“西川浩太”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储装置-CN202310756378.3在审
发明人： 西川浩太;坪内洋;仲井健理 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高写入动作的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1字线，配置在半导体衬底(30)的上方；第2字线，介隔绝缘层积层在第1字线上；存储柱(MH)，通过第1及第2字线，且具有半导体衬底(30)上的下部柱(LMH)、下部柱(LMH)上的上部柱(UMH)、及下部柱(LMH)与上部柱(UMH)间的接合部(JT)；位线(BL)，电连接于存储柱(MH)；及驱动器(13)，对第1及第2字线施加电压。第1字线比第2字线更靠近接合部，于在选择第2字线的写入动作时使位线(BL)升压的预充电动作中，驱动器(13)对第2字线施加电压(VCP1)，对第1字线施加高于电压(VCP1)的电压(VCP2)。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201910138236.4有效
发明人： 西川浩太;坪内洋;仲井健理 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高写入动作的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1字线，配置在半导体衬底(30)的上方；第2字线，介隔绝缘层积层在第1字线上；存储柱(MH)，通过第1及第2字线，且具有半导体衬底(30)上的下部柱(LMH)、下部柱(LMH)上的上部柱(UMH)、及下部柱(LMH)与上部柱(UMH)间的接合部(JT)；位线(BL)，电连接于存储柱(MH)；及驱动器(13)，对第1及第2字线施加电压。第1字线比第2字线更靠近接合部，于在选择第2字线的写入动作时使位线(BL)升压的预充电动作中，驱动器(13)对第2字线施加电压(VCP1)，对第1字线施加高于电压(VCP1)的电压(VCP2)。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202210121555.6在审
发明人：坂庭学;椎野泰洋;西川浩太;石山佑;铃木慎二 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明的半导体存储装置具备：衬底；多个栅极电极；半导体层，与栅极电极对向；电荷蓄积层，设置在栅极电极与半导体层之间；导电层，连接于半导体层的一端部；以及控制电路，与栅极电极及导电层电连接。多个栅极电极包含：第1栅极电极；第2栅极电极，比第1栅极电极离导电层远；以及虚拟栅极电极，设置在第1栅极与第2栅极电极之间。控制电路构成为能够执行抹除动作。抹除动作包含：针对导电层的第1抹除电压供给动作；针对虚拟栅极电极的第1编程动作，在第1抹除电压供给动作之后执行；以及第2抹除电压供给动作，在第1编程动作之后执行，对导电层供给与第1抹除电压相同或大于第1抹除电压的第2抹除电压。
半导体存储装置

1
共 3 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top