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[发明专利]电容器及其制造方法-CN202080018984.X在审
发明人：吉田和司;萩原洋右;田浦巧 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：电容器100包括硅衬底1、导体层2和电介质层3。硅衬底1包括：具有电容产生区域11和非电容产生区域12的主表面10；和在电容产生区域11中沿厚度方向设置的多孔部13。导体层2包括覆盖电容产生区域11的表面110的至少一部分的表面层部21和填充多孔部13的细孔130的至少一部分的填充部22。电介质层3插入在细孔130的内表面和填充部22之间。
电容器及其制造方法

[发明专利]成像元件以及成像元件的制造方法-CN201980078837.9在审
发明人：田中良和;大场宣幸;中食慎太郎;狭山征博;大久保幸香;西山翼;西木户健树;萩原洋右 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：当像素微细化时，本发明也容易形成遮挡来自相邻像素的入射光的遮光体。一种成像元件设置有光电转换单元、绝缘膜、入射光透射膜和遮光体。光电转换单元形成在半导体基板中以对来自被摄体的入射光进行光电转换，并且设置在多个像素上。绝缘膜布置在多个像素中以使半导体基板绝缘。入射光透射膜与多个像素的绝缘膜相邻设置以透射入射光。遮光体布置在形成在多个像素中的每个像素的外周边缘上的入射光透射膜中的凹槽中以遮挡入射光。
成像元件以及制造方法

[发明专利]红外线传感器-CN200980142269.0无效
发明人：辻幸司;萩原洋右;牛山直树 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：公开了一种红外线传感器(1)，其包括基体(10)和设置在基体(10)的一个表面侧上的红外线检测元件(3)。红外线检测元件(3)包括：薄膜红外线吸收构件(33)，其吸收红外线光；温度检测构件(30)，其检测红外线吸收构件(33)和基体(10)之间的温度差；以及保护膜(39)。红外线吸收构件(33)布置在基体(10)的一个表面侧上，以便在红外线吸收构件(33)和基体(10)之间提供隔热空间。温度检测构件(30)包括p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)以及连接层(36)，其中，p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)被形成为跨越红外线吸收构件(33)和基体(10)，连接层(36)在红外线吸收构件(33)上电连接p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)。保护膜(39)是设置在红外线吸收构件(33)中的红外线入射表面上以便覆盖该红外线入射表面的多晶硅膜，该红外线入射表面是远离基体(10)的平面。
红外线传感器

[发明专利]红外线传感器-CN200980142432.3无效
发明人：辻幸司;萩原洋右;牛山直树 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：红外线传感器(1)包括基底(10)、以及在基底(10)的表面上形成的红外线检测元件(3)。红外线检测元件(3)包括薄膜形式的被配置为吸收红外线的红外线吸收构件(33)、以及被配置为测量红外线吸收构件(33)与基底(10)之间的温度差的温度检测构件(30)。温度检测构件(30)包括：在红外线吸收构件(33)和基底(10)上形成的p型多晶硅层(35)，在红外线吸收构件(33)和基底(10)上形成而不与p型多晶硅层(33)接触的n型多晶硅层(34)，以及被配置为将p型多晶硅层(35)电连接到n型多晶硅层(34)的连接层(36)。p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)中的每一个具有1018到1020cm-3范围内的杂质浓度。p型多晶硅层(35)具有λ/4n1p的厚度，其中，λ表示要由红外线检测元件(3)检测的红外线的中心波长，n1p表示p型多晶硅层(35)的反射率。n型多晶硅层(34)具有λ/4n1n的厚度，其中，n1n表示n型多晶硅层(34)的反射率。
红外线传感器

[发明专利]MEMS开关及其制造方法-CN200980112188.6无效
发明人：吉原孝明;早崎嘉城;白井健雄;松嶋朝明;河田裕志;萩原洋右 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：一种MEMS开关包括带有具有固定触点的信号线的衬底、带有可移动触点的可移动板、支撑可移动板的弹性支撑构件、被配置为使可移动触点与固定触点接触的压电激励器以及静电激励器。特征部分为，可移动板具有长度和宽度，在其长度方向的中心处设置有可移动触点，形成在长度方向的两端的可移动电极保持部中设置有静电可移动电极板。在可移动板的宽度方向的两端的外面部分处，支撑构件由设置在各电极保持部的外面部分中的四个弹性条带形成。各条带沿可移动板的长度方向布置，条带的一端连接到可移动板上，另一端保持在衬底上。在可移动板的宽度方向的外面部分，压电元件布置在各条带的上表面上，并构成为使得压电激励器所产生的应力作用于各条带和所述可移动板之间的连接位置。
mems 开关及其制造方法

[发明专利]微继电器-CN200880022126.1无效
发明人： 萩原洋右;桥本健;鱼留利一;榎本英树;垣本胜己;横山浩司;岸本慎一 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01H51/22 文献下载
摘要：一种微继电器除了主基板、静触点、电枢和线圈之外还包括磁性构件和永久磁体。磁性构件包括位于主基板的第一通孔内的芯。永久磁体位于磁性构件的端部或磁性构件内的一个位置。主基板具有多个叠层。线圈由串联连接的多个平面线圈构成。多个平面线圈分别形成在多个叠层上并位于芯周围。
继电器

[发明专利]光扫描镜、半导体结构及其制造方法-CN200880003224.0无效
发明人： 萩原洋右;河野清彦;野毛宏 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：易于制造出在移动单元中具有绝缘结构的半导体结构。通过处理由第一硅层100a、氧化物膜120以及第二硅层100b所组成的SOI衬底，从而形成光扫描镜(半导体结构)1。移动单元50，其通过第一铰链5支撑于固定框架4上，形成在第一硅层100a上。通过形成沟槽(绝缘结构)101a将所述移动单元50划分成多个区域。由氧化物膜120和第二硅层100b形成的支撑部件9刚好形成在所述沟槽101a之下。由所述沟槽101a划分的可移动框架3的多个区域接合到所述支撑部件9，从而使得移动单元50与支撑部件9一起是可摆动的。从而，通过简单的蚀刻步骤形成支撑部件9，如此，确保移动单元50的机械强度。
扫描半导体结构及其制造方法

[发明专利]带短路负载保护的光响应半导体开关-CN00124965.7无效
发明人：富井和志;长浜英雄;萩原洋右 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2000-09-27 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：一种改进的带短路负载保护的光响应半导体开关，它能成功地中断负载的过载。本开关包括受光电元件启动的输出晶体管，它使负载与它的电源相连，还包括过载传感器，当负载中遇到过载情况时它提供过载信号。分路晶体管与限流电阻元件串联连接于光电元件的两端，以确定电流从光电元件通过限流电阻元件而离开的分流路径。
短路负载保护响应半导体开关

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