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[发明专利]一种基于非等离子体实现金刚石可控刻蚀的方法-CN202310305156.X在审
发明人：顾书林;黄颖蒙;段晶晶;刘松民;滕妍;杨凯;赵伟康;赵耕右;朱顺明;汤琨;叶建东 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种基于非等离子体实现金刚石可控刻蚀的方法，1)金刚石表面预处理，使用强酸混合液对金刚石衬底进行加热处理，然后依次用丙酮、乙醇和去离子水对金刚石衬底进行超声清洗，去除表面油污和其他杂质，烘干备用；2)金刚石刻蚀前准备，采用带有指定图案的掩模版，通过物理气相沉积法在金刚石衬底表面沉积相应图案的金属薄膜；3)金刚石的刻蚀，将带有镍金属薄膜的金刚石样品放入快速退火炉中，在加热前先通入一段时间的惰性气体和反应气体的混合气，用以排出装置里的空气；在流动的混合气体气氛下加热至指定刻蚀温度；反应完成后停止加热，继续通入混合气体，直至装置冷却至室温。
一种基于等离子体实现金刚石可控刻蚀方法

[发明专利]金刚石氮-空位色心阵列传感器-CN202111373155.6在审
发明人：汤琨;赵耕右;朱顺明;叶建东;顾书林 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了金刚石氮‑空位色心阵列传感器，涉及一种金刚石半导体传感器，包括传感器、金刚石衬底、金刚石外延层、NV色心层、纳米柱阵列结构和纳米柱阵列天线，所述传感器底端具有金刚石衬底，在所述金刚石衬底正面上有一层金刚石外延层，所述金刚石外延层是n型半导体，所述金刚石外延层表面存在采用原位MPCVD生长方式得到NV色心层，所述传感器NV色心层中NV色心的取向得到了择优取向，其中NV色心层具有10nm和50nm之间的厚度，所述金刚石外延层即传感接触层结构为纳米柱阵列结构，述传感接触层纳米柱包括金刚石纳米柱、介质层和金属层，所述介质层淀积在金刚石纳米柱表面，所述金属层淀积在介质层表面。
金刚石空位色心阵列传感器