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[发明专利]一种电动车锂电池识别控制系统、方法及电动车-CN201610394628.3有效
发明人：钟任生 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： B60R25/25 文献下载
摘要：本发明提供一种电动车锂电池识别控制系统、方法及电动车，该系统包括：指纹识别模块，包括指纹传感器、指纹识别芯片和第一微处理器，指纹传感器、指纹识别芯片与第一微处理器依次连接；电池控制模块，包括第二微处理器和功率管单元，第二微处理器与第一微处理器连接，第二微处理器内集成了与第一微处理器相同的动态加密算法，第二微处理器与功率管单元连接。本发明通过在第一微处理器和第二微处理器中集成相同的动态加密算法，保证了用户每次通过指纹开启电动车时，第一微处理器发出的脉冲序列都不一样，而且该脉冲序列可以被第二微处理器准确识别，然后进一步控制功率管单元开启，有效避免了常规的高低电平信号和固定脉冲序列易于破解的弊端。
一种电动车锂电池识别控制系统方法

[实用新型]一种防止分层的TO引线框架-CN201721789261.1有效
发明人：范玮 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止分层的TO引线框架，该框架包括散热片、芯片载体、与芯片载体一侧连接的引线脚以及引线脚上的中筋；所述散热片与芯片载体的另一侧连接；所述引线脚中封装键合区域的下方通过冲压或钻孔的方法形成穿孔。本实用新型在TO框架的引线脚部分通过冲压或者钻孔的方式形成圆形穿孔，器件塑封时，塑封材料环氧树脂流过穿孔，从而使框架和塑封材料充分接触，加固框架和塑封的连接，增加了封装器件的气密性，有效防止TO封装器件分层的产生，提高了封装器件的可靠性。
引线脚芯片载体分层本实用新型封装器件塑封材料引线框架冲压散热片穿孔钻孔环氧树脂充分接触封装键合加固框架器件塑封圆形穿孔气密性塑封

[实用新型]一种MOS场效应管的封装框架-CN201721878396.5有效
发明人：宁波;刘义芳 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOS场效应管的封装框架，其包括D极焊接载体、S极打线基岛、G极打线基岛、G极引脚、S极引脚；所述D极焊接载体的下方一侧设置G极打线基岛，另一侧设置S极打线基岛，所述D极焊接载体上设置有晶圆，所述晶圆通过至少两组铝带引线与S极打线基岛连接以及通过引线与G极打线基岛连接；所述G极引脚的一端设置在G极打线基岛上，所述S极打线基岛上依次引出六组S极引脚。本实用新型将原有分开的两个打线基岛连接一起，后续铝带打线时，可实现根据需求选择合适宽度的铝带或者铝线，不再受分到两个打线基岛的限制。
打线基岛引脚铝带焊接本实用新型封装框架晶圆铝线需求选择一端设置两组

[实用新型]一种基于PWM控制的半桥LC谐振变换电路-CN201720883394.9有效
发明人：钟任生 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H02M3/338 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于PWM控制的半桥LC谐振变换电路，包括：输入电源BT1，用于为整个电路提供电能；第一主功率管Q1、第二主功率管Q2，用于组成半桥电路；谐振电感L1及其原边绕组N1、副边绕组N2、谐振电容C1，用于组成LC谐振回路；第一钳位二极管D1、第二钳位二极管D2，用于钳位主功率变压器的原边电压尖峰低于输入电源电压；第一输入滤波电容C2、第二输入滤波电容C3，用于对输入电压进行滤波；主功率变压器T1及其原边绕组N1和副边绕组N2、N3，用于起变压作用；第一输出整流二极管D3、第二输出整流二极管D4、输出滤波电容C4，用于组成整流和滤波电路。本实用新型实现了谐振电感跟随输入电压和负载变化而变化，谐振周期跟随PWM开通周期。
输出整流二极管输入滤波电容主功率变压器本实用新型钳位二极管变换电路副边绕组输入电压谐振电感原边绕组主功率管半桥电路提供电能输出滤波电容输入电源电压尖峰半桥电路负载变化滤波电路输入电源谐振电容谐振周期原边电压变压滤波钳位开通

