专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种复合式压电陶瓷驱动电路-CN202110129624.3在审
  • 王帅;鲁国林;马壮;吴瀛喆;郭大猛 - 重庆两江卫星移动通信有限公司
  • 2021-01-29 - 2021-06-08 - H02N2/00
  • 本发明公开了一种复合式压电陶瓷驱动电路,包括包括电压信号发生器、一级跟随单元和二级放大单元;所述电压信号发生器输出电压信号给一级跟随单元,所述一级跟随单元对所述电压信号进行低输出失调电压处理和低噪声处理后输出第一电压信号,所述二级放大单元对所述第一电压信号进行功率放大后输出功率驱动信号;其中,采用精度较高的低压运放和输出功率较高的高压运放结合的方式,可保证电路在具备高功率输出能力的同时具有较小的失调电压、较低的噪声,较大的频率带宽,显著提升了精跟踪系统的跟踪精度。
  • 一种复合压电陶瓷驱动电路
  • [发明专利]一种基于MOSFET的过流检测保护电路-CN202011537115.6在审
  • 吴瀛喆;马壮;王帅;郭大猛 - 重庆两江卫星移动通信有限公司
  • 2020-12-23 - 2021-05-18 - H03K17/08
  • 本发明公开了一种基于MOSFET的过流检测保护电路,属于电力电子领域。电路包括检测电路和保护电路,所述检测电路用于对MOSFET晶体管过流的检测,所述保护电路用于MOSFET晶体管的过流保护,所述保护电流包括门极驱动模块和放大电路模块,门极驱动模块接收来自检测电路的检测信号,并触发门极驱动模块的内部逻辑,发生过流现象时关断MOSFET的驱动信号。同时在检测电路中加入外部电阻及检测电容,通过调节检测电容容值和外部电阻阻值可调节过流检测时间,同时本发明可配置外部电阻和检测电容完成对高速开关器件碳化硅MOSFET等MOSFET晶体管的过流检测和保护。
  • 一种基于mosfet检测保护电路

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