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[发明专利]具有增加的量子效率的氮化铟镓发光二极管-CN202280017595.4在审
发明人： 迈克尔•丘吉克;马克斯·巴特雷斯;米歇尔·库里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：形成半导体结构的示例性方法可包括在半导体基板上形成成核层。示例性方法可进一步包括在成核层上形成至少一个含氮化镓(GaN)的区域，及在含GaN的区域上形成含氮化铟镓(InGaN)的层。多孔化区域可形成在含GaN区域及含InGaN层中的至少一者的一部分上，且活性区域可形成在多孔化区域上。在实施方式中，多孔化区域的特征可在于大于或约为20体积％的空隙率。在另外的实施方式中，活性区域可包括比多孔化区域或含GaN区域更大的摩尔百分数(mol％)的铟。在另外的实施方式中，活性区域的特征可在于在大于或约为620nm的波长处的峰值光发射。
具有增加量子效率氮化发光二极管

[发明专利]整合在单一晶片上的三色光源-CN202180068888.0在审
发明人： 迈克尔•丘吉克;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：示例性装置可包括：基板；介电层，在基板上形成；第一光源，经构造为发射通过第一波长表征的第一光；第二光源，经构造为发射通过与第一波长不同的第二波长表征的第二光；和第三光源，经构造为发射通过与第一波长及第二波长不同的第三波长表征的第三光。第一光源可原生地(natively)在基板的第一区域上形成并且在介电层的第一开口内布置。第二光源可原生地在基板的第二区域上形成并且在介电层的第二开口内布置。第三光源可原生地在基板的第三区域上形成并且在介电层的第三开口内布置。
整合单一晶片三色光源