“西冈志行”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磷化铟晶体基板-CN201880068736.9有效
发明人： 西冈志行;鸿池一晓;柳泽拓弥;樋口恭明;羽木良明 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm‑3以上且8.0×1018cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm‑2以上且500cm‑2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm‑3以上且4.0×1018cm‑3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm‑3以上且1.0×1017cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm‑2以上且5000cm‑2以下的平均位错密度。
磷化晶体

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201010163633.6无效
发明人：藤原伸介;上村智喜;冈久拓司;上松康二;奥井学;西冈志行;桥本信 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-10-16 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有至少400V的耐受电压，所述方法包括步骤：制备AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)，其中0≤x、0≤y并且x+y≤1；以及在所述基板(12)上生长至少一层半导体层(41)，其中所述基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)，所述主平面(12m)具有位于距离所述主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，以及对应于除了所述外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)，并且所述内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。
制造半导体器件方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件-CN200810177769.5有效
发明人：冈久拓司;川濑智博;上村智喜;西冈志行;荒川聪 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种III族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该III族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该III族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10^-4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该III族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少-30％且不大于30％。该III族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少-16％且不大于16％。
氮化物半导体晶体半导体器件

[发明专利]半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法-CN200810177774.6无效
发明人：冈久拓司;川濑智博;上村智喜;西冈志行;荒川聪 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氟化硅作为掺杂气体生长用硅掺杂的III族氮化物半导体晶体。
半导体晶体生长方法晶体及其制造

[发明专利]半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法-CN200810177773.1无效
发明人：冈久拓司;川濑智博;上村智喜;西冈志行;荒川聪 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氯化硅(SiCl₄)气体作为掺杂气体生长用硅掺杂的第一III族氮化物半导体晶体。第一III族氮化物半导体晶体的生长速率为至少200μm/h且不大于2000μm/h。
半导体晶体生长方法晶体及其制造

[发明专利]Al_xGa_yIn_1－x－yN晶体基板、半导体器件及其制造方法-CN200680047480.0有效
发明人：藤原伸介;上村智喜;冈久拓司;上松康二;奥井学;西冈志行;桥本信 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-10-16 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的Al_xGa_yIn_1－x－yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm²的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×10²cm^－2并且至多1×10⁶cm^－2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的Al_xGa_yIn_1－x－yN晶体基板、包括该Al_xGa_yIn_1－x－yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。
al sub ga in 晶体半导体器件及其制造方法

[发明专利]硼酸盐系结晶的制造方法和激光振荡器-CN200480004188.1有效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;西冈志行;福本悟;松井知代;佐治隆司 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2004-02-13 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及硼酸盐系结晶的制造方法和激光振荡器。所述方法如下，通过将水溶性的原料溶解于水成为水溶液，使该水溶液的水分蒸发，然后通过烧结或不烧结成为培养原料，熔解得到的培养原料培养硼酸盐系结晶，可在短时间内、低成本且简便地、并且作为更均匀性、可靠性好地制造作为波长变换光学器件使用的硼酸盐系结晶。另外，通过使用这些的结晶作为波长变换光学器件，可实现可靠性高的激光振荡器。
硼酸盐结晶制造方法激光振荡器