一致性。
电池管理系统电压检测通电

[发明专利]应用于ADC的低功耗高瞬态LDO-CN202211108126.1有效
发明人：黄继伟;吴为清;金靖;刘皓宇;郭屹粟 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于ADC的低功耗高瞬态LDO，采用改进型源输入共栅极放大器以解决低静态电流下误差放大器的摆率不足的问题，利用体偏置放大器让功率管更快进入饱和区，以及采用动态偏置提高整体电路的瞬态特性。整体电路分为改进型误差放大器、动态偏置电路、体偏置电路与保护模块四个模块。该结构为低功耗ADC提供稳定的电源电压。该结构消耗nA级静态功耗，满足低功耗的要求。
应用于 adc 功耗瞬态 ldo

[发明专利]应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器-CN202211088040.7在审
发明人：黄继伟;刘皓宇;郭屹粟;金靖 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器，采用双极型晶体管与MOS管作为温感元件，通过Sigma‑Delta ADC将温度前端电路输出的与温度相关的模拟电压量转换为数字输出DOUT。温度前端电路基于MOSFET亚阈值温度特性进行设计，避免了电阻元件的使用，有效降低了电路静态功耗。此外，该TDC采用了动态偏置比较器与互补结构T型开关，进一步提高了能源利用效率。该传感器用于MEMS时钟温度补偿模块，为其提供高精度、高分辨率的温度信息，该结构针对温度传感器功耗进行了优化，其小体积低功耗特性使其适用于MEMS时钟应用。
应用于 mems 时钟功耗温度传感器

[发明专利]CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路-CN202210489385.7在审
发明人：黄继伟;郭屹粟;刘皓宇;金靖;王科平 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提出一种CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路，通过结合MEMS与CMOS实现补偿，满足一定温度范围内对时钟稳定性的要求。采用CMOS电路与MEMS谐振器相结合的方式，感知温度信息从而补偿MEMS谐振器温漂特性，实现一定温度范围内的频率高稳定性。整体电路分为多MEMS谐振器以及CMOS两个模块，其中CMOS模块包含有振荡电路稳定起振、高阶温度补偿以及频率合成等部分。该设计用于MEMS谐振器的高阶温度补偿，消除其一阶、二阶温度相关项并减小其高阶非线性，从而保持输出时钟频率稳定。
cmos 电路 mems 谐振器相结合温度频率补偿