[实用新型]一种高精度的汽车发电机电压调节控制装置-CN201721688724.5有效
发明人：钟任生 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H02P9/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高精度的汽车发电机电压调节控制装置，包括检测电路，用于检测发电机的输出电压并且输出至PWM控制器；PWM控制器，用于根据所述输出电压和基准电压的误差大小确定输出的电压高低以及产生PWM波形；开关管，用于根据所述PWM波形控制截止和导通的切换；LC滤波器，用于在所述开关管导通时滤PWM控制器输出的电压中的纹波电压并且输出至发电机励磁绕组；在所述开关管截止时将自身的储能输出至发电机励磁绕组用于保持自身的电流连续；发电机励磁绕组，用于根据所述LC滤波器输出的电压产生磁场；发电机主绕组，用于根据所述发电机励磁绕组产生的磁场产生输出电压。本实用新型效率高，发热极小，无需散热器，稳定可靠，寿命长。
发电机励磁绕组输出输出电压汽车发电机电压调节控制装置本实用新型开关管散热器截止发电机主绕组开关管导通磁场产生大小确定电压产生基准电压检测电路纹波电压发电机储能导通磁场发热检测

[发明专利]一种电动车控制器识别控制系统、方法及电动车-CN201610394661.6有效
发明人：钟任生 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： B60R25/25 文献下载
摘要：本发明提供一种电动车控制器识别控制系统、方法及电动车，该系统包括：指纹识别模块，包括指纹传感器、指纹识别芯片和第一微处理器，指纹传感器、指纹识别芯片与第一微处理器依次连接；控制器，包括第二微处理器和功率管单元，第二微处理器与第一微处理器连接，第二微处理器内集成了与第一微处理器相同的动态加密算法，第二微处理器与功率管单元连接。本发明通过在第一微处理器和第二微处理器中集成相同的动态加密算法，保证了用户每次通过指纹开启电动车时，第一微处理器发出的脉冲序列都不一样，而且该脉冲序列可以被第二微处理器准确识别，然后进一步控制功率管单元开启，有效避免了常规的高低电平信号和固定脉冲序列易于破解的弊端。 1
第二微处理器第一微处理器电动车电动车控制器动态加密算法指纹识别芯片指纹传感器控制系统脉冲序列功率管高低电平信号指纹识别模块单元连接固定脉冲控制功率依次连接指纹开启控制器常规的管单元破解保证

[发明专利]一种功率MOSFET封装热阻比较装置-CN201610132622.9有效
发明人：刘义芳 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中功率MOSFET压接在散热器上；恒流控制板精确控制不同的功率MOSFET工作在放大区并保证相同的功率耗散，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度。本发明通过恒流控制板的控制作用，使流过功率MOSFET的电流得到精确控制，极大减小了由于不同功率MOSFET存在的开启电压差异而导致的电流差异。同时，在相同的功率耗散条件下，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度，可以较快捷并准确地比较出不同功率MOSFET封装热阻的大小。
功率MOSFET 散热器功率MOSFET封装恒流控制板点温计热阻双路比较装置功率耗散测量可调直流电源电流差异开关电源开启电压控制作用放大区减小压接保证

[实用新型]一种利用光伏补充电能的无线充电移动电源-CN201721662974.1有效
发明人：杨巍 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H02J50/12 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种利用光伏补充电能的无线充电移动电源，包括光伏发电模块、电池模块和无线充电模块，光伏发电模块包括相连的太阳能电池板和同步降压电路，同步降压电路将太阳能电池板转化的电能降压后为电池模块充电，无线充电模块包括相连的全桥谐振电路和电感线圈，通过全桥谐振电路从电池模块获得变化的信号，电感线圈将变化的信号传递给需充电的电子产品进行充电。本实用新型的一种利用光伏补充电能的无线充电移动电源解决了现有的移动电源充放电不方便的问题。其可以利用光伏发电给移动电源补充电能，也可以利用电源适配器给移动电源补充电能，同时利用无线充电方式为电子产品充电，充放电均十分方便，大大方便了用户使用。
移动电源无线充电电池模块充电补充光伏光伏发电模块全桥谐振电路太阳能电池板无线充电模块本实用新型电感线圈降压电路充放电电子产品电源适配器光伏发电信号传递用户使用降压转化

[实用新型]一种逆变系统-CN201721617981.X有效
发明人：任文军;钟任生 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种逆变系统，其包括依次连接的电源、前级驱动、前级升压功率管、后级驱动、后级逆变功率管以及输出单元，其进一步包括微控制单元，所述微控制单元分别与电源、输出单元连接、前级驱动和后级驱动连接。本实用新型在波峰位置采样，但在此时不做任何调整，而是等到180度时再做调制度的调整，因此，90度的波峰位置比较平滑，输出稳定可靠。
本实用新型微控制单元波峰位置后级驱动逆变系统前级驱动输出单元电源逆变功率管升压功率输出稳定依次连接调制度采样平滑前级

