“赵瑢泰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电容器及其制造方法-CN201210548208.8有效
发明人：朴锺国;赵瑢泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容器及其制造方法。一种制造电容器的方法包括以下步骤在衬底之上形成模具结构，其中模具结构具有多个开口部分，并具有与支撑层层叠的模具层；在开口部分中形成筒型下电极；在包括筒型下电极的结构的整个表面之上形成第一上电极，以填充筒型下电极；限定穿通第一上电极和支撑层的部分的穿通孔洞；经由穿通孔洞去除模具层，并暴露出筒型下电极；形成第二上电极，以填充穿通孔洞和位于筒型下电极之间的空间；以及形成第三上电极，以使第二上电极和第一上电极彼此连接。
电容器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910005180.1无效
发明人： 赵瑢泰;李海朾;金殷美;李京效 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在半导体器件及其制造方法中，在衬底上形成硬掩模层，蚀刻所述硬掩模层和衬底的一部分以形成在侧壁具有突出部分的沟槽，和形成掩埋于沟槽中的绝缘层以形成在侧壁具有突出部分的器件隔离区，其中所述器件隔离区减小有源区一部分的宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200810133371.1无效
发明人：吴相录;朴铉植;赵瑢泰 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-08-11 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成多个包括钨电极的栅极图案，实施等离子体氧化工艺以在栅极图案的表面上形成覆盖层，在形成有覆盖层的衬底上形成蚀刻阻挡层，形成层间电介质层以填充栅极图案之间的间隙，和蚀刻栅极图案之间的层间电介质层以形成接触孔。
制造半导体器件方法

[发明专利]在半导体器件中制造凹陷栅极的方法-CN200810169537.5无效
发明人： 赵瑢泰;金殷美 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种在半导体器件中制造凹陷栅极的方法，所述方法包括：蚀刻硅衬底以形成限定有源区的沟槽；形成填隙沟槽的器件隔离层；在硅衬底上形成硬掩模层，所述硬掩模层包括氧化物层和非晶碳层的堆叠结构，其中硬掩模层暴露有源区的沟道目标区；和通过使用所述硬掩模层作为蚀刻阻挡层来对沟道目标区进行第一蚀刻和第二蚀刻以形成具有双重轮廓的凹陷区域，其中移除非晶碳层之后实施所述第二蚀刻。
半导体器件制造凹陷栅极方法

[发明专利]制造含有凹陷栅极的半导体器件的方法-CN200710149528.5无效
发明人：金锡基;赵瑢泰 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在具有场氧化物层的衬底上形成硬掩模图案；利用所述硬掩模图案蚀刻所述衬底以形成凹陷；在所述凹陷和硬掩模图案上形成第一导电层；平坦化第一导电层；以及在所述平坦化的第一导电层上形成第二导电层。
制造含有凹陷栅极半导体器件方法

[发明专利]具有凹槽栅极的半导体器件的制造方法-CN200710110593.7无效
发明人： 赵瑢泰;金锡基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-06-04 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成硬掩模图案，其中所述硬掩模图案暴露出凹槽区；在暴露的凹槽区上实施第一蚀刻过程，以形成具有侧壁的第一凹槽并且在所述第一凹槽的侧壁上形成钝化层，其中所述钝化层由所述第一蚀刻过程的蚀刻反应物组成；和在所述第一凹槽下方的所述衬底上实施第二蚀刻过程，以形成第二凹槽。
具有凹槽栅极半导体器件制造方法

[发明专利]制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法-CN200710181598.9无效
发明人： 赵瑢泰;金锡基;曹祥薰 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成硬掩模图案，利用硬掩模图案作为蚀刻阻挡物，在所述衬底内形成第一凹陷并在所述第一凹陷的侧壁上形成钝化层，和通过利用钝化层作为蚀刻阻挡物，蚀刻所述第一凹陷的底部以形成第二凹陷，其中第二凹陷的宽度大于第一凹陷的宽度。
制造具有凹陷栅极半导体器件方法

[发明专利]制造含有凹陷栅极的半导体器件的方法-CN200710145289.6无效
发明人： 赵瑢泰;刘载善 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻衬底以形成第一沟槽图案；在第一沟槽图案的侧壁上形成隔离物；利用该隔离物作为阻挡层蚀刻第一沟槽图案的底部，以形成第二沟槽图案；在第二沟槽图案上实施各向同性蚀刻以圆化第二沟槽图案的侧壁并形成球形图案；以及在包括第一沟槽图案、圆化的第二沟槽图案和球形图案的凹陷图案上形成栅极。
制造含有凹陷栅极半导体器件方法

[发明专利]半导体器件中凹陷栅极的制造方法-CN200710101740.4有效
发明人： 赵瑢泰;金殷美 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成隔离结构以限定有源区；在该隔离结构和有源区上形成凹陷掩模图案；蚀刻该隔离结构以暴露凹陷图案至一定深度；蚀刻该衬底以形成凹陷图案；以及在凹陷图案上形成栅极电极。
半导体器件凹陷栅极制造方法

[发明专利]具有锥型沟道的半导体器件的制造方法-CN200610090342.2有效
发明人： 赵瑢泰;金殷美 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种制造半导体的方法，包括：刻蚀衬底至预定深度以形成具有锥形边缘的上沟道；刻蚀上沟道下方的衬底以形成具有大约垂直边缘的下沟道；形成位于上和下沟道内的期间隔离层；和刻蚀由上和下沟道限定的衬底有源区域至预定深度，以形成用于栅极的凹陷图案。
具有沟道半导体器件制造方法

[发明专利]具有深开孔的半导体器件的制造方法-CN200510097533.7无效
发明人： 赵瑢泰;李海朾;曹祥薰 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种制造具有深开孔的半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成绝缘层；选择性蚀刻绝缘层以形成第一开孔；扩大第一开孔的面积；在扩大的第一开孔的侧壁上形成抗弯隔离物；以及蚀刻残留在扩大的第一开孔下方的部分绝缘层以形成第二开孔。
具有深开孔半导体器件制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN200610078924.9无效
发明人： 赵瑢泰;李海朾 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-04-27 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种用于制造半导体器件的方法，具体地提供一种用于制造熔丝形成在其中的区域的方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成多个熔丝；形成第二绝缘层以覆盖熔丝；在第二绝缘层上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层的预定部分上形成金属层；形成第三绝缘层以覆盖金属层；对第三绝缘层执行垫/修复工艺，直到暴露金属层和蚀刻停止层；以及选择性地去除蚀刻停止层的暴露部分和第二绝缘层。
用于制造半导体器件方法

1
共 12 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top