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- [发明专利]底发射量子点发光二极管及其制备方法-CN202011621785.6在审
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邓承雨
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TCL科技集团股份有限公司
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2020-12-30
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2022-07-01
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H01L51/50
- 本发明公开一种底发射量子点发光二极管及其制备方法。底发射量子点发光二极管包括依次层叠设置的第一聚合物薄膜、无机化合物薄膜、基底、第二聚合物薄膜、第一电极、量子点发光层和第二电极；第一电极的折射率＞第二聚合物薄膜的折射率＞基底的折射率＞无机化合物薄膜的折射率＞第一聚合物薄膜的折射率＞空气的折射率。本发明通过在基底与第一电极之间引入一层折射率介于基底与第一电极之间的第二聚合物薄膜过渡，可以减少器件发出的光进行漫反射和反射，提高器件的出光率。另外，通过在基底与空气接触的外侧引入一层无机化合物薄膜和第一聚合物薄膜，可以将折射率降低至与空气折射率接近，进一步提高器件的出光率，且避免了出现炫屏的现象。
- 发射量子发光二极管及其制备方法
- [发明专利]顶发射量子点发光二极管及其制备方法-CN202011630855.4在审
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邓承雨
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TCL科技集团股份有限公司
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2020-12-30
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2022-07-01
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H01L51/52
- 本发明公开一种顶发射量子点发光二极管及其制备方法。顶发射量子点发光二极管包括依次层叠设置的第一电极、量子点发光层、第二电极、第一聚合物薄膜、第二聚合物薄膜；其中，第二电极的折射率＞第一聚合物薄膜的折射率＞第二聚合物薄膜的折射率＞空气的折射率，第一电极为反射电极，第二电极为透明或半透明电极。本发明通过在第二电极与空气接触的外侧引入第一聚合物薄膜和第二聚合物薄膜，且沿着第二电极往第二聚合物薄膜的方向，各层的折射率由大到小变化，将折射率逐渐降低至与空气折射率接近，该折射率渐变的多个膜层形成微腔结构，该微腔结构可以将顶发射量子点发光二极管发射出的光有效的增大，提高器件的出光率。
- 发射量子发光二极管及其制备方法
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