专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种铌酸锂晶片质子交换装置-CN202223464245.9有效
  • 付火火;李俊伟;刘永勇;邓兴虎;谢龙君 - 上海傲世控制科技股份有限公司
  • 2022-12-25 - 2023-06-30 - B01J19/18
  • 本实用新型涉及一种铌酸锂晶片质子交换装置,包括提拉组件、交换组件;提拉组件包括主支架、Y分支柱、波浪型槽体、通料孔;主支架包括上层主支架和与上层主支架的底部连接的下层主支架,下层主支架为波浪形支架;Y分支柱的两端分别与主支架的上层主支架和下层主支架连接;波浪型槽体设于下层主支架上;通料孔设于下层主支架上;交换组件包括交换管、交换管帽、提拉孔;交换管与交换管帽紧配合;提拉孔设于交换管帽的顶部;提拉组件的主支架通过提拉孔贯穿交换组件的交换管帽。与现有技术相比,本实用新型能使铌酸锂晶片交换过程稳定,具有过程操作简单、晶片交换离子均匀性、一致性好等优点,可以有效的保护铌酸锂晶片不因液体固化卡住。
  • 一种铌酸锂晶片质子交换装置
  • [发明专利]一种带挡弧盘的真空开关触发电极结构-CN201310329692.X无效
  • 李黎;谢龙君;鲍超斌;林福昌 - 华中科技大学
  • 2013-07-31 - 2013-12-18 - H01H33/664
  • 本发明属于真空开关技术,具体涉及一种带挡弧盘的真空开关触发电极结构,它包括钼环、陶瓷套管、触发极、触发极凹槽、沿面绝缘层和触发挡弧盘;触发极轴对称形,其中部为圆台形状,上下两端为圆柱体,陶瓷套管的轴向贯穿孔靠近主间隙一端设置有渐开式斜槽,触发极、陶瓷套管和钼环由内至外同轴布置,触发极的圆台的侧面与陶瓷套管的贯穿孔渐开式斜槽相配合,触发极凹槽设置于钼环外围,形状为渐开式凹槽;沿面绝缘层设置于陶瓷套管位于触发极凹槽内的一端表面;触发挡弧盘设置于触发极位于主间隙一端的端面,以增大触发极靠近主间隙一端端面的径向面积。本发明增加了真空开关的可靠性,提高了真空开关的性能参数及使用寿命等。
  • 一种带挡弧盘真空开关触发电极结构
  • [发明专利]一种沿面击穿型真空开关的触发电极-CN201310172666.0有效
  • 李黎;鲍超斌;谢龙君;葛亚峰;林福昌 - 华中科技大学
  • 2013-05-10 - 2013-09-11 - H01T2/02
  • 本发明公开了一种沿面击穿型真空开关的触发电极,包括低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层、触发极凹槽,陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中,并与钼套圈紧密接触,用于保证低压极与金属触发极之间的电气绝缘,金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中,用于保证钼环与金属触发极等电位,钼环设置于陶瓷管的上部,半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的方向与高压极施加的间隙电场方向一致,触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上。本发明能够解决现有触发电极存在的使用寿命短、耐高温性能不佳、容易烧蚀损坏的问题。
  • 一种击穿真空开关触发电极

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