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[发明专利]一种WO3-CN201910649152.7有效
发明人：沈岩柏;李停停;卢瑞;赵思凯;李国栋;高淑玲;刘文刚;魏德洲 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种WO3纳米花材料的制备及其在气体传感器中的应用。采用NaOH浸出工艺提取白钨精矿中的钨，以获得含钨的浸出液；将浸出液加入到HCl溶液中形成钨酸沉淀物，将洗涤后的钨酸加入去离子水以及H2O2溶解；用HCl溶液调混合溶液pH值至1.2～1.8，经100～180℃恒温条件下反应4～16h后，获得由纳米片自组装而成的WO3纳米花，该纳米花的直径为300～420nm、厚度为100～140nm，纳米片的长度为170～390nm、宽度为120～140nm、厚度为30～50nm，具有六方相晶体结构。将此WO3纳米花涂覆于陶瓷管外表面的金电极上，然后经老化处理制备成气体传感器。基于本发明方法制备NO2气体传感器，可以实现对低浓度、甚至ppb级NO2气体的高选择性、低工作温度的快速响应。
一种 wo base sub

[发明专利]一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO₂传感器-CN201710897155.3有效
发明人：沈岩柏;赵思凯;李停停;李国栋;魏德洲;高淑玲;韩聪 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：发明涉及一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO₂传感器及其制备方法，属于一维金属氧化物半导体材料的气体传感器技术领域。一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO₂传感器，所述传感器由电极元件及均匀原位生长在电极元件表面的NiO薄膜组成，其中，所述NiO薄膜由NiO晶体颗粒构成，所述NiO晶体颗粒为面心立方相晶体结构，直径为20～30nm。该气体传感器在工作温度为150℃时获得对NO₂的最大灵敏度，响应和恢复时间短，选择性高，长期稳定性好，有效解决了传统金属氧化物半导体式气体传感器制备工艺流程复杂、选择性与长期稳定性较差等不足，是具有良好发展前景的NO₂气体传感器。
一种基于电极表面原位生长 nio 纳米薄膜 no2 传感器