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[发明专利]横波激励等离子体阵列发生器-CN202210050908.8有效
发明人：魏巍;郭丰领;杨辉 -专利权人：中国航天空气动力技术研究院
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种横波激励等离子体阵列发生器，包括：等离子阵列控制器以及被控型面，其中，所述等离子阵列控制器具体包括：多个等离子体发生器，所述等离子阵列控制器安装于所述被控型面；所述等离子阵列控制器具体用于：在高频电的激励下，控制所述等离子体发生器产生高频射流，获得空间分布的高频横波，产生控制附面层第二模态的高频激励，促使所述被控型面附面层发生转捩。本发明提高了等离子体流动控制的频域边界。
激励等离子体阵列发生器

[发明专利]一种高频响应矢量喷管-CN201811418634.3有效
发明人： 郭丰领;魏巍;杨辉 -专利权人：中国航天空气动力技术研究院
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： F02K1/28 文献下载
摘要：一种高频响应矢量喷管,包括：双喉道射流推力矢量喷管(1)、等离子体合成射流发生器(6)、直流高压脉冲电源(11)；其中，所述双喉道射流推力矢量喷管(1)包括上游喉道(2)、下游喉道(5)以及二者之间形成的喉道间空腔(4)，射流孔(3)设置在上游喉道前；等离子体合成射流发生器(6)在所述直流高压脉冲电源(11)的激励下，产生高频射流，从所述射流孔(3)注入，使喉道间空腔(4)内流动产生分离，在所述两喉道间空腔(4)内部产生侧向分布不均匀的流场，使所述下游喉道(5)的进气条件不再均匀，从而迫使主喷流发生偏转，获得高频的推力矢量，所述的高频为10Hz‑500Hz。
一种高频响应矢量喷管