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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202180035887.6在审
发明人：邓嘉男;林军;马旭;还亚炜;谭鸿哲;徐雁玲 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够改善晶体管的短沟道效应。该半导体器件包括衬底；衬底上设置有沟道区、源区、漏区；源区和漏区分别位于沟道区的两侧。衬底为Si衬底或者SiGe衬底。衬底在源区和漏区均设置有凹槽。凹槽中设置有第一外延层和第二外延层，第二外延层相对于第一外延层靠近凹槽的槽底。第一外延层和第二外延层均采用P型掺杂的SiGe。第一外延层中Ge的组分比以及P型掺杂元素的浓度为固定值。第二外延层中Ge的组分比以及P型掺杂元素的浓度在沿远离第一外延层的方向上逐渐减小。
半导体器件及其制作方法电子设备

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