[实用新型]一种功率半导体器件的复合型耐压环结构-CN201721034260.6有效
发明人：袁力鹏;徐吉程;范玮 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，包括至少一个耐压环结构，每个耐压环结构包括第一场限环、与所述第一场限环横向连接的pn结延展区、与所述pn结延展区横向相邻且连接的第二场限环，所述第一场限环和所述第二场限环位于所述pn结延展区两侧位置，其中，所述pn结延展区与所述第一场限环和所述第二场限环的侧面和底面同时接触。本实用新型通过设置与场限环横向连接的pn结延展区，将场限环延伸至所述外延层体内，优化表面电场和体内电场，增大结终端击穿电压以及降低反向漏电流和结电容，同时不会大幅增加设计难度和制作成本。
场限环延展区环结构耐压功率半导体器件本实用新型横向连接体内反向漏电流表面电场横向相邻击穿电压两侧位置电场结电容结终端外延层底面侧面延伸优化制作

[发明专利]防止分层的TO引线框架-CN201711382145.2在审
发明人：范玮 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止分层的TO引线框架，该框架包括散热片、芯片载体、与芯片载体一侧连接的引线脚以及引线脚上的中筋；所述散热片与芯片载体的另一侧连接；所述引线脚中封装键合区域的下方通过冲压或钻孔的方法形成穿孔。本发明在TO框架的引线脚部分通过冲压或者钻孔的方式形成圆形穿孔，器件塑封时，塑封材料环氧树脂流过穿孔，从而使框架和塑封材料充分接触，加固框架和塑封的连接，增加了封装器件的气密性，有效防止TO封装器件分层的产生，提高了封装器件的可靠性。
防止分层 to 引线框架

[实用新型]一种平面MOS器件-CN201721176516.7有效
发明人：袁力鹏;徐吉程;宁波 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种平面MOS器件，本实用新型将普通平面MOS位于JEFT区域上部的栅极通过刻蚀的方式去掉并填充绝缘介质，利用此方式有效降低JEFT电阻和Qgd，本实用新型制造工艺简单，能够完全与普通平面MOS工艺步骤兼容，成本低，结构新颖，具有良好的电特性和可靠性，能有效降低器件导通电阻和Qgd，减小器件导通损耗和开关损耗，从而达到节能减排的目的。
一种平面 mos 器件

[实用新型]一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构-CN201720986916.8有效
发明人：徐吉程;范玮;袁力鹏 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，包括至少一个沟槽型耐压环，每个沟槽型耐压环包括场限环和与所述场限环横向连接的第一栅氧化层、与所述第一栅氧化层横向连接的多晶硅、与所述多晶硅横向连接的第二栅氧化层、与所述第二栅氧化层横向连接的P型主结，所述第一栅氧化层和第二栅氧化层位于所述多晶硅的两侧；所述场限环包括由内到外依次设置的第一场限环和第二场限环。本实用新型能够优化表面电场和体内电场，避免各技术单独使用时的缺点，提高结终端的耐压效率和降低终端使用尺寸及反向漏电流，同时不会大幅增加设计难度和制作成本。
一种功率半导体器件沟槽耐压结构

[实用新型]一种集成TMBS结构的沟槽MOS器件-CN201721177178.9有效
发明人：袁力鹏;徐吉程;宁波 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种集成TMBS结构的沟槽MOS器件，本实用新型在TMBS二极管位于两个沟槽MOSFET单胞器件之间，其有效且极大地降低开关损耗，抑制尖峰电压和尖峰电流，有效地节约硅表面面积，降低器件的成本，由于TMBS二极管结构的引入，能够极大的降低器件的漏电流，提高了器件在使用过程中的安全性能。
一种集成 tmbs 结构沟槽 mos 器件

[实用新型]一种复合型沟槽MOS器件-CN201720851556.0有效
发明人：袁力鹏;徐吉程;范玮 -专利权人： 西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种复合型沟槽MOS器件，本实用新型将肖特基二极管结构和TMBS结构集成在每一个沟槽MOSFET单胞的接触孔中，在MOSFET单胞的接触孔侧壁形成肖特基接触，降低开关损耗和抑制尖峰电压和尖峰电流，提高反向恢复特性；并且在接触孔的底部形成TMBS结构，能够在器件内部形成平衡电场，提升器件击穿特性，从而达到提高器件性能的同时，有效的节约硅表面面积，降低芯片成本；本实用新型制造工艺简单，成本低，结构新颖，产品性能和可靠性高，并能有效抑制沟槽MOSFET器件反向恢复的尖峰电压和尖峰电流以及提高器件耐压。
一种复合型沟槽 mos 器件

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