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[发明专利]液体回流型高速基因扩增装置-CN201510548527.2在审
发明人：竹井弘之;寺薗英之;安田贤二 -专利权人： 财团法人神奈川科学技术研究院;国立大学法人东京医科齿科大学
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C12M1/38 文献下载
摘要：本发明提供液体回流型反应控制装置，具有：反应槽，具有放入试样的一个或多个凹部，热交换槽，与反应槽接触设置以向反应槽传递热量，具有分别导入及排出规定温度的液体的入口及出口，多个液体储存箱，具有控制温度的热源，热源将多个液体储存箱中的液体分别保持在规定温度，管状流道，将热交换槽的入口及出口与液体储存箱连接，泵，设置在管状流道上，使液体在热交换槽与液体储存箱间循环，切换阀，设置在管状流道上，控制循环的液体的流动，通过以规定时间间隔切换来自多个液体储存箱的规定温度的液体向热交换槽流入，由此将反应槽的温度控制在希望的温度；试样的量在每个凹部为数μL以下，循环的液体的总容积在每个液体储存箱为数十mL以上。
液体回流高速基因扩增装置

[发明专利]铸模、铸模的制造方法以及片材的制造方法-CN201110225163.6有效
发明人：鱼津吉弘;冈本英子;小岛克宏;佐久间谕;益田秀树;柳下崇 -专利权人：三菱丽阳株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C25D11/12 文献下载
摘要：铸模、铸模的制造方法以及片材的制造方法。在无压延痕迹的铝预制模的表面通过阳极氧化形成有具有微细凹凸结构的氧化铝，且晶界的凹凸高度或深度为300nm以下，所述微细凹凸结构是相邻的凹部或凸部间的距离为可见光的波长以下的结构。
铸模制造方法以及

[发明专利]灭活病毒的方法和赋予抗病毒性的物品-CN201080047295.8有效
发明人：桥本和仁;砂田香矢乃;窪田吉信;石黑齐;中野龙一;梶冈实雄;姚燕燕;黑田靖;细木康弘 -专利权人：国立大学法人东京大学;财团法人神奈川科学技术研究院;昭和电工株式会社
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： A61L2/16 文献下载
摘要：本发明是一种通过从光源对光催化剂材料照射光从而将与该光催化剂材料接触的病毒灭活的方法以及一种使可见光响应型光催化剂材料附着于表面而构成的赋予抗病毒性的物品。
病毒方法赋予抗病毒性物品

[发明专利]微流路芯片及使用该微流路芯片的气液相分离方法-CN201080024006.2有效
发明人：青田新;Y.木平;佐佐木真理;北森武彦;马渡和真 -专利权人：微化学技研株式会社;国立大学法人东京大学;财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明公开了重现性良好、高敏感度地测定氨等对液体为可溶性的气体的方法及该方法所使用的气液相分离方法以及用于其的微流路芯片。微流路芯片具备设于基板内的微流路；连接于该微流路下游端、深度为10μm～100μm、上部被多孔性膜被覆的气液相分离微流路。从下述二相流中将气相排除而形成液相流的气液相分离方法包括使下述二相流在微流路芯片内的微流路中流通、导入气液相分离微流路、并在该区域流通，由此通过多孔性膜将气相流从气液相分离微流路排出至外部，所述二相流是在微流路内流通的由气相和液相构成的二相流，且液相流流通微流路的周缘部、气相流流通其内侧。
微流路芯片使用气液相分离方法

[发明专利]液体回流型高速基因扩增装置-CN201080022502.4无效
发明人：竹井弘之;寺薗英之;安田贤二 -专利权人： 财团法人神奈川科学技术研究院;国立大学法人东京医科齿科大学
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种液体回流型反应控制装置，具有：反应槽，其具有用于放入试样的一个或多个凹部，热交换槽，其与所述反应槽相接触设置，以便向所述反应槽传递热量，并且，该热交换槽具有分别用于导入以及排出规定的温度的液体的入口以及出口，多个液体储存箱，具有能够控制温度的热源，所述热源用于将所述多个液体储存箱中的液体分别保持在规定的温度，管状的流道，其将所述热交换槽的所述入口以及所述出口与所述液体储存箱相连接，泵，其设置在所述管状的流道上，用于使所述液体在所述热交换槽与所述液体储存箱之间循环，切换阀，其设置在所述管状的流道上，用于控制所循环的所述液体的流动，通过以规定的时间间隔切换来自所述多个液体储存箱的规定的温度的所述液体向所述热交换槽流入，由此将所述反应槽的温度控制在所希望的温度；所述试样的量在每个凹部为数μL以下，所循环的所述液体的总容积在每个液体储存箱为数十mL以上。
液体回流高速基因扩增装置

