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- [发明专利]一种沿面击穿型真空开关的触发电极-CN201310172666.0有效
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李黎;鲍超斌;谢龙君;葛亚峰;林福昌
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华中科技大学
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2013-05-10
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2013-09-11
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H01T2/02
- 本发明公开了一种沿面击穿型真空开关的触发电极,包括低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层、触发极凹槽,陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中,并与钼套圈紧密接触,用于保证低压极与金属触发极之间的电气绝缘,金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中,用于保证钼环与金属触发极等电位,钼环设置于陶瓷管的上部,半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的方向与高压极施加的间隙电场方向一致,触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上。本发明能够解决现有触发电极存在的使用寿命短、耐高温性能不佳、容易烧蚀损坏的问题。
- 一种击穿真空开关触发电极
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