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[发明专利]超特高压均压环及其生产工艺-CN201910292905.3有效
发明人：白慧琳;高海涛;郝逢媛;冯焕丽;马占山 -专利权人：平顶山正植科技有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01B17/42 文献下载
摘要：本发明针对现有均压环材料容易造成均压环在超特高压下电位差、失效的问题，提供一种超特高压均压环及其生产工艺，包括呈环状的均压环本体，所述均压环本体由半导体材料制备而成，所述均压环本体外同轴设有铝环，所述均压环本体与铝环之间的环形间隔内均布若干连接杆，且所述连接杆的延伸线过所述均压环本体与铝环的圆心。由于本发明所述半导体材料的使用，所生产的均压环在超特高压下内部存在电场，从根本上避免了电位差问题，而且该均压环在电压发生突变时不易造成器件击穿，显著提高设备整体可靠性能。
高压均压环及其生产工艺

[发明专利]超特高压均压环用半导体材料及均压环生产工艺-CN201910292903.4在审
发明人：白慧琳;高海涛;郝逢媛;冯焕丽;马占山 -专利权人：平顶山正植科技有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C08L61/06 文献下载
摘要：本发明针对现有均压环材料容易造成均压环在超特高压下电越、失效的问题，提供一种超特高压均压环用半导体材料及均压环生产工艺，均压环本体采用如下组分的半导体材料生产而成：以重量百分比计，石墨10‑25%，石墨烯0.01‑0.5%，摩擦材料用酚醛树脂25‑45%，余量为改性SiO₂。由于本发明所述半导体材料的使用，所生产的均压环在超特高压下内部存在电场，从根本上避免了电越问题，而且该均压环在电压发生突变时不易造成器件击穿，显著提高设备整体可靠性能。
均压环半导体材料超特高压生产工艺重量百分比酚醛树脂可靠性能摩擦材料设备整体电场石墨烯石墨改性击穿下电突变生产