[发明专利]印模及其制造方法、成形体的制造方法、以及印模用的铝母模-CN200880113169.0有效
发明人：小岛克宏;冈本英子;鱼津吉弘;刀禰诚司;益田秀树;柳下崇;北浩明;伊藤久和;白井孝太;佐伯雅之 -专利权人：三菱丽阳株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院;日本轻金属株式会社
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C25D11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种转印面不会产生宏观的凹凸和颜色不均、且表面形成有阳极氧化的氧化铝的印模以及该印模的制造方法，此外，使用这种印模，提供一种转印面不存在宏观的凹凸和颜色不均的成形体的制造方法。一种印模，其特征在于，通过阳极氧化在母模的表面形成了具有微细凹凸结构的氧化铝，其中，铝母模的铝的纯度为99.5％以上、平均晶粒直径为1mm以下、且表面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以下。通过使用该印模，能够制造转印面不存在宏观的凹凸和颜色不均、且作为防反射物品等优选的成形体。
印模及其制造方法成形以及铝母模

[发明专利]铸模、铸模的制造方法以及片材的制造方法-CN200780024893.1有效
发明人：鱼津吉弘;冈本英子;小岛克宏;佐久间谕;益田秀树;柳下崇 -专利权人：三菱丽阳株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C25D11/12 文献下载
摘要：在无压延痕迹的铝预制模的表面通过阳极氧化形成有具有微细凹凸结构的氧化铝，且晶界的凹凸高度或深度为300nm以下，所述微细凹凸结构是相邻的凹部或凸部间的距离为可见光的波长以下的结构。
铸模制造方法以及

[发明专利]基于第Ⅲ族氮化物的化合物半导体发光器件-CN200810097730.2无效
发明人：守山实希;五所野尾浩一;一杉太郎;长谷川哲也 -专利权人：丰田合成株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：通过向氧化钛层中加入可获得良好电导率范围内的杂质(例如，铌(Nb))改善其折射率。本发明的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件包括蓝宝石衬底、氮化铝(AlN)缓冲层、n－接触层、n－覆层、多量子阱层(发光波长：470nm)、p－覆层和p－接触层。在p－接触层上提供由氧化钛铌制成并具有浮凸的透明电极。在n－接触层上提供电极。在透明电极的一部分上提供电极垫。由于透明电极由含3％铌的氧化钛形成，其对于光(波长：470nm)的折射率变得和p－接触层几乎相同。因此，最大可能地避免p－接触层和透明电极之间界面处的全反射。此外，由于所述浮凸，光提取性能提高了30％。
基于氮化物化合物半导体发光器件

[发明专利]多孔性高分子膜及其制造方法以及该制造中所使用的压模的制造方法-CN200680030973.3无效
发明人：益田秀树;柳下崇;西尾和之 -专利权人： 财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：通过在具有多孔性的表面结构的阳极氧化多孔氧化铝的细孔内填充物质，溶解除去前述阳极氧化多孔氧化铝来制造由前述物质形成且具有前述表面结构的反转结构的压模，通过将前述压模的前述反转结构转印到高分子来制造具有前述表面结构的多孔性高分子膜。可不经过复杂的工序而大面积制造多孔性高分子膜，该多孔性高分子膜具有尺寸均匀的细孔与膜表面垂直的表面结构。
多孔高分子及其制造方法以及使用

[发明专利]磁记录介质及其制造方法-CN200810001530.2无效
发明人：伊藤健一;菊地英幸;中尾宏;大岛弘敬;马田孝博;益田秀树;西尾和之;竹内光生;伊达仁昭 -专利权人：富士通株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2008-01-04 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G11B5/855 文献下载
摘要：本发明提供了磁记录介质及其制造方法，其中，该方法能够高精度转印能够用作用于形成阳极化氧化铝纳米孔的源的图案并且实现高生产能力；该大容量磁记录介质能够实现高密度记录。所述方法包括：在形成在模子的表面上的凹凸图案上形成金属层；使用粘合剂将基片结合到金属层的与模子的相反侧的表面；从所述金属层分离所述模子；通过纳米孔形成处理形成多孔层，在所述多孔层中，通过将通过所述模子中的凹凸图案转印到所述金属层已经形成的凹凸图案用作纳米孔源来将多个纳米孔形成为在基本垂直于基片平面的方向上定向；以及将磁材料填入所述纳米孔中。
记录介质及其制造方法

[发明专利]功能元件和氧化物材料形成方法-CN200680001819.3有效
发明人：一杉太郎;古林宽;长谷川哲也;广濑靖;笠井淳平;守山实希 -专利权人：丰田合成株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明鉴于目前正期待着适用范围大的透明电极材料以及磁性材料这一状况，提供具有新特性的功能元件和氧化物材料形成方法。所述的功能元件具有Al_xGa_yIn_zN和在所述Al_xGa_yIn_zN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述金属氧化物为TiO₂。根据本发明，可以得到在具有优异的物理化学性质的3族氮化物上一体形成的在界面的反射少、兼具耐化学品性和耐久性膜而构成的功能元件。
功能元件氧化物材料形成方法

[发明专利]碳纳米管链及其生产工艺和目标检测器及目标检测方法-CN200710091933.6无效
发明人：伊藤健一;益田秀树;京谷隆 -专利权人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学;财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供由碳纳米管构成的碳纳米管链、适于用作例如目标检测器或传感器的碳纳米管链、以及提供高效的碳纳米管链生产工艺。该碳纳米管链包括载体和一端与载体表面结合的多个碳纳米管，其中该多个碳纳米管定向于与载体表面基本上成一直角的方向。
纳米及其生产工艺目标检测器检测方法

[发明专利]透明导体、透明电极、太阳电池、发光元件及显示板-CN200580033837.5有效
发明人：古林宽;长谷川哲也;一杉太郎 -专利权人： 财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及透明且具有导电性的透明电极用基材及透明导电性薄膜，提供一种由能够稳定供给且有良好耐化学药品性等的原料构成的透明金属材料及透明电极。在基板(11)上形成锐钛矿型结晶结构的金属氧化物层(12)，通过由M:TiO₂构成金属氧化物层(12)，从而维持内部透过率的同时，呈现低电阻率。即，通过用其它原子(Nb、Ta、Mo、As、Sb、W等)置换锐钛矿型TiO₂中的Ti位置所得到的M:TiO₂，从而能够在维持透明度的同时，显著提高导电率。
透明导体电极太阳电池发光元件显示

[发明专利]纳米管状氧化钛及其制备方法-CN200580008773.3有效
发明人：中山庆祐;久保贵哉;锦谷祯范;益田秀树 -专利权人：新日本石油株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2005-03-22 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：通过在包含含卤原子的离子的电解质溶液，如高氯酸水溶液中，阳极氧化钛金属或主要含钛的合金，可制备具有不小于6的长径比的纳米管状氧化钛。
纳米管状氧化及其制备方法

[发明专利]光纤探针、光学探测装置和光探测方法-CN200680000201.5无效
发明人：伊藤泉;高田将人;照太郎;大津元一;八井崇;兴梠元伸 -专利权人：株式会社理光;财团法人神奈川科学技术研究院
申请日： 2006-02-02 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G01N13/14 文献下载
摘要：本发明公开了一光学探测装置图像，它允许使用近场光以高分辨率和高效率进行快速测量，但是不需要光纤探针的位置对准。该光学探测装置包括光纤探针，该光纤探针具有用于传播光的芯部，在该芯部的前端处形成光探针；移动控制单元，将光纤探针靠近或远离样本移动；及探测单元，探测来自样本表面的光，其中，在光探针的芯部的前端表面上，具有在外围侧上用于发射传播光的第一出口区域，和用于漏出近场光的第二出口区域，该第一出口区域和第二出口区域以同心方式形成，并且第一出口区域的倾角不同于第二出口区域的倾角。
光纤探针光学探测装置方